IDT 的4H LVDS / LVPECLMEMS 振蕩器擁有100 飛秒典型相位抖動(dòng)和可修改的輸出頻率，可降低高性能萬(wàn)兆以太網(wǎng)和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的誤碼率
擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT®公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今日推出業(yè)界首款差異化MEMS 振蕩器，具有100飛秒(fs) 典型相位抖動(dòng)性能和集成的頻率裕量設(shè)定能力。IDT 高性能振蕩器的超低相位抖動(dòng)和可修改的輸出頻率顯著降低萬(wàn)兆以太網(wǎng)(10GbE) 交換器、路由器和其他相關(guān)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的誤碼率(BER)。
IDT 的4H 性能MEMS 振蕩器擁有一個(gè)差分的LVDS / LVPECL 輸出，和相比同級(jí)別產(chǎn)品最低的相位抖動(dòng)（100 fs @ 1.875 – 20 MHZ和亞300 fs @ 12 KHZ – 20MHZ），滿足高性能網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用對(duì)低抖動(dòng)芯片組的需要。集成的頻率裕量(frequency margining) 設(shè)定功能使客戶在應(yīng)用操作中能夠?qū)⒄袷幤黝l率微調(diào)至±1000 ppm，實(shí)現(xiàn)誤碼率最小并便于裕量測(cè)試。IDT 的4H MEMS 振動(dòng)器適用于多種封裝尺寸，包括更小的3225(3.2 x 2.5 mm)，以節(jié)省密集部署應(yīng)用中的板空間和成本。IDT 是提供可將MEMS 振蕩器性能、特性和小封裝尺寸組合在一起的唯一供應(yīng)商。
IDT 公司副總裁兼計(jì)時(shí)與同步部門總經(jīng)理Christian Kermarrec 表示：“IDT 最新的MEMS 系列構(gòu)建于標(biāo)準(zhǔn)的4M 和升級(jí)的4E 振蕩器系列基礎(chǔ)上，滿足萬(wàn)兆以太網(wǎng)和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用對(duì)高性能的要求。作為計(jì)時(shí)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商，我們?yōu)榭蛻籼峁┳罡咝阅懿考蛣?chuàng)新特性，以便于他們進(jìn)行下一代產(chǎn)品開發(fā)。我們很高興看到很多OEM 廠商越過MEMS 起步型提供商而選擇IDT，這正是由于IDT 所能提供的經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)創(chuàng)新。”
HIS 公司MEMS 與傳感器部門總監(jiān)和首席分析師Jérémie Bouchaud 表示：“云計(jì)算和存儲(chǔ)架構(gòu)正在快速發(fā)展，幾乎50% 的服務(wù)器和存儲(chǔ)簇隨著萬(wàn)兆以太網(wǎng)而出貨。高性能MEMS 振蕩器能使企業(yè)級(jí)計(jì)算和存儲(chǔ)架構(gòu)的誤碼率更低，并能同時(shí)提供更好的可靠性。”
IDT 的集成頻率裕量設(shè)定功能使客戶能夠在業(yè)界采用一個(gè)技術(shù)技巧作為“額外PPM 時(shí)鐘”。這一技術(shù)時(shí)鐘系統(tǒng)處在一個(gè)稍微更高的頻率，允許OEM 廠商降低誤碼率，并能減少網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的封裝損失。與只提供固定頻率的競(jìng)爭(zhēng)性MEMS 器件不同，IDT 的器件允許數(shù)以百計(jì)的偏頻，它們會(huì)在達(dá)到625 兆赫的任何基礎(chǔ)頻率選擇之后——甚至在最終生產(chǎn)系統(tǒng)中產(chǎn)生。這使得設(shè)計(jì)人員能夠加快開發(fā)進(jìn)程和優(yōu)化系統(tǒng)性能。
4H MEMS 振蕩器利用IDT 專利的壓電MEMS (pMEMS™) 諧振器技術(shù)，可提供一個(gè)擁有無(wú)與倫比性能和可靠性的高頻率源。IDT MEMS 振蕩器提供優(yōu)于石英40 倍的可靠性，無(wú)擾動(dòng)、無(wú)零時(shí)故障、對(duì)電磁干擾(EMI) 有更高抖動(dòng)阻力，并具有出色的抗沖擊和抗振性，這使它們成為傳統(tǒng)的基于石英振蕩器的一個(gè)理想的升級(jí)解決方案。
IDT 4H 系列是在成功的4M 和4E 系列MEMS 振蕩器基礎(chǔ)上拓展的。作為差分石英振蕩器的嵌入式替代品，4M 標(biāo)準(zhǔn)振蕩器可提供顯著性能，相位抖動(dòng)不到1 皮秒(ps)。4E 升級(jí)版振蕩器將一個(gè) LVDS 或LVPECL 輸出和一個(gè)同步CMOS 輸出集成到單一封裝中，無(wú)需外部晶體和二級(jí)振蕩器。此外，4E 振蕩器擁有四個(gè)可選的輸出頻率，允許用一個(gè)單一的器件替換四個(gè)組件，減少材料清單，鞏固庫(kù)存。
供貨
IDT 4H MEMS 振蕩器目前處于客戶送樣階段，采用標(biāo)準(zhǔn)的7.0 x 5.0 mm, 5.0 x 3.2mm 和3.2 x 2.5mm VFQFPN封裝。可用大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)頻率。自定義頻率可根據(jù)要求進(jìn)行配置。欲了解更多信息，請(qǐng)登錄www.idt.com/go/MEMS。