意法合資的意法半導體（ST Microelectronics）宣布，該公司驗證了計劃用于醫(yī)療器械及混合動力車和電動汽車充電器的“超低”功耗芯片用工藝技術。該技術由名為SmartPM（Smart Power Management in Home and Health）的歐洲聯(lián)盟開發(fā)。
SmartPM是在EU的ENIAC（歐洲納電子行動顧問委員會）框架內(nèi)結成的聯(lián)盟，由意法半導體和歐洲的17個伙伴團體組成。17個團體分別是比利時、法國、德國、愛爾蘭、意大利、荷蘭、挪威、西班牙以及瑞典等9個國家的企業(yè)和學術機構。
此次用于制造驗證芯片的是使用SOI（silicon-on-insulator）基板的BCD（bipolar-CMOS-DMOS）工藝，采用 0.16μm的曝光技術。利用該工藝，可在一枚芯片上集成絕緣層完全分離的高密度邏輯電路（1.8V和3.3V的CMOS）、最大耐壓為300V的功率 MOSFET晶體管、低噪聲元件以及高電阻寄存器。能夠實現(xiàn)利用原來的體硅基板無法實現(xiàn)的ASIC。
驗證芯片由意法半導體與世界頂級醫(yī)療器械廠商合作開發(fā)。是一款用于超聲波掃描儀的芯片。此次的芯片可進行100溝道以上的處理，利用該芯片，能夠實現(xiàn)擁有數(shù)千溝道的新一代超聲波掃描儀。另外，利用現(xiàn)有的普通技術，一枚芯片只能進行8溝道左右的處理。
SmartPM是在EU的ENIAC（歐洲納電子行動顧問委員會）框架內(nèi)結成的聯(lián)盟，由意法半導體和歐洲的17個伙伴團體組成。17個團體分別是比利時、法國、德國、愛爾蘭、意大利、荷蘭、挪威、西班牙以及瑞典等9個國家的企業(yè)和學術機構。
此次用于制造驗證芯片的是使用SOI（silicon-on-insulator）基板的BCD（bipolar-CMOS-DMOS）工藝，采用 0.16μm的曝光技術。利用該工藝，可在一枚芯片上集成絕緣層完全分離的高密度邏輯電路（1.8V和3.3V的CMOS）、最大耐壓為300V的功率 MOSFET晶體管、低噪聲元件以及高電阻寄存器。能夠實現(xiàn)利用原來的體硅基板無法實現(xiàn)的ASIC。
驗證芯片由意法半導體與世界頂級醫(yī)療器械廠商合作開發(fā)。是一款用于超聲波掃描儀的芯片。此次的芯片可進行100溝道以上的處理，利用該芯片，能夠實現(xiàn)擁有數(shù)千溝道的新一代超聲波掃描儀。另外，利用現(xiàn)有的普通技術，一枚芯片只能進行8溝道左右的處理。
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