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基于 TI GaN FET 的 10kW 單相串式逆變器的設計注意事項
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非常見問題解答第225期：原來為硅MOSFET設計的DC-DC控制器能否用來驅(qū)動GaNFET？
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Allegro MicroSystems推出新型隔離柵極驅(qū)動器IC，可實現(xiàn)領先的功率轉(zhuǎn)換密度
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應管使80 PLUS®鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行
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專用于在混合動力汽車/電動汽車中實現(xiàn)高頻工作和穩(wěn)健性的汽車類GaN FET
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Nexperia首次亮相第三屆中國國際進口博覽會
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后發(fā)先至，安世半導體車規(guī)GaN FET重磅升級
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Nexperia（安世半導體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)
發(fā)表于：6/8/2020 11:03:00 AM
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GaN FET的結(jié)構(gòu)、驅(qū)動及應用綜述
發(fā)表于：1/10/2020 10:57:00 AM
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貿(mào)澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅(qū)動器高頻應用的好選擇
發(fā)表于：9/28/2019 11:20:00 AM
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業(yè)界最小尺寸的GaN FET將亮相2019慕尼黑上海電子展
發(fā)表于：3/8/2019 12:14:00 AM
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TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊
發(fā)表于：3/24/2015 12:15:00 AM
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