GLOBALFOUNDRIES今天介紹了一種創(chuàng)新技術(shù)，該技術(shù)可以克服推進(jìn)高 k金屬柵（HKMG）晶體管的一個主要障礙，從而將該行業(yè)向具有更強計算能力和大大延長的電池使用壽命的下一代移動設(shè)備推進(jìn)了一步。?

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眾所周知，半導(dǎo)體行業(yè)一直致力于克服似乎難以逾越的困難，以延續(xù)更小、更快、更節(jié)能的產(chǎn)品趨勢。研究是通過GLOBALFOUNDRIES參與IBM技術(shù)聯(lián)盟來與IBM合作的形式進(jìn)行的，旨在繼續(xù)將半導(dǎo)體元件的尺寸縮小到22納米節(jié)點及更小尺寸。?

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在2009年于日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會上，GLOBALFOUNDRIES首次展示了可使高k金屬柵（HKMG）晶體管的等效氧化層厚度（EOT）縮小到遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于22納米節(jié)點所需水平，同時保持了低漏電、低閾值電壓和優(yōu)越的載流子遷移率等優(yōu)點的技術(shù)。?

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GLOBALFOUNDRIES技術(shù)與研發(fā)高級副總裁Gregg Bartlett說：“HKMG是GLOBALFOUNDRIES技術(shù)路線圖的關(guān)鍵組成部分。這種進(jìn)展可能最終為客戶提供另一種提高其產(chǎn)品性能的工具，尤其是在快速增長的具有長電池壽命的超便攜筆記本電腦和智能手機(jī)市場。通過與IBM及聯(lián)盟伙伴的合作，我們利用我們的全球知識庫開發(fā)先進(jìn)的技術(shù)，幫助我們的客戶處于半導(dǎo)體制造的前沿。”?

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為了保持HKMG晶體管的開關(guān)精度，必須減少高k氧化層的等效氧化層厚度。然而，減少EOT會增加泄漏電流，從而增加微芯片的功耗。GLOBALFOUNDRIES和IBM已經(jīng)開發(fā)出一種可克服這一障礙的新技術(shù)，首次展示了將EOT縮小到遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于22納米節(jié)點，同時保持所需的漏電流、閾值電壓和載流子遷移率是可以實現(xiàn)的。通過使用0.55nm的EOT制造n-MOSFET器件和0.7nm的EOT制造p-MOSFET期間，結(jié)果得到了成功的展示。?

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關(guān)于GLOBALFOUNDRIES?

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GLOBALFOUNDRIES公司是世界第一家真正的全球性尖端半導(dǎo)體制造企業(yè)。GLOBALFOUNDRIE公司由AMD(紐約證券交易所：AMD)和先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)于2009年3月合作成立，公司提供尖端技術(shù)、卓越制造和全球經(jīng)營的獨特結(jié)合。GLOBALFOUNDRIES公司總部設(shè)在硅谷，并在奧斯汀、德累斯頓和紐約設(shè)廠。?

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欲了解更多關(guān)于GLOBALFOUNDRIES公司的信息，請訪問www.globalfoundries.com。?

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警告聲明?

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本新聞稿涉及依據(jù)《美國1995年私有證券改革法案》“安全港”規(guī)定做所的前瞻性陳述，包括但不限于公司當(dāng)前預(yù)期、假設(shè)、評估、期望、目標(biāo)、計劃、希望、信念、意圖及未來策略等的相關(guān)陳述。因此這些前瞻性陳述存在風(fēng)險和不確定性，可能導(dǎo)致實際結(jié)果與陳述產(chǎn)生極大不同。造成這些風(fēng)險和不確定性的部分因素包括美國和全球的經(jīng)濟(jì)狀況；開發(fā)新客戶的困難；半導(dǎo)體/晶片制造業(yè)整體的供需前景；潛在客戶群的獲取策略；競爭者行為；公司技術(shù)聯(lián)盟成敗；額外制造設(shè)施的建設(shè)情況及相關(guān)的政府流程；部件和設(shè)備的供應(yīng)情況；各制造設(shè)施的勞工和雇傭問題；技術(shù)及工藝逐步發(fā)展；及不可預(yù)見事項。公司沒有義務(wù)依據(jù)新的信息或事件對本新聞稿中的前瞻性陳述做任何更新。?

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