IR推出采用PQFN封裝的20V、25V及30V MOSFET，適用于ORing和電機驅(qū)動應(yīng)用
2010-03-11
作者：IR
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。
這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅技術(shù)，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2mΩ，顯著降低了手工工具等直流電機驅(qū)動應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。
IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“憑借在基準MOSFET技術(shù)方面的豐富經(jīng)驗和不斷努力，IR推出了結(jié)合我們最新一代芯片與PQFN封裝技術(shù)的MOSFET系列，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on) ，繼續(xù)開創(chuàng)卓越性能的先河。此外，在未來幾個月，我們將按照產(chǎn)品路線圖推出寬泛組合的PQFN基準MOSFET產(chǎn)品，以滿足客戶的需求。”
25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF器件都是專為DC開關(guān)應(yīng)用設(shè)計的，例如需要高電流承載能力和高效率的有源ORing和直流電機驅(qū)動應(yīng)用。IRFH5250TRPbF具有極低的RDS(on)，最高只有1.15mΩ，且柵極電荷 (Qg) 僅為52nC。而 IRFH5300TRPbF的最高RDS(on) 只有1.4mΩ，Qg 達到了 50nC。
如果采用 IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF 和 IRFH53xxTRPbF 器件，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)卓越的熱性能，還可以根據(jù)給定的功率損耗要求，比現(xiàn)有解決方案使用更少的元件，節(jié)省電路板空間及成本。
所有這些新器件均具有低熱阻 (<0.5°C/W)，并達到一級濕敏 (MSL1) 工業(yè)合格水平，也不含鉛、溴化物和鹵素，且符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
IRFH6200TRPbF產(chǎn)品規(guī)格
|
器件編號 |
封裝 |
電壓 |
最大Vgs |
Rdson max @ Vgs=4.5 |
Rdson max @ Vgs=2.5 |
Id @ Tc=25 |
|
IRFH6200TRPbF |
PQFN 5x6mm |
20 V |
±12V |
1.2 mΩ |
1.4 mΩ |
100 A |
IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF產(chǎn)品規(guī)格
|
器件編號 |
封裝 |
電壓 |
Rdson max @ Vgs=10 |
Rdson max @ Vgs=4.5 |
Qg typ @ Vgs=4.5 |
Id @ Tc=25 |
|
IRFH5250TRPbF |
PQFN 5x6mm |
25 V |
1.15 mΩ |
1.7 mΩ |
52 nC |
100 A |
|
IRFH5300TRPbF |
PQFN 5x6mm |
30 V |
1.4 mΩ |
2.1 mΩ |
50 nC |
100 A |
|
IRFH5301TRPbF |
PQFN 5x6mm |
30 V |
1.85 mΩ |
2.9 mΩ |
37 nC |
100 A |
|
IRFH5302TRPbF |
PQFN 5x6mm |
30 V |
2.1 mΩ |
3.5 mΩ |
29 nC |
100 A |
IR簡介
國際整流器公司 (簡稱IR，紐約證交所代號IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動高性能計算設(shè)備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設(shè)備) ，是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準。
IR成立于1947年，總部設(shè)在美國洛杉磯，在二十個國家設(shè)有辦事處。IR全球網(wǎng)站：www.irf.com，中國網(wǎng)站：www.irf.com.cn。