8月初,爾必達(dá)曾宣布采用25nm工藝制造的2Gbit內(nèi)存顆粒正式開(kāi)始出貨。近日該公司正式發(fā)表公告稱，采用25nm新工藝制造的4Gbit DDR3 SDRAM顆粒研發(fā)完成，芯片面積在同類產(chǎn)品(4GbitDRAM顆粒）中屬世界最小。
新的內(nèi)存顆粒型號(hào)為EDJ4104BCBG／EDJ4108BCBG，位寬分別為4bit/8bit，爾必達(dá)稱相比自家之前的30nm制程4GbitDDR3內(nèi)存顆粒，1枚晶圓可切割出的芯片數(shù)量增加了45%，極大降低了生產(chǎn)成本。同時(shí)運(yùn)行、待機(jī)時(shí)的電流值分別降低了25-30%和30-50%，最高傳輸速度可達(dá)1866Mbps以上（即此顆粒制成的內(nèi)存頻率最高1866MHz），默認(rèn)電壓為1.5V，同時(shí)有低電壓1.35V的版本。
爾必達(dá)表示新的內(nèi)存顆粒將在今年12月份開(kāi)始試產(chǎn)，預(yù)計(jì)也將在同月開(kāi)始量產(chǎn)并批量出貨。
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