日前， 針對(duì)高性能通信、消費(fèi)、云和工業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)，IDT公司推出了CrystalFree壓電MEMS(pMEMS)低壓差分信號(hào)(LVDS)和低電壓正發(fā)射極耦合邏輯(LVPECL)振蕩器，該新型振蕩器可在緊湊業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝中以遠(yuǎn)低于1皮秒的相位抖動(dòng)運(yùn)行。IDT公司總經(jīng)理Harmeet Bhugra稱，CrystalFree pMEMS 振蕩器將會(huì)成為傳統(tǒng)六管腳晶體振蕩器(XO)的理想替代品。

Harmeet Bhugra介紹說，4M系列是IDT廣泛 MEMS-based 器件組合的首款產(chǎn)品，4M系列高性能LVDS/LVPECL振蕩器利用IDT專利的CrystalFree pMEMS諧振器技術(shù)，將壓電材料的強(qiáng)機(jī)電耦合與單晶硅的穩(wěn)定性和低阻尼相結(jié)合。pMEMS技術(shù)的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在，具有目前業(yè)界最小的WLP諧振器(可靠性高、成本低)，無需電源(無源，酷似石英)，頻率高達(dá)1GHz，插入損耗低(IL~10dB)，噪聲性能高。并可可靠地生產(chǎn)(無~100nm電極間距要求)，沒有靜電問題(引起失效)等功能。

4M系列高性能LVDS/LVPECL振蕩器在出廠時(shí)可根據(jù)需求編程所需的輸出頻率，無需微調(diào)昂貴的晶體。此外，由于pMEMS的本征諧振頻率遠(yuǎn)高于石英晶體，4M振蕩器能夠以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高的頻率而無需損耗關(guān)鍵性能，為客戶提供更便利、精確和低抖動(dòng)的計(jì)時(shí)參考。

據(jù)了解，IDT的4M振蕩器可在-40?C~85?C的廣泛工業(yè)溫度范圍內(nèi)以±50ppm的頻率精度運(yùn)行。器件支持LVDS/LVPECL，頻率高達(dá)625MHz，可滿足大多數(shù)通信、網(wǎng)絡(luò)和高性能計(jì)算應(yīng)用的嚴(yán)格要求。除了7.0mm×5.0mm(7050)尺寸，IDT的pMEMS振蕩器還提供5.0mm×3.2mm(5032)小型標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝，經(jīng)過設(shè)計(jì)，還可與傳統(tǒng)的XO管腳兼容，使其成為理想的升級(jí)替代解決方案。

Harmeet Bhugra表示，IDT從2007年開始開發(fā)pMEMS技術(shù)，擁有超過40多項(xiàng)授權(quán)/申請(qǐng)專利，是目前12億美元硅時(shí)鐘市場(chǎng)排名第一的硅時(shí)鐘供應(yīng)商，并在40億美元硅頻率控制市場(chǎng)上能提供“一站式” 頻率控制產(chǎn)品。IDT認(rèn)為，MEMS振蕩器是未來的發(fā)展方向，有關(guān)數(shù)據(jù)顯示，MEMS時(shí)鐘收入將會(huì)從2010年的1350美元增長(zhǎng)至2015年的2.05億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率將會(huì)達(dá)到72.3%。MEMS時(shí)鐘已開始贏得石英和晶體振蕩器的市場(chǎng)份額，并將應(yīng)用市場(chǎng)從消費(fèi)器件擴(kuò)展到電信基礎(chǔ)設(shè)施、硬盤驅(qū)動(dòng)器、云和工業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)。