韓國科學技術學院研發了一種用于場效應晶體管的高性能超薄聚合絕緣體
來自韓國科學技術學院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，KAIST）的團隊研發了一種用于場效應晶體管的高性能超薄聚合絕緣體。他們用汽化單體在多種表面成功制備出聚合膜，比如塑料，這些普適的絕緣體為將來在電子設備上的應用打下了基礎。這項研究結果在線發表于3月9日的《自然·材料》（Nature Materials）雜志上。
我們日常生活使用的現代電子設備中，從手機、電腦到平板顯示器，場效應晶體管無處不在。除了三個電極（柵極（gate），源極（source）和漏極 （drain））外，場效應管還包括一個絕緣層和一個半導體溝道層組成。場效應管內的絕緣層能有效控制半導體溝道的導電率，從而控制晶體管內的電流。為了 使場效應管低功率穩定運行，應用超薄的絕緣層十分重要。因為氧化物和氮化物等無機材料具有卓越的絕緣性和可靠性，絕緣層通常是由此類無機材料在硅和玻璃等 硬質表面制成。
然而，由于這些絕緣層的高硬度和高制備過程溫度，它們很難用于柔性電子設備。近年來，大量科研人員把聚合物作為前景樂觀的絕緣材料去研究，以適用柔性非傳 統基底和新興的半導體材料。然而，傳統技術制備的聚合物絕緣體在極小厚度的表面覆蓋仍不足，阻礙了應用聚合物絕緣體的場效應管在低電壓狀態下運行。
一個由韓國科學技術院（KAIST）生化工程系的Sung Gap教授和電子工程系的Seunghyup Yoo、Byung Jin Cho教授領導的研究團隊研發出了一種有機聚合物組成的絕緣層“pV3D3”。此絕緣層是利用名為“化學氣相沉降（iCVD）”的全干氣相技術制成，可使 它在不失去完美絕緣特性的情況下，厚度足以縮小到10納米（nm）之內。
iCVD過程是讓氣狀單體和引發劑在低真空中相互接觸，最終沉積在基底上的共形聚合膜具有良好的絕緣性能。iCVD與傳統技術不一樣的是，十分均勻且純凈 的超薄聚合膜在一大片實際上沒有表層或底層限制的區域生成，與表面張力有關的問題便得以解決。并且大部分iCVD聚合物在室溫下生成，減少了對基底施加的 張力和產生的損害。
科研團隊通過使用pV3D3絕緣層，研發出了利用多種半導體材料如有機物、石墨烯和氧化物的低功率、高性能的場效應管，證明了pV3D3對多種材料的廣泛 適用性。他們還用常規的包裝膠帶作為基底，制造出了一種粘貼性的、可移除的電子元件。在與韓國東國大學（Dongguk University）的Yong-Young Noh教授的合作中，科研團隊成功地結合pV3D3絕緣層在一個大規模的柔性底層上開發出了一種晶體管陣列。
Im教授說：“用iCVD技術制得的pV3D3所具有的小尺寸和廣泛適用性對聚合絕緣體來說是史無前例的。即使我們的iCVD pV3D3聚合膜的厚度減小到10納米之內，它展現出的絕緣性仍比得上無機絕緣層。我們期待這項進展能極大地有益于柔性電子器件的研發，這將會對可穿戴計 算機等新興電子設備的成功起到關鍵作用。”
總結：研究人員研發了一種用于場效應晶體管（field-effect transistors，FETs）的高性能超薄聚合絕緣體。他們用汽化單體在多種表面成功制備出聚合膜，比如塑料，這些普適的絕緣體為將來在電子設備上的應用打下了基礎。
一種用于場效應晶體管的高性能超薄聚合絕緣體
該原理圖展示了如何利用化學氣相沉積（iCVD）技術制備pV3D3聚合膜：（i）引入汽化單體和引發劑，（ii）激活的引發劑受熱分解成自由基，（iii ）單體和引發劑自由基被吸附到一個基底上，（iv）聚合自由基轉化成pV3D3薄膜。
英特爾公司近日發布了一系列消息，媒體及分析人士開始對其即將推出的六十核心Knights Landing至強Phi芯片進行了概括性的解讀，這是一次管中窺豹式的探索過程。英特爾公司在其位于俄勒岡州希爾斯伯勒市的代工廠召開了新聞發布會，并向到場記者宣稱Knights Landing Phi可以承載八十億個晶體管。
英特爾將推出的六十核心Knights Landing至強Phi芯片
正如Timothy Prickett-Morgan在The Platform網站上所言，Knights Landing的Silvermont凌動核心將繼承Broadwell核心的全部指令集，僅僅將正處于調整當中的TSX事務型內存功能排除在外。
Knights Landing設定的浮點運算能力目標為三萬億次，而單精度浮點運算能力目前則達到了驚人的六萬億次。英特爾公司目前對于該芯片所能支持的最大計算核心數量繼續保密，根據預期其核心數量應該為六十個，但也有傳聞指出其最大支持能力將達到七十二個。
The Platform指出，屆時英特爾將推出一款該產品的協處理器衍生版本外加一個配備每秒100GB Omni-Path端口的版本，后者也正是英特爾打造的第一款擁有主機結構接口的芯片。考慮到高性能計算應用程序的實際情況，Omni-Path能夠支持OpenFabrics Alliance（簡稱OFA）堆棧實現良好的兼容性，從而使其同專為InfiniBand以及英特爾True Scale Fabric環境所編寫的軟件并行協作。
不過英特爾公司當然希望客戶能更傾向于使用其Omni-Path每秒100GB端口，據稱其能帶來更低延遲水平，且交換芯片的端口數量將為四十八個，這將高于InfiniBand的三十六個。六條內存通道都將支持最高64GB的單條DDR4內存，這代表著每塊處理器能夠最多匹配384GB內存容量，而英特爾公司目前正與Micron方面合作，希望為該芯片開發出高帶寬內存產品，其每數據包體系高達16GB。DDR4內存的運行速率大約為每秒90GB，而本地高帶寬內存能夠帶來每秒約400GB的運行速率，外圍通信將由36個PCIe 3.0通道負責實現。
全球首款工業物聯網SIP芯片
由重慶郵電大學與臺灣達盛電子股份有限公司聯合研發的全球首款工業物聯網SIP芯片——CY2420S，近日在重慶2015云博會新聞發布會上首次展示。據悉，該款芯片主要應用于工業自動化設備，幫助生產線實現無線智能化控制。
SIP芯片——CY2420S是一款將信息交互與互聯跟主動控制兩大功能進行集成的芯片(封裝集成芯片)，尺寸約1厘米，主要應用于工業自動化設備之間的信息交互與互聯，以及與操作主機的遠程主動控制。
重慶郵電大學自動化學院院長王平介紹，當前全球工業物聯網領域主要形成了ISA100.11a(美國)、WirelessHART(歐洲)、WIA-PA(中國)三大國際主流工業無線標準，CY2420S芯片是全球首款、也是目前唯一符合這三大標準的SIP芯片。目前，該款芯片正在同時申請三大標準認證。SIP芯片的成功研發，將為建立智慧工廠提供關鍵技術支撐。
據悉，通過在四聯集團的生產線上進行試用，采用該款芯片的設備，比原生產線處理速度提高50%左右，耗能下降一半左右。另外，在工業無線網絡下運行的安全可靠性能也非常出色，對網絡的響應時間、抗干擾性能都極高。
英特爾將聯合美光科技開發1TB閃存技術
英特爾將聯合美光科技公司開發適用于智能手機、平板電腦和高端筆記本電腦的閃存技術。新的技術將利用筆記本內存條一半大小的體積提供1TB的存儲空間。
越來越多的應用程序、照片、視頻和音樂使得智能手機和平板電腦的存儲空間顯得越來越局促。筆記本用戶可以使用硬盤驅動器，價格低廉但速度緩慢。而基于閃存原理的固態硬盤速度快但價格昂貴。
美光與英特爾希望能夠利用基于3D堆疊技術的芯片生產廉價、快速的閃存。新的芯片理論上將可以用來生產小體積的3.5TB閃存。英特爾表示，如今的高端筆記本電腦可以提供1TB固態硬盤，但非常昂貴，更廉價的芯片可以幫助低端個人電腦使用快速閃存。
3D堆疊技術并不是最新技術，三星去年推出的閃存新天就采用了類似的技術。3D堆疊將是維持摩爾定律的重要途徑。如同蓋樓一樣，傳統閃存芯片就像不斷建設一層的平房，而新的3D堆疊技術則不僅在平面發展同時將樓越蓋越高。更有效的利用空間。另外存儲單元的距離拉近，也可增加速度。英特爾和美光科技公司將采用32層閃存堆疊技術。兩家公司將在周四提供首批樣品，英特爾與美光預計今年晚些時候推出最終產品。
目前的閃存市場份額中三星排名第一，持有28％的市場份額。美光科技公司擁有14％，而英特爾只占有8％。