盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司，今天推出最新的半導(dǎo)體制造設(shè)備——無(wú)應(yīng)力拋光集成設(shè)備（the Ultra iSFP）。該設(shè)備能夠?qū)?5nm及以下的銅互聯(lián)結(jié)構(gòu)進(jìn)行無(wú)應(yīng)力、無(wú)損傷拋光。該設(shè)備整合了無(wú)應(yīng)力拋光技術(shù)（SFP）、熱氣相蝕刻技術(shù) （TFE）以及低下壓力化學(xué)機(jī)械平坦化技術(shù)（ULDCMP），利用其各自獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)，確保在整個(gè)拋光過(guò)程中對(duì)銅互連結(jié)構(gòu)無(wú)任何損傷。
　　
　　使用無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備制造以二氧化硅（SiO2）為基體的空氣穴互連結(jié)構(gòu)有諸多優(yōu)點(diǎn)。其工藝簡(jiǎn)單，可以使用傳統(tǒng)的二氧化硅介電質(zhì)及大馬士革工藝，因此不需要開(kāi)發(fā)新材料和新工藝。該工藝對(duì)于窄的銅線和極小的互聯(lián)結(jié)構(gòu)沒(méi)有任何損傷，具有自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)功能，不需要硬光掩膜，并只在小線距區(qū)域選擇性的形成空氣穴，而不在大線距區(qū)域形成空氣穴，這樣既能在小線距區(qū)域提供低于2.2的有效超低k特性，又能給互連結(jié)構(gòu)提供出色的機(jī)械強(qiáng)度及良好的散熱特性，以此抵擋封裝時(shí)帶來(lái)的機(jī)械壓力，并解決器件運(yùn)行時(shí)的發(fā)熱問(wèn)題。
　　
　　“無(wú)應(yīng)力拋光的優(yōu)點(diǎn)是顯著的，”盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司創(chuàng)始人，執(zhí)行總裁王暉稱，“通過(guò)一臺(tái)將無(wú)應(yīng)力拋光工藝（SFP），熱氣相蝕刻工藝 （TFE），以及低下壓力化學(xué)機(jī)械平坦化工藝（ULDCMP）整合在一體的拋光設(shè)備，我們能夠成功解決小尺寸（< 0.2微米）銅/低k介質(zhì)互聯(lián)結(jié)構(gòu)拋光的難題，使制造二氧化硅（SiO2）為基體的空氣穴互聯(lián)結(jié)構(gòu)成為可能。”
　　
　　在無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備中，銅互聯(lián)結(jié)構(gòu)晶圓先通過(guò)低下壓力化學(xué)機(jī)械平坦化工藝拋光，利用終點(diǎn)檢測(cè)儀確保150nm左右的銅膜厚度，以保證下層介電質(zhì)的結(jié)構(gòu)不受到損傷；此后晶圓先送入刷洗腔去除大顆粒；再進(jìn)入空間相位交變兆聲清洗腔去除小顆粒和氧化物；接著采用非接觸式銅膜厚度測(cè)量?jī)x，測(cè)出剩余銅膜的厚度；此時(shí)晶圓移入無(wú)應(yīng)力拋光腔，根據(jù)先前測(cè)量的剩余膜厚值，精確的選擇性的去除凹槽外的銅直至阻擋層，緊接著在邊緣清洗腔內(nèi)進(jìn)行邊緣清洗；清洗后的晶圓經(jīng)過(guò)預(yù)熱后進(jìn)入熱氣相蝕刻工藝腔內(nèi)對(duì)阻擋層進(jìn)行蝕刻；最后通過(guò)設(shè)備前端模塊傳輸回硅片盒。
　　
　　電化學(xué)無(wú)應(yīng)力拋光原理是被客戶驗(yàn)證過(guò)的有效技術(shù)，其能確保拋光過(guò)程中對(duì)銅和介電質(zhì)材料結(jié)構(gòu)無(wú)任何損傷。基于智能拋光系統(tǒng)，該系統(tǒng)整合了晶圓運(yùn)動(dòng)控制、智能拋光電源和拋光液供應(yīng)系統(tǒng)，因?yàn)橹挥袙伖庖号c銅互聯(lián)結(jié)構(gòu)表面接觸，無(wú)應(yīng)力拋光工藝能夠控制全局銅膜膜厚和凹陷，不產(chǎn)生侵蝕以及介質(zhì)層與阻擋層也不會(huì)產(chǎn)生形變。最終消除由機(jī)械應(yīng)力對(duì)銅/超低k介質(zhì)產(chǎn)生的損傷，有效解決銅/超低k介質(zhì)互聯(lián)的整合問(wèn)題。
　　
　　“無(wú)應(yīng)力拋光技術(shù)的問(wèn)世代表著銅/超低k介質(zhì)互聯(lián)的整合工藝取得了重大突破，特別是在以二氧化硅（SiO2）為基體的空氣穴互聯(lián)結(jié)構(gòu)的應(yīng)用解決了三維封裝TSV遇到的發(fā)熱難題。”王暉補(bǔ)充道。