三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術突破，加上控制晶片與錯誤修正韌體效能大幅精進，使得三層式儲存(TLC)NAND記憶體性價比較過去大幅提高，因而激勵消費性固態(tài)硬碟制造商擴大采用比例。

　　三層式儲存(TLC) NAND快閃記憶體市場滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著制程演進而持續(xù)下滑，各種終端應用如固態(tài)硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續(xù)成長。

　　在單層式儲存(SLC)、多層式儲存(MLC)及TLC三種形式的NAND快閃記憶體中，又以TLC性價比最為人所注目，因而吸引原始設備/設計制造商(OEM/ODM)的目光，并增加采用TLC顆粒比例，促進TLC NAND快閃記憶體應用版圖擴張。

　　控制晶片技術突破　TLC SSD傾巢而出

　　看好TLC在固態(tài)儲存市場的發(fā)展前景，慧榮科技發(fā)布新一代TLC控制晶片--SM2256，能大幅提升TLC NAND快閃記憶體高達三倍的寫入/抹除次數(shù)(P/E Cycle)，解決其過去為人詬病的使用壽命和可靠度不佳等問題，可望助力品牌廠加速推出高性價比的消費性TLC固態(tài)硬碟。

　　慧榮科技產品企劃部專案副理陳敏豪表示，藉由先進的控制晶片技術，TLC固態(tài)硬碟的使用壽命及穩(wěn)定度將大幅增加。

　　慧榮科技產品企劃部專案副理陳敏豪(圖1)表示，相較于SLC和MLC顆粒，TLC NAND快閃記憶體擁有顯著的價格優(yōu)勢，單單比較TLC與MCL NAND市價，兩者價差約介于20~30%之間;而隨著制程進一步微縮，TLC NAND成本未來仍有下滑空間。

　　陳敏豪指出，雖然TLC顆粒具成本優(yōu)勢，但在使用壽命、速度、可靠性和錯誤率等方面卻為人詬病，須以先進的控制晶片及大量的預留空間(Over-provisioning)來進行糾錯及校準;也因此，目前僅有三星、新帝(SanDisk)兩家品牌廠在消費零售市場先后推出TLC固態(tài)硬碟。

　　為解決上述困境，慧榮科技推出新一代TLC NAND控制晶片--SM2256，提升TLC NAND三倍的寫入/抹除次數(shù)，進而延長其使用壽命，使TLC固態(tài)硬碟更能兼具成本及效能優(yōu)勢。

　　陳敏豪解釋，NAND快閃記憶體的控制晶片向來系采用 BCH(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem)編碼進行糾錯，而慧榮科技則轉而選用低密度奇偶修正碼(Low Density Parity Check Code, LDPC)及RAID修正方式，研發(fā)出獨有的“NANDXtend”錯誤修正技術。

　　據(jù)悉，“NANDXtend”技術可高速平行解碼且即時精準修正錯誤，并依糾錯的難易度來分層開啟修正機制，有效增加TLC NAND的寫入/抹除次數(shù)，解開TLC NAND長期以來讀寫次數(shù)不理想的桎梏。

　　陳敏豪透露，目前SM2256已通過三家主要NAND快閃記憶體供應商--東芝(Toshiba)、三星、SK Hynix的測試，而采用慧榮科技控制晶片的TLC固態(tài)硬碟最快2015年第一季即可上市。

　　陳敏豪預測，2015年是TLC固態(tài)硬碟起飛元年，未來將會有更多廠商推出TLC固態(tài)硬碟，大舉搶攻消費零售市場，進而瓜分三星、 SanDisk市占。值得注意的是，除了消費零售市場外，PC-OEM業(yè)者也正密切關注TLC固態(tài)硬碟應用于桌上型電腦、筆記型電腦的可行性;因此，未來 TLC固態(tài)硬碟更可望進攻電腦市場，挑戰(zhàn)MLC固態(tài)硬碟的主流地位。

　　3D/TLC NAND齊頭并進　Flash產業(yè)邁入轉捩點

　　根據(jù)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究預估，2015年NAND快閃記憶體產值將較2014年成長12%，市場規(guī)模約為276億美元。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，2015年NAND快閃記憶體產業(yè)將進入關鍵時刻。由于各家業(yè)者有志一同盡量降低產能增加速度， 因此預估2015年總晶圓投片量年成長率只有約8%。供給端發(fā)展重心將會放在15/16奈米的制程轉進、3D NAND快閃記憶體的開發(fā)，以及TLC產品應用的擴張。

　　據(jù)了解，三星(Samsung)已于2014年第四季順利量產3D NAND快閃記憶體并導入企業(yè)級固態(tài)硬碟產品，2015年更預計全面導入消費性固態(tài)硬碟中。

　　另一方面，英特爾(Intel)則在2015年的投資人會議中揭露與美光(Micron)共同開發(fā)的3D NAND固態(tài)硬碟開始進入試作階段，預計在2016年年中之后正式出貨。

　　楊文得預期，英特爾的動作將加速其他尚未明確公布量產計畫的廠商推出3D NAND快閃記憶體的時程;而在價格、性能與控制晶片搭配性的各種因素考量下，3D NAND快閃記憶體應用普及時間點將會落在2015年第四季之后。

　　值得注意的是，具有顯著性價比優(yōu)勢的TLC NAND快閃記憶體，已由三星率先證明其市場價值。該公司利用TLC NAND快閃記憶體在eMMC/eMCP與消費性固態(tài)硬碟市場取得成功，因此其他業(yè)者自2015年下半年起也可望陸續(xù)推出TLC的相關嵌入式產品。

　　事實上，蘋果的iPhone 6即首度采用TLC做為儲存裝置，可望帶動其他品牌廠提高采用意愿。DRAMeXchange預期，2015年TLC的產出比重將快速攀升至41%。

　　楊文得認為，隨著行動運算硬體競爭從高階轉向中低階機種，TLC顆粒較能夠滿足業(yè)者對于成本的考量，加上目前控制技術已能大幅改善TLC的速度 與效能問題，因此主要個人電腦(PC)與行動裝置品牌業(yè)者都將逐漸開始采用TLC產品，尤其TLC固態(tài)硬碟更將于2015年大舉出籠。