日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新的TrenchFET? 20V N溝道MOSFET---Si8410DB，在可穿戴設(shè)備、智能手機(jī)、平板電腦和固態(tài)驅(qū)動(dòng)器中節(jié)省空間，降低功耗，并延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。Vishay Siliconix Si8410DB采用芯片級(jí)MICRO FOOT?封裝，高度只有0.54mm，在小尺寸1mm2占位的20V器件中具有最低的導(dǎo)通電阻。

    Si8410DB適合用作電源管理應(yīng)用里的負(fù)載開(kāi)關(guān)、小信號(hào)開(kāi)關(guān)和高速開(kāi)關(guān)，導(dǎo)通電阻極低，在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下的導(dǎo)通電阻分別為37mΩ、41mΩ、47mΩ和68mΩ。與采用CSP 1mm2封裝的最接近競(jìng)爭(zhēng)器件相比，這顆器件在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下的導(dǎo)通電阻小26%、32%、35%和27%。與DFN 1mm2封裝的器件相比，Si8410DB在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下的導(dǎo)通電阻低32%、40%、48%和43%。器件的低導(dǎo)通電阻，導(dǎo)通電壓低至1.5V，加上±8V VGS，使鋰離子供電的應(yīng)用能實(shí)現(xiàn)安全裕量、靈活的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和高性能。

    Si8410DB具有30mΩ/mm2的極低導(dǎo)通電阻，比最接近的1mm2塑料封裝的20V MOSFET低20%，在移動(dòng)應(yīng)用里能夠節(jié)省空間并減少電池功耗。器件的低導(dǎo)通電阻意味著在直流和脈沖峰值電流時(shí)的電壓降非常低，以熱的形式浪費(fèi)掉的電能更少。更低的導(dǎo)通電阻和更低的熱阻，使Si8410DB的溫升比僅次于這顆芯片的采用CSP和1mm2封裝的器件分別低45%和144%。

    Si8410DB現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十三周。

VISHAY簡(jiǎn)介

    Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無(wú)源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。