mosfet 相關(guān)文章(569篇)
-
英飛凌OptiMOS? 6產(chǎn)品組合新增TOLL、TOLG和TOLT封裝的150V MOSFET，助推汽車電氣化進(jìn)程
發(fā)表于：9/4/2025 4:43:05 PM
-
英飛凌推出具有超低導(dǎo)通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2
發(fā)表于：7/2/2025 9:56:19 AM
-
瑞薩電子悄然放緩未來十年增長預(yù)期
發(fā)表于：6/27/2025 1:27:57 PM
-
Vishay 新款具有領(lǐng)先導(dǎo)通電阻性能的80 V MOSFET可極大改善工業(yè)應(yīng)用的熱性能和可焊性
發(fā)表于：6/16/2025 10:05:40 PM
-
東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET
發(fā)表于：5/21/2025 11:08:00 PM
-
英飛凌攜手Enphase通過600 V CoolMOS? 8提升能效并降低 MOSFET相關(guān)成本
發(fā)表于：3/27/2025 3:14:46 PM
-
英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2
發(fā)表于：2/21/2025 4:05:00 PM
-
第 4 代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性
發(fā)表于：2/19/2025 10:35:00 PM
-
華碩侵犯力士科技MOSFET專利被判賠償1050萬美元
發(fā)表于：2/17/2025 11:08:36 AM
-
Vishay推出性能先進(jìn)的新款40 V MOSFET
發(fā)表于：12/31/2024 10:09:06 PM
-
CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
發(fā)表于：12/31/2024 5:40:11 PM
-
意法半導(dǎo)體推出采用強(qiáng)化版STripFET F8技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)閾壓40V MOSFET
發(fā)表于：12/16/2024 10:43:05 AM
-
英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET
發(fā)表于：11/26/2024 9:39:36 AM
-
強(qiáng)茂推出SGT MOSFET第一代系列：創(chuàng)新槽溝技術(shù)
發(fā)表于：11/22/2024 11:29:09 PM
-
Nexperia推出新款120 V/4 A半橋柵極驅(qū)動器，進(jìn)一步提高工業(yè)和汽車應(yīng)用的魯棒性和效率
發(fā)表于：11/21/2024 10:48:42 PM
-
Vishay 新款150 V MOSFET具備業(yè)界領(lǐng)先的功率損耗性能
發(fā)表于：11/21/2024 10:03:45 PM
-
東芝推出具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200 V SiC MOSFET
發(fā)表于：11/18/2024 12:05:04 AM
-
Nexperia與KOSTAL就先進(jìn)車規(guī)級寬禁帶器件達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
發(fā)表于：11/6/2024 11:53:14 PM
-
業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對稱瞬態(tài)抑制二極管系列
發(fā)表于：10/22/2024 12:05:00 PM
-
Nexperia現(xiàn)提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封裝的汽車級小信號MOSFET
發(fā)表于：9/12/2024 5:35:40 PM
-
我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)
發(fā)表于：9/3/2024 11:10:21 AM
-
Nexperia最新擴(kuò)充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設(shè)計(jì)靈活性
發(fā)表于：8/13/2024 7:12:54 AM
-
Magnachip推出用于智能手機(jī)的第8代短溝道MOSFET
發(fā)表于：8/1/2024 8:42:00 AM
-
PANJIT推出最新高效能60V/100V/150V車規(guī)級 MOSFET系列
發(fā)表于：6/13/2024 6:45:00 PM
-
Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝
發(fā)表于：5/30/2024 5:13:44 PM
-
Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平的小型頂側(cè)冷卻
發(fā)表于：5/13/2024 3:17:05 PM
-
意法半導(dǎo)體車規(guī)MDmesh DM9超結(jié)MOSFET提升硅片能效
發(fā)表于：4/17/2024 4:29:50 PM
-
英飛凌為汽車應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS? 7
發(fā)表于：4/16/2024 9:30:59 PM
-
Vishay的新款80 V對稱雙通道 MOSFET的RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平
發(fā)表于：3/25/2024 4:47:00 PM
-
英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET
發(fā)表于：3/21/2024 8:35:22 PM
Copyright ? 2005-2024 華北計(jì)算機(jī)系統(tǒng)工程研究所版權(quán)所有 京ICP備10017138號-2