全球領(lǐng)先的高級半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）復(fù)合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個碳化硅二極管和多個功率晶體管，組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電（如空調(diào)）、PC服務(wù)器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。
　　
　　最近，為了應(yīng)對環(huán)保問題，降低電氣設(shè)備功耗，提高電氣產(chǎn)品效率的需求不斷提高。特別是提高電源轉(zhuǎn)換效率，以降低空調(diào)、通信基站、PC服務(wù)器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等產(chǎn)品的電源轉(zhuǎn)換電路的功耗，以及電機和工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用的逆變電路的功耗的趨勢日漸增強。這刺激了對具備更高效率和更低損耗特性的功率器件的巨大需求。為此，瑞薩電子推出了低損耗碳化硅肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）產(chǎn)品。緊隨其后推出的是全新碳化硅復(fù)合功率器件系列，這可通過結(jié)合SiC-SBD和大功率MOSFET或IGBT在單一封裝中實現(xiàn)電路（開關(guān)、電源轉(zhuǎn)換等）設(shè)計。
　　
　　這些新產(chǎn)品的額定峰值電壓為600 V，并使用基于日立株式會社與瑞薩電子聯(lián)手開發(fā)的低漏電流SiC-SBD技術(shù)的碳化硅二極管。它們將低損耗與緊湊設(shè)計加以完美結(jié)合，并采用5針TO-3P封裝，而引腳分配則針對具體應(yīng)用進行了優(yōu)化，因而很容易在配置電路單元時使用這些器件。
　　
　　三款全新SiC功率器件的主要特性：
　　•(1) 面向臨界導(dǎo)通模式PFC應(yīng)用的RJQ6020DPM器件
　　RJQ6020DPM器件在單一封裝中融合了一個SiC-SBD和兩個高壓功率MOSFET，適用于空調(diào)或平板電視電源開關(guān)電路等臨界導(dǎo)通模式PFC應(yīng)用。
　　SiC-SBD的反向恢復(fù)時間（trr）僅為15納秒（ns），高壓功率MOSFET是采用深溝槽配置實現(xiàn)100 mΩ低導(dǎo)通電阻的高效超結(jié)（SJ-MOS）晶體管。
　　全新RJQ6020DPM器件也可與瑞薩電子提供的R2A20112A/132臨界導(dǎo)通模式PFC-IC結(jié)合應(yīng)用，因而很容易實現(xiàn)交錯控制。
　　
　　•(2) 面向連續(xù)導(dǎo)通模式PFC應(yīng)用的RJQ6021DPM器件
　　RJQ6021DPM器件在單一封裝中結(jié)合了一個SiC-SBD和兩個IGBT，適用于通信設(shè)備和PC服務(wù)器中的AC/DC整流器等PFC應(yīng)用。
　　SiC-SBD的反向恢復(fù)時間（trr）僅15納秒（ns），超薄晶圓IGBT可提供1.5 V的低導(dǎo)通電壓，這適用于連續(xù)導(dǎo)通模式PFC應(yīng)用。
　　全新RJQ6021DPM器件也可于瑞薩電子推出的R2A20114A連續(xù)導(dǎo)通模式PFC-IC結(jié)合應(yīng)用，因而很容易實現(xiàn)交錯控制。
　　
　　•(3) 面向半橋式逆變電路的RJQ6022DPM器件
　　RJQ6022DPM器件在單一封裝中結(jié)合了兩個SiC-SBD和兩個IGBT，適用于空調(diào)和工業(yè)機械中電機驅(qū)動半橋式逆變電路應(yīng)用。
　　SiC-SBD的反向恢復(fù)時間（trr）僅15納秒（ns），超薄晶圓IGBT可提供1.5 V的低導(dǎo)通電壓和6微秒（μsec.）的短路時間（tsc），這適用于電機驅(qū)動應(yīng)用。
　　一個RJQ6022DPM器件足以實現(xiàn)一個半橋式電路設(shè)計，而兩個則可以用于實現(xiàn)全橋配置，三個可用于實現(xiàn)三相橋電路設(shè)計。除簡化電機驅(qū)動電路的設(shè)計外，RJQ6022DPM器件將作為套件解決方案的一部分，與RX600系列等瑞薩微控制器一起提供。
　　聚焦全新系列的高壓碳化硅復(fù)合功率器件，其開發(fā)是為了帶給客戶由微控制器及模擬和功率器件組成的整體解決方案，同時讓瑞薩電子躋身全球功率器件領(lǐng)袖行列。瑞薩電子計劃推出將全新碳化硅復(fù)合功率器件與微控制器、電源控制IC及其他器件相結(jié)合的套件解決方案。目前正在規(guī)劃裝有全新碳化硅復(fù)合功率器件、PFC-IC、RX600系列微控制器等的參考板，幫助客戶進行套件評估和產(chǎn)品設(shè)計。
　　
定價與供貨
　　瑞薩電子全新碳化硅復(fù)合功率器件的樣品計劃于2012年2月上市，單價為10美元。瑞薩計劃在2012年5月開始批量生產(chǎn)，預(yù)計在2013年4月的月總產(chǎn)量達到30萬件。（定價和供貨信息若有變更，恕不另行通知。）
　　（備注）所有注冊商標或商標均為其各自所有者的財產(chǎn)。
　　
【附件】
　　碳化硅復(fù)合功率器件的產(chǎn)品規(guī)格
　　[常用規(guī)格]
　　•額定通道溫度（Tch）：+150℃
　　封裝：5針TO-3PFM
　　[RJQ6020DPM器件的規(guī)格（面向臨界導(dǎo)通模式PFC應(yīng)用）]
　　•組成元件（高邊/低邊）：SiC-SBD/高性能SJ-MOSFET
　　•反向峰值電壓（VR）：600 V
　　•SiC-SBD額定電流：20 A
　　•SiC-SBD正向電壓（VT）：1.5 V（IF = 10 A）
　　•SJ-MOSFET額定電流：20 A
　　•SJ-MOSFET導(dǎo)通電阻（Ron）0.1 Ω（VG = 10 V，ID = 10 A）
　　•SJ-MOSFET反向恢復(fù)時間（trr）：120 ns（ID = 10 A）
　　[RJQ6021DPM器件的規(guī)格（面向連續(xù)導(dǎo)通模式PFC應(yīng)用）]
　　•組成元件（高邊/低邊）：SiC-SBD/超薄晶圓IGBT
　　•反向峰值電壓（VR）：600 V
　　•SiC-SBD額定電流：20 A
　　•SiC-SBD正向電壓（VT）：1.5 V（IF = 10 A）
　　•IGBT額定電流：20 A
　　•IGBT導(dǎo)通電壓（Vsat）：1.5 V（VG = 15 V，IC = 20 A）
　　•IGBT關(guān)斷時間（tf）：60 ns（VCE = 400 V，IC = 20 A）
　　[RJQ6022DPM器件的規(guī)格（面向半橋式逆變電路）]
　　•組成元件（高邊/低邊）：超薄晶圓IGBT/SiC-SBD /超薄晶圓IGBT/SiC-SBD
　　•反向峰值電壓（VR）：600 V
　　•SiC-SBD額定電流：20 A
　　•SiC-SBD正向電壓（VT）：1.5 V（IF = 10 A）
　　•IGBT額定電流：20 A
　　•IGBT導(dǎo)通電壓（Vsat）：1.4 V（VG = 15 V，IC = 20 A）
　　•IGBT關(guān)斷時間（tf）：70 ns（VCE = 400 V，IC = 20 A）
　　•短路時間（tsc）：6.0微秒 標準（Vcc = 360 V，VGE = 15 V）