《電子技術應用》
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保護PoE系統不受閃電浪涌和其它電氣傷害
摘要: 越來越多PoE的使用延伸了以太網可以使用的范圍,從室內擴展到了校園,或者第一英里或最后一英里的電話應用。這些應用增加了遭受閃電所致浪涌、ESD以及電源故障的風險。正確設計可保護PoE設備,消除這些風險。
Abstract:
Key words :

要點 

1.較高PoE(以太網供電)功率水平可以滿足室外設備的使用,這增加了遭受閃電電擊和其它電氣傷害的風險。

2.在設備中加一種串聯限流器件,這樣在閃電浪涌事件后,設備還可以恢復工作。

3.雙向浪涌保護器件、TVS(瞬態電壓抑制)二極管、熔絲與PTC(正溫度系數)器件可有助于確保消除風險,可靠地工作。

PoE(以太網供電)已經快速地普及開來,因為它消除了獨立電源以及設備連接電源線的要求,并且不需要將設備布置在有電源插座的地方。最近,PoE PSE(電源設備)可以提供的功率值也有提升,從PoE的15.4W增加到PoE+的30W。這些增長促進了潛在應用數量的增加。以太網現在能為VoIP電話提供足夠的能量,能延伸無線接入點的距離,能用于監控攝像頭的搖攝功能。

PoE基礎 

在PoE中,PSE將電能送入電纜,送入方式可以是一個開關,也叫末端接入(end span),或不在電纜端點時,用中端接入(midspan)。PD(受電設備)是電纜上消耗電能的設備。

 

IEEE 802.af PoE標準將PD功耗限制在12.95W或360mA,在考慮每端口的電纜損耗后,這對應15.4W(或400mA)的PSE輸出極限。這個標準考慮了最長100m的最大回路的線損耗,因此允許PSE最高為57Vdc。標稱電平為48Vdc。

 

PoE+標準(IEEE 802.at)則允許PSE提供高達30W功率,其中Type 2設備的PD可以接受高達25.5W;而PoE+ Type 1則與PoE相同。PSE提供最大600mA電流。PoE+還要求使用5e類或6類線,其每個回路對的阻抗小于或等于12.5Ω,而PoE的這個值是20Ω。

 

很多公司都正在努力提升這個最大功耗極限。現在已有可提供每端60W的PSE,有一家供應商采用了一種專利的工藝,稱所售中端接入PSE可以提供每端95W。但這個數字可能已接近于5類電纜的物理界限,這意味著,要獲得更高的功率,設計者就必須圍繞這一界限尋找一種方式。一個簡單方法是增加成捆電纜的距離,從而改善散熱。超極限的功率使用要求電纜有更高規格的導體。這些較高的電壓既不符合IEEE 802.3af,也不符合IEEE 802.3at。

 

對PSE來說,關鍵是能為PD提供能量,而不會造成損壞。為了確定所需要的功率水平,在通電時,

PSE與PD之間要有一個來回往返的信令握手過程,其中包含來自PSE的電壓脈沖,用于決定所連接PD的阻抗特征。這個發現過程將系統設定為五大類中的一種(表1)。表2給出了PoE+的PoE-PD分類。

圖1,在10或100BaseTX系統中的“空余”數據對,或在1000BaseT系統的4、5對和7、8對上加PoE Mode B電源。PoE使用幻像供電技術,這樣在一個線對的各導線間有0V的電勢差;兩個導線對之間的電源電壓是不同的。
圖1,在10或100BaseTX系統中的“空余”數據對,或在1000BaseT系統的4、5對和7、8對上加PoE Mode B電源。PoE使用幻像供電技術,這樣在一個線對的各導線間有0V的電

勢差;兩個導線對之間的電源電壓是不同的。

 

 

PoE+的PoE-PD分類
PoE+的PoE-PD分類

PoE模式 

PSE能夠以兩種方式中的一種,通過以太網電纜提供電源。在ModeB下,PSE通過10BaseT或100BaseTX系統中的4、5和7、8“空余”數據對供電,因為RJ-45只用1、2、3和6線傳輸數據。因此,RJ-45中的4、5和7、8線都可以用于供電(圖1)。注意,PoE采用了一種“幻像”供電技術,一個線對的導線間電勢差為0Vdc。電源電壓是導線對的兩個中心抽頭連接之間的壓差。

在1000BaseT應用中,不存在空余線對;因此,必須用兩個有效數據線對(Mode A或Mode B)提供電源。Mode A將DC電壓與信號分別通過1、2和3、6線對傳輸(圖2)。數據線對1、2和數據線對3、6上都跨接一個有中心抽頭的隔離變壓器。這兩個中心抽頭提供DC電源,而任何線對之間的電壓保持為0Vdc。這種幻象電源技術同時用于Mode A和Mode B,有助于防止用戶操作單個線對時,產生意外電擊危險。

圖3,對10和100BaseT應用的閃電保護采用了箝位器件的組合。閃電引發的浪涌激活在次級的TVS1,提供了一個箝位功能,使有害浪涌遠離敏感的以太網電路。然后,三級器件TVS2對變壓器的線路驅動端提供了另一層的保護。電源故障事件(特性為長期的50Hz~60Hz波形)激活熔絲F1~F4。1000BaseT系統對其它兩個數據信號采用了相同的保護機制。
圖3,對10和100BaseT應用的閃電保護采用了箝位器件的組合。閃電引發的浪涌激活在次級的TVS1,提供了一個箝位功能,使有害浪涌遠離敏感的以太網電路。然后,三級器件TVS2對變壓器的線路驅動端提供了另一層的保護。電源故障事件(特性為長期的50Hz~60Hz波形)激活熔絲F1~F4。1000BaseT系統對其它兩個數據信號采用了相同的保護機制。

Mode A和Mode B都可以用于任何以太網應用,包括10、100和1000BaseT。PSE不能同時在Mode A和Mode B下提供電源,但PD必須同時兼容Mode A和Mode B供電技術,因為無法預先判斷PD將連接哪種PSE模式。

保護設備的細節以及連接方式取決于供電模式,以及以太網系統的數據速率。PSE和PD都必須能在閃電浪涌后繼續運行,并且能安全地處理由UL 60950-1或EN 60950-1定義的電源故障事件,不過這些標準并不要求設備在這種測試后繼續運行。

 

為滿足這一要求,必須裝上一個串聯限流器件,如熔絲,它在閃電浪涌測試時不會開路,而當遇到長期交流電源故障情況時則開路;也可以用一只PTC器件,在閃電浪涌測試后仍能工作。PTC器件可以在電源故障后自恢復,但不兼容100和1000BaseT以太網系統,原因是它們的關斷電阻與遲滯恢復特性。PTC在多次工作后,將不會保持完美的匹配。

 

閃電防護對閃電保護的選擇取決于應用的預期暴露情況。對于室內不嚴苛的應用,可以在RJ-45接頭與以太網PHY芯片組之間,在次級位置和三級位置使用TVS二極管陣列(圖3)。閃電所致浪涌事件會在納秒時間內激活TVS1,從而提供一個箝位功能,使有害浪涌遠離敏感的以太線路驅動電路。TVS2用于箝位在變壓器上耦合的殘余浪涌。如果要用更強大的方案,可以為每個線對使用一個TVS二極管陣列;否則,用一個TVS陣列就可以保護兩個線對,如TVS2那樣。電源故障事件(包括長期的50Hz與60Hz波形)可以在TVS器件提供了一個電流路徑后,激活1.25A熔絲F1~F4。

PD保護 

因為無法知曉在以太網裝設時,某個PSE會使用Mode A還是Mode B,因此必須為PD端的所有線對提供57V~90V的保護,并且所有都加強到100V以上。浪涌保護器件的觸發電壓應高于電纜上可能出現的任何穩態電壓。PoE電壓可以達到57V,因此器件在低于此電壓時不得觸發。

 

這種方案還能防止在電源分類測試或阻性電源恢復測試期間,浪涌保護器的導通。此外,有些電源系統提供48V,而有些提供-48V,因此保護器件不得有極性問題。這種情況下,設計人員通常會采用雙向可控硅的浪涌保護器件。只有當有效電流低于其維持電流參數時,固態短路器才會復位。這種結構不是問題,因為它會從PSE拉出超額電流,從而在過流負荷情況下將PSE臨時關斷,并且它能夠使可控硅浪涌保護器復位。

 

圖4給出了一個符合GR-1089的方案,用于室外環境的100和1000BaseT應用的過壓與過流事件,無論是源于閃電浪涌還是電源故障。兩個數據對引線中的熔絲提供了所需要的過流保護,它對閃電導致的第一級GR-1089事件過壓浪涌不敏感。雙向可控硅浪涌保護器(IC1~IC4)或SIDACtor(硅交流

二極管)器件提供了一個過壓短路器保護方案,滿足GR-1089、Issue 6、端口類型3和5的第一級與第二級閃電浪涌要求。

圖4,一種針對室內外環境10、100和1000BaseT應用中過壓與過流,并符合GR-1089的方案,同時解決了閃電浪涌和電源故障事件。對于10和100BaseT,只有兩個數據線對需要這種保護。
圖4,一種針對室內外環境10、100和1000BaseT應用中過壓與過流,并符合GR-1089的方案,同時解決了閃電浪涌和電源故障事件。對于10和100BaseT,只有兩個數據線對需要這種保護。

 

兩根用于IC1~IC4的偏置線連接到任何可用的電壓軌,這些電壓軌小于保護器件的導通閾值電壓,用于穩定它們的關斷態電容,有助于保持信號的完整性。對于一個48V的PoE,雙向可控硅浪涌保護器件可以有58V的最小閾值電壓。對于具有高于57V PoE電壓,不滿足IEEE 802.3的系統,就需要有更高的最小閾值保護器件。

第三種方案(或叫芯片端方案)是一個TVS二極管電壓軌箝位陣列TVS3,它為耦合變壓器后面提供了額外的保護。可以采用Smith在一項美國專利中描述的Bob Smith終結法。Bob Smith終結是一種在多對導體系統上(各對之間以一種一致的方式相互關聯)減小縱向或共模電流的方法。如果采用這種方法,則應對各個終結做容性隔離,這樣它們就不會成為PoE電源的負載。這種金屬/差分和縱

向/共模的聯合保護方案要求在發射和接收線對的兩端都有一個熔絲。對于較低數據速率的以太網(如10BaseT)的無縱向模式方案可能只需要每對一只熔絲。對于100和1000BaseT系統,慎重的方法是在一個線對的兩端都置放一個完全相同的熔絲元件,以維持回路的平衡(圖4)。

如果一個10BaseT以太網系統,保護用可控硅器件的第3和第6腳未接地,而是保持開路,則允許采用單熔絲方案。出于對電纜放電事件的保護因素,IEEE 802.3并未嚴格允許耦合變壓器初級端的共模保護,所以可控硅浪涌保護器件通常不接地。因此,對于線路端的縱向/共模保護,大多數以太網方案取決于耦合變壓器的隔離額定值,而耦合變壓器次級端的三級位置可以連接到以太驅動器的基準地上。

 

TVS3是一個2.5V的TVS二極管陣列,它為耦合變壓器芯片端提供三級保護。這種方案滿足GR 1089-

Core,Issue 6對建筑內和建筑外PoE的浪涌與電源故障的要求。可以用一只0.3A的PTC器件代替熔絲,以滿足ITU K.20/21增強版和基本版的要求,它包括對10BaseT以太網的調整條款。不過,對于100和1000BaseT,要采用一對適當尺寸的精密(1%)電阻,強制做次級與初級保護器之間的協調。

 

圖5給出了數據對保護以及PD中心抽頭電源連接保護,它符合對PD系統的Mode A和Mode B PoE電源要求。PD Mode A和Mode B PoE均由一個二極管橋和一個1000W TVS器件保護。對于更嚴酷的浪涌環境,現在也有更強大的1500W和3000W方案,如管理標準ITU K.20 Enhanced或GR-1089 Port Type 5所描述的。

圖5,一個PoE系統保護實例同時包括了數據對保護與PD電源連接保護。對PD端電源部分的TVS保護同時滿足Mode A和Mode B PoE電源。現有額定400W、600W、1500W和3000W用于這種類型電路的典型TVS器件。熔絲F1~F4提供符合GR-1089、Issue 6以及UL60950-1的過流保護。
圖5,一個PoE系統保護實例同時包括了數據對保護與PD電源連接保護。對PD端電源部分的TVS保護同時滿足Mode A和Mode B PoE

電源。現有額定400W、600W、1500W和3000W用于這種類型電路的典型TVS器件。熔絲F1~F4提供符合GR-1089、Issue 6以及UL60950-1的過流保護。

隨著電源PoE系統的增多,開發商正在將以太設備安裝到越來越危險的區域,那里會有閃電導致的過壓,以及50Hz~60Hz的電力線故障。審慎地使用雙向浪涌保護器件、TVS二極管、熔絲以及PTC器件,就可以確保在這些危險下的可靠運行。

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