成立于1985年的ANADIGICS公司在高性能射頻集成電路（RFIC）設計領域擁有自己的“獨門絕技”，這就是可提供基于砷化鎵（GaAs）工藝技術的高線性高效率射頻放大器。日前，該公司又推出采用其第三代低功耗高效率 (HELP) 技術的全新功率放大器 (PA) 系列產品。新的HELP3DC  AWT663x系列功率放大器是專門針對CDMA、WCDMA/HSPA和LTE設備中包含開關模式電源 (SMPS) 、DC/DC轉換器或包絡跟蹤IC進行優(yōu)化，以便對功率放大器的工作電壓進行控制。

　　ANADIGICS無線射頻產品事業(yè)部及營銷總監(jiān)Mahendra Singh告訴本刊記者，隨著我們推出針對無線設備中包括DC/DC轉換器在內的射頻功率管理設備而進行優(yōu)化的全新HELP3DC系列，ANADIGICS正在不斷提高無線功率放大器的性能水平。該系列是業(yè)內領先且廣受好評的HELP產品家族的新成員，其為射頻設計者延長電池使用時間提供了更多選擇，可使移動設備用戶體驗到移動寬帶3G和4G服務的所有潛在功能。

　　Mahendra Singh介紹說，SMPS和DC/DC轉換器可使手機設計者降低功率放大器的工作電壓，從而在所選條件下降低平均電流消耗。ANADIGICS的HELP3DC功率放大器針對固定電源高低射頻功率級別設置了兩種功率模式，以實現更高效率。這些功率放大器還可提供超低靜態(tài)電流。HELP3DC系列功率放大器與外置DC/DC轉換器的結合使用為設計者帶來更多選擇，即在高低功率模式下均可降低電池電流消耗。包絡跟蹤設計可對功率放大器工作電壓進行調節(jié)，使其滿足輸入射頻信號的要求。在包絡跟蹤設計中，HELP3DC功率放大器可實現業(yè)界一流的性能和效率。

　　Mahendra Singh說，ANADIGICS HELP3DC的主要優(yōu)勢還體現在，兩種工作模式就可支持全功率射頻高效率輸出，單一控制信號。針對改變功率放大器工作電壓的射頻設計進行優(yōu)化，從而降低電流消耗。它的低靜態(tài)電流在3.4 V下低于8 mA，并且在3.4 V下具有同類最佳線性度 (ACLR1) 。與LTE兼容、與WCDMA、HSPA及HSPA+和CDMA/EVDO兼容，控制邏輯為1.8 V。ANADIGICS HELP3DC還集成了射頻耦合器、電壓調節(jié)和射頻端口上的集成隔直電容，封裝尺寸為3 mm × 3 mm × 1 mm 。

　　Mahendra Singh表示，ANADIGICS目前重點在做與MMMB（多模多頻）相關的產品開發(fā)，這也是未來高功率放大器發(fā)展的趨勢。同時保持與高通公司更加緊密的合作，開發(fā)一些適合于高通參考設計方面的產品。ANADIGICS管理層希望該公司能成為市場的領導者，提到WCDMA、3G時，大家馬上就能想到ANADIGICS產品是做的最好的。

　　Mahendra Singh認為，現在很多公司都在做CMOS PA，有些也比較成功。但是跟砷化鎵來比，性能上還是不如砷化鎵，比如說效率還是沒有砷化鎵高。另外，CMOS目前來看也沒有砷化鎵穩(wěn)定性高，主要體現在生產的良率不夠高。當然CMOS也有它的優(yōu)勢，比如成本比較低、體積小。另外產量相比砷化鎵更大。對ANADIGICS來說，也有CMOS的產品，例如，PA里面有多級放大，前級、中級、后級。我們打算前級（推動級）上用CMOS來做，后級還是用砷化鎵，這樣可以保證低成本的優(yōu)勢，同時后級還可以提高輸出效率、穩(wěn)定性等指標。所以，未來CMOS和砷化鎵會共存，一些低端的應用，對成本要求比較高的可能會采用CMOS來做。對一些高端應用，對性能要求比較高，還是會使用砷化鎵工藝技術。（叢秋波）