2015年1月7日 – 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN) 成功鑒定性能并展示首款功能全面的層疊式CMOS圖像傳感器。相比傳統(tǒng)的單片非層疊式設(shè)計(jì)，這傳感器的裸片占用空間更少、像素表現(xiàn)更高及功耗更佳。這技術(shù)已成功實(shí)現(xiàn)及性能被鑒定于1.1微米(µm)像素的測試芯片，并將于本年稍以產(chǎn)品形式推出。

    傳統(tǒng)采用單片基板工藝的傳感器設(shè)計(jì)需要單獨(dú)的裸片區(qū)以支持像素陣列和輔助電路。有了3D層疊技術(shù)，像素陣列和輔助電路可放在不同基板上分開制作，然后通過硅穿孔技術(shù)(TSV)堆疊連接。這樣，像素陣列就能覆蓋基本電路，實(shí)現(xiàn)更有效率的裸片分布。這種方法讓設(shè)計(jì)工程師能夠優(yōu)化傳感器的各個(gè)部分，如成像性能、成本、功率和裸片尺寸。像素陣列的優(yōu)化能提高傳感器的像素性能，降低噪聲水平及增強(qiáng)像素反應(yīng)。下層電路也可以使用更嚴(yán)格的設(shè)計(jì)規(guī)則來降低功耗。更少的總占板空間支持現(xiàn)今先進(jìn)的相機(jī)模組，這些模組整合了光學(xué)圖像穩(wěn)定(OIS)和附加數(shù)據(jù)存儲功能于同一個(gè)占用空間。

    安森美半導(dǎo)體圖像傳感器部技術(shù)副總裁Sandor Bama表示：“3D層疊技術(shù)是令人興奮的突破，它提高了我們在優(yōu)化安森美半導(dǎo)體未來傳感器的能力。這技術(shù)帶來制造和設(shè)計(jì)的靈活性，確保我們整個(gè)傳感器系列維持性能領(lǐng)先的地位。”

    安森美半導(dǎo)體將于美國時(shí)間1月6日到8日在拉斯維加斯舉行的2015國際消費(fèi)電子展期間展示其最新的圖像傳感器技術(shù)及產(chǎn)品。如需預(yù)約私人參觀圖像傳感器現(xiàn)場演示，請聯(lián)系安森美半導(dǎo)體銷售代表。

關(guān)于安森美半導(dǎo)體

    安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)致力于推動(dòng)高能效電子的創(chuàng)新，使客戶能夠減少全球的能源使用。公司全面的高能效電源和信號管理、邏輯、分立及定制方案陣容，幫助設(shè)計(jì)工程師解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。公司運(yùn)營敏銳、可靠、世界一流的供應(yīng)鏈及品質(zhì)項(xiàng)目，及在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場運(yùn)營包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)。更多信息請?jiān)L問http://www.onsemi.cn。

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