全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723）于今天宣布推出三種新型的低通態(tài)電阻[注釋1] MOSFET [注釋2] 產(chǎn)品，包括在網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器和存儲(chǔ)系統(tǒng)內(nèi)的電源裝置中作為ORing [注釋3] FET使用的 µPA2766T1A。

    新產(chǎn)品的30V電壓通態(tài)電阻為0.72mΩ（典型值），較瑞薩電子之前的產(chǎn)品降低了50%，達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平。此外，產(chǎn)品的高效性以及小型表面封裝包（8-針HVSON）等功能可使得在更小規(guī)格的封裝內(nèi)完成高電流控制，從而降低了功耗、實(shí)現(xiàn)了相對(duì)大型服務(wù)器存儲(chǔ)系統(tǒng)所用電源的微型化。

    對(duì)于任務(wù)關(guān)鍵系統(tǒng)，常見(jiàn)的功能是提供冗余功率輸出，即：通過(guò)帶有對(duì)服務(wù)器存儲(chǔ)系統(tǒng)保持高可靠性的多電源裝置的ORing FET來(lái)完成。這些ORing FET被連接到每個(gè)電源裝置的功率輸出線上。在正常運(yùn)行過(guò)程中，它們能夠保持接通狀態(tài)。但是，如果其中一個(gè)電源失效，相應(yīng)裝置的ORing FET將會(huì)切換到斷開(kāi)狀態(tài)，以確保將其與其他電源裝置隔離開(kāi)，并保證失效電源裝置不會(huì)中斷系統(tǒng)電源。

    在正常運(yùn)行過(guò)程中，功率輸出線路能夠處理幾十到幾百安培的強(qiáng)大電流。ORing FET必須擁有低通態(tài)電阻特性以防止增加傳導(dǎo)損耗或降低電源電壓。

    為了滿足這種需要，瑞薩電子在本公司新型低通態(tài)電阻工藝的基礎(chǔ)上，研發(fā)了一套（三件）MOSFET產(chǎn)品。新型µPA2764T1A、µPA2765T1A 和µPA2766T1A能夠滿足上述需要，能以更小的規(guī)格提供行業(yè)領(lǐng)先的電源裝置內(nèi)的低通態(tài)電阻。

新型低通態(tài)電阻功率MOSFET產(chǎn)品的主要特點(diǎn)

• (1) 業(yè)內(nèi)最低的通態(tài)電阻

新型的µPA2766T1A 可為5 mm× 6 mm 封裝內(nèi)的30V應(yīng)用程序提供0.72 mΩ的業(yè)內(nèi)最低通態(tài)電阻，通過(guò)降低智能領(lǐng)域關(guān)鍵應(yīng)用程序——網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器和存儲(chǔ)系統(tǒng)中所使用的電源裝置的傳導(dǎo)損耗，提高了系統(tǒng)的總體功率效率。此外，該項(xiàng)功能使我們能夠抑制隨大電流產(chǎn)生的較大壓降。而且，即使在電源裝置出現(xiàn)大幅度電流波動(dòng)的情況下，也能獲得高精度電源電壓。

• (2)帶小面積安裝和大電流控制支持功能的8針HVSON封裝

由于金屬板用于將封裝內(nèi)的FET模具連接到引腳上，所以8針HVSON 封裝可提供低封裝電阻。此項(xiàng)功能，加上FET模具的低通態(tài)電阻，使得即使在尺寸為5 mm× 6 mm的緊湊型封裝內(nèi)，也能實(shí)現(xiàn)對(duì)高達(dá)130 A(ID (DC))大電流的控制。此外，在多個(gè)ORing FET以并聯(lián)的形式連接到每個(gè)電源裝置上以供應(yīng)較大電流的情況下，產(chǎn)品的這一特征通過(guò)實(shí)現(xiàn)最少數(shù)量的并聯(lián)連接，還有助于縮小設(shè)備尺寸。

    這三種新型MOSFET產(chǎn)品，包括µPA2766T1A，擁有0.72 mΩ至1.05 mΩ（標(biāo)準(zhǔn)值）的通態(tài)電阻額定值。這一范圍可實(shí)現(xiàn)更好的產(chǎn)品選擇，從而能夠以最佳的狀態(tài)滿足用戶在運(yùn)行電流或環(huán)境條件方面的要求。而且，它還使得客戶能夠提供最佳產(chǎn)品，有助于提高功率效率、降低空間要求。

    瑞薩電子計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)產(chǎn)品線的拓展，繼續(xù)努力降低通態(tài)電阻、開(kāi)發(fā)更小規(guī)格的封裝，以滿足客戶不斷變化的需求。

• [注釋1] 通態(tài)電阻指功率MOSFETT運(yùn)行時(shí)的電阻。電阻值越低，說(shuō)明損耗越少（傳導(dǎo)損耗）。
• [注釋2] MOSFET為“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管”的縮寫(xiě)。MOSFET可根據(jù)其結(jié)構(gòu)歸類(lèi)為P通道或N通道。新型產(chǎn)品為N通道MOSFET。
• [注釋3] ORing指一種配置形式，在這種配置形式下，多個(gè)電源被提供給一個(gè)載荷，而且，可自動(dòng)實(shí)現(xiàn)在不同電源電壓之間的切換，或者，該載荷被分配給所有電源。此項(xiàng)功能是通過(guò)功率MOSFET和控制電路實(shí)現(xiàn)的。

    關(guān)于低通態(tài)電阻功率MOSFET產(chǎn)品的主要規(guī)格，請(qǐng)參見(jiàn)單獨(dú)的數(shù)據(jù)表。

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定價(jià)與供貨情況

    本公司目前可提供新型低通態(tài)電阻功率MOSFET產(chǎn)品的樣品。樣品的價(jià)格將會(huì)有所變動(dòng)。µPA2764T1A的樣品價(jià)格將為1.20美元/單位，µPA2765T1A為1.00美元/單位，µPA2766T1A為1.80美元/單位。我們計(jì)劃在2013年2月開(kāi)始新產(chǎn)品的批量生產(chǎn)，預(yù)計(jì)到2013年10月，三種產(chǎn)品的總體產(chǎn)量將會(huì)達(dá)到5,000,000個(gè)單位/月（定價(jià)和供貨情況如有變化，恕不另行通知）。

（備注）
    所有其他的注冊(cè)商標(biāo)或商標(biāo)均屬于其相應(yīng)所有者的財(cái)產(chǎn)。

    瑞薩電子宣布推出適用于功率效率更高、緊湊型服務(wù)器電源的低通態(tài)電阻功率MOSFET

新型低通態(tài)電阻功率MOSFET產(chǎn)品的規(guī)格