關鍵詞：
DrBlade
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/ OTCQX代碼：IFNNY）近日在2013應用電力電子會議暨展覽會（APEC）中宣布推出：全球第一款采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術的集成式器件，它集成了DC/DC 驅動器及MOSFET VR功率級。DrBlade包含最新一代低壓DC/DC驅動器技術及OptiMOS™ MOSFET器件。該MOSFET 技術擁有最低的單位面積導通阻抗及針對應用優(yōu)化的品質因數(shù)，能達到最高的DC/DC調(diào)壓系統(tǒng)效率，適用于計算及電信應用，包括刀片服務器和機架服務器、PC主板、筆記本電腦和游戲機等。
全新Blade封裝技術
英飛凌創(chuàng)新的Blade封裝技術，采用芯片嵌入概念，使用電鍍制程取代標準的封裝制程，例如邦線、夾焊以及常見的模制技術。此外，芯片也以疊層薄片進行保護。其結果是大幅縮小封裝體積、降低封裝電阻及電感，同時還降低熱阻。
英飛凌低壓功率轉換產(chǎn)品資深總監(jiān)Richard Kuncic表示：“英飛凌是業(yè)界第一家推出采用Blade技術的集成了驅動器及MOSFET半橋的半導體公司。DrBlade的推出可提升服務器應用在全負載范圍的效率，再度證明我們在功率半導體領域的領導地位。”
節(jié)省空間，提高效率
DrBlade封裝面積為5x5mm，高度僅為0.5mm，可滿足計算系統(tǒng)對于更高功率密度及節(jié)省空間的需求。DrBlade擁有優(yōu)化的引腳規(guī)劃，可簡化PCB布局。采用全新的芯片嵌入式封裝技術，再結合英飛凌的OptiMOS MOSFET，這使DrBlade成為低壓市場的最佳穩(wěn)壓解決方案。
上市時間與定價
DrBlade樣品已開始提供，并于2013年第二季度量產(chǎn)。
關于英飛凌全新Blade系列產(chǎn)品的更多信息，請訪問：www.infineon.com/drblade。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內(nèi)容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。