分布式源場極板結構射頻LDMOS器件的設計
電子市場
摘要： 為了減小射頻LDMOS器件中場極板寄生電容，提出一種具有分布式源場極板結構的射頻LDMOS器件，給出了器件結構及工藝流程。借助微波EDA軟件AWR對場極板進行了三維電磁仿真優化設計。仿真及測試結果表明!所設計的分布式源場極板結構在不影響器件擊穿電壓的條件下，能有效減小LDMOS器件寄生電容!提升器件增益#效率及線性度等射頻性能。
Abstract：
Key words :
0.引言
由于具有高功率增益#高效率及低成本等優點，射頻LDMOS（lateral diffused metal oxide semicONductor traNSiSTor）器件被廣泛應用于移動通信基站、雷達、導航等領域。為了提高LDMOS擊穿電壓!增大輸出功率，采用了各種各樣的改進結構，如SUPER-JUNCTION、漂移區變摻雜、RESURF和表面形成G降場層技術等，其中最為常用且簡單有效的工藝方法就是在漂移區上部使用金屬場極板。場極板電容作為LDMOS器件寄生電容的主要組成部分,是決定器件功率增益及截止頻率的一個重要因素。
為了解決常規金屬場極板結構LDMOS（CFP-LDMOS）器件寄生電容大的缺點!本文提出分布式金屬源場極板結構LDMOS器件(DFP-LDMOS)分布式源場極板結構在工藝上易于實現,并在不影響器件擊穿電壓的前提下,能有效減小器件寄生電容,提升器件射頻性能。
1.器件結構及工藝流程
圖1所示為射頻LDMOS器件剖面圖，本文所設計的DFP-LLDMOS器件以傳統LDMOS器件結構為基本框架，并應用了分布式金屬源場極板技術。
圖1 射頻LDMOS器件剖面圖
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