討論到eMMC的發(fā)展歷程，必須要從介紹Flash的歷史開(kāi)始
Flash分為兩種規(guī)格：NOR Flash和NAND Flash，兩者均為非易失性閃存模塊。
1988年，Intel首次發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。NOR類似于DRAM, 以存儲(chǔ)程序代碼為主，可以讓微處理器直接讀取。因?yàn)樽x取速度較快，但晶片容量較低，所以多應(yīng)用在通訊產(chǎn)品中，如手機(jī)。
1989年，東芝公司發(fā)表NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能，并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。因?yàn)镹AND flash的晶片容量相對(duì)于NOR大，更像硬盤(pán)，寫(xiě)入與清除資料的速度遠(yuǎn)快于NOR，所以當(dāng)時(shí)多應(yīng)用在小型機(jī)以儲(chǔ)存資料為主。目前已廣泛應(yīng)用在各種存儲(chǔ)設(shè) 備上, 可存儲(chǔ)代碼和資料。
NAND Flash的存儲(chǔ)單元發(fā)展:從 SLC, MLC到TLC，超越摩爾定律
SLC=Single-Level Cell, 即1bit/cell，讀寫(xiě)速度快，壽命長(zhǎng)，價(jià)格是MLC三倍以上，約10萬(wàn)次讀寫(xiě)壽命。
MLC=Multi-Level Cell, 即2bit/cell ,速度一般，壽命一般，價(jià)格一般，月3000-10000次讀寫(xiě)壽命。
TLC=Triple-Level Cell, 即3bit/cell，速度慢，壽命短，價(jià)格便宜，約500次讀寫(xiě)壽命，技術(shù)在逐漸成長(zhǎng)中。
摩爾定律是由英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來(lái)的。其內(nèi)容為：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買(mǎi) 到的電腦性能，將每隔18個(gè)月翻兩倍以上。而NAND Flash行業(yè)的摩爾定律周期則只有12個(gè)月。
NAND Flash的存儲(chǔ)單元從最初的SLC（ Single Layer Cell）, 到2003年開(kāi)始興起MLC (Multi-Layer Cell), 發(fā)展至今，SLC已經(jīng)淡出主流市場(chǎng)，主流存儲(chǔ)單元正在從MLC向TLC（Triple Layer Cell）邁進(jìn)。納米制程工藝和存儲(chǔ)單元的發(fā)展，使得同樣大小的芯片有更高密度和更多的存儲(chǔ)單元，F(xiàn)lash得以在容量迅速增加的同時(shí)，還大幅降低了單位 存儲(chǔ)容量的成本。
但其弊端也輕易顯現(xiàn)，從原來(lái)的1bit/cell發(fā)展到后來(lái)3bit/cell, 計(jì)算更為復(fù)雜，出錯(cuò)率不免更高，讀寫(xiě)次數(shù)和壽命也會(huì)更短。在這種情況下現(xiàn)有MLC 和 TLC Flash 都需要搭配一顆高性能的控制芯片來(lái)提供EDC和ECC、平均擦寫(xiě)等Flash管理。
隨著近年平板電腦和智能手機(jī)等在全球熱潮來(lái)襲，嵌入式存儲(chǔ)eMMC即營(yíng)運(yùn)而生
iphone，iPAD帶動(dòng)了智能手機(jī)和平板電腦行業(yè)的迅猛發(fā)展，引發(fā)了電子產(chǎn)品更新?lián)Q 代，對(duì)存儲(chǔ)硬件提出了更高的要求。多媒體播放、高清攝像，GPS，各色各樣的應(yīng)用以及外觀輕薄小巧的發(fā)展趨勢(shì)，要求存儲(chǔ)硬件擁有高容量、高穩(wěn)定性和高讀寫(xiě) 速度的同時(shí)，需要存儲(chǔ)芯片在主板中占有更小的空間。然而NAND Flash 隨著納米制程和存儲(chǔ)技術(shù)的主流趨勢(shì)發(fā)展，性能卻在不斷下降。可擦寫(xiě)壽命短，出錯(cuò)概率高，讀寫(xiě)速度慢，穩(wěn)定性差。嵌入式存儲(chǔ)芯片eMMC就可以彌補(bǔ)這個(gè)市場(chǎng) 需求和NAND Flash發(fā)展的缺口。
eMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用統(tǒng)一的MMC標(biāo)準(zhǔn)接口， 把高密度NAND Flash以及MMC Controller封裝在一顆BGA芯片中。針對(duì)Flash的特性，產(chǎn)品內(nèi)部已經(jīng)包含了Flash管理技術(shù)，包括錯(cuò)誤探測(cè)和糾正，flash平均擦寫(xiě)， 壞塊管理，掉電保護(hù)等技術(shù)。用戶無(wú)需擔(dān)心產(chǎn)品內(nèi)部flash晶圓制程和工藝的變化。同時(shí)eMMC單顆芯片為主板內(nèi)部節(jié)省更多的空間。
之前市場(chǎng)上流通的eMMC產(chǎn)品均出自國(guó)外的廠商閃迪、三星、東芝。而大陸廠商泰勝微科技
今年第一個(gè)在國(guó)內(nèi)推出了自有品牌BIWIN的eMMC產(chǎn)品，完全自主研發(fā)和封裝測(cè)試，并將其產(chǎn)品命名為qNAND，已于年中推向了市場(chǎng)。泰勝微科技專注于
嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)。擁有11年Flash的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，是華南地區(qū)唯一一家擁有12寸晶圓封裝測(cè)試工廠的民營(yíng)企業(yè)。根據(jù)最新的測(cè)試結(jié)
果，BIWIN的品牌eMMC——qNAND在一些關(guān)鍵性能指標(biāo)上大幅優(yōu)于同類產(chǎn)品。作為后來(lái)者，泰勝微的表現(xiàn)很值得期待。
eMMC的未來(lái)
eMMC規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)逐漸從eMMC4.3世代發(fā)展到eMMC4.4世代，eMMC4.5即將問(wèn)世。就目前JEDEC的規(guī)劃方向來(lái)看，eMMC下 一個(gè)世代將會(huì)由UFS(Universal Flash Storage)規(guī)格接棒。我們將UFS視為一種銜接eMMC 4.5版后的NAND Flash新接口標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)期未來(lái)初期將在智能型手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)等新興智能型移動(dòng)裝置上，成為嵌入式儲(chǔ)存媒體的主要的應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)之一。UFS將提供極高的速 度，以即時(shí)高速存儲(chǔ)大型多媒體文件，同時(shí)在消費(fèi)電子設(shè)備上使用時(shí)降低功耗。有了新的90分鐘電影的時(shí)間會(huì)從目前的3分鐘降低到幾秒鐘。這項(xiàng)新的標(biāo)準(zhǔn)將支持 手機(jī)，數(shù)碼相機(jī)等其他消費(fèi)電子產(chǎn)品，并將做為方便通用的開(kāi)發(fā)標(biāo)準(zhǔn)存在。
討論到eMMC的發(fā)展歷程，必須要從介紹Flash的歷史開(kāi)始
Flash分為兩種規(guī)格：NOR Flash和NAND Flash，兩者均為非易失性閃存模塊。
1988年，Intel首次發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。NOR類似于DRAM, 以存儲(chǔ)程序代碼為主，可以讓微處理器直接讀取。因?yàn)樽x取速度較快，但晶片容量較低，所以多應(yīng)用在通訊產(chǎn)品中，如手機(jī)。
1989年，東芝公司發(fā)表NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能，并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。因?yàn)镹AND flash的晶片容量相對(duì)于NOR大，更像硬盤(pán)，寫(xiě)入與清除資料的速度遠(yuǎn)快于NOR，所以當(dāng)時(shí)多應(yīng)用在小型機(jī)以儲(chǔ)存資料為主。目前已廣泛應(yīng)用在各種存儲(chǔ)設(shè) 備上, 可存儲(chǔ)代碼和資料。
NAND Flash的存儲(chǔ)單元發(fā)展:從 SLC, MLC到TLC，超越摩爾定律
SLC=Single-Level Cell, 即1bit/cell，讀寫(xiě)速度快，壽命長(zhǎng)，價(jià)格是MLC三倍以上，約10萬(wàn)次讀寫(xiě)壽命。
MLC=Multi-Level Cell, 即2bit/cell ,速度一般，壽命一般，價(jià)格一般，月3000-10000次讀寫(xiě)壽命。
TLC=Triple-Level Cell, 即3bit/cell，速度慢，壽命短，價(jià)格便宜，約500次讀寫(xiě)壽命，技術(shù)在逐漸成長(zhǎng)中。
摩爾定律是由英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來(lái)的。其內(nèi)容為：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買(mǎi) 到的電腦性能，將每隔18個(gè)月翻兩倍以上。而NAND Flash行業(yè)的摩爾定律周期則只有12個(gè)月。
NAND Flash的存儲(chǔ)單元從最初的SLC（ Single Layer Cell）, 到2003年開(kāi)始興起MLC (Multi-Layer Cell), 發(fā)展至今，SLC已經(jīng)淡出主流市場(chǎng)，主流存儲(chǔ)單元正在從MLC向TLC（Triple Layer Cell）邁進(jìn)。納米制程工藝和存儲(chǔ)單元的發(fā)展，使得同樣大小的芯片有更高密度和更多的存儲(chǔ)單元，F(xiàn)lash得以在容量迅速增加的同時(shí)，還大幅降低了單位 存儲(chǔ)容量的成本。
但其弊端也輕易顯現(xiàn)，從原來(lái)的1bit/cell發(fā)展到后來(lái)3bit/cell, 計(jì)算更為復(fù)雜，出錯(cuò)率不免更高，讀寫(xiě)次數(shù)和壽命也會(huì)更短。在這種情況下現(xiàn)有MLC 和 TLC Flash 都需要搭配一顆高性能的控制芯片來(lái)提供EDC和ECC、平均擦寫(xiě)等Flash管理。
隨著近年平板電腦和智能手機(jī)等在全球熱潮來(lái)襲，嵌入式存儲(chǔ)eMMC即營(yíng)運(yùn)而生
iphone，iPAD帶動(dòng)了智能手機(jī)和平板電腦行業(yè)的迅猛發(fā)展，引發(fā)了電子產(chǎn)品更新?lián)Q 代，對(duì)存儲(chǔ)硬件提出了更高的要求。多媒體播放、高清攝像，GPS，各色各樣的應(yīng)用以及外觀輕薄小巧的發(fā)展趨勢(shì)，要求存儲(chǔ)硬件擁有高容量、高穩(wěn)定性和高讀寫(xiě) 速度的同時(shí)，需要存儲(chǔ)芯片在主板中占有更小的空間。然而NAND Flash 隨著納米制程和存儲(chǔ)技術(shù)的主流趨勢(shì)發(fā)展，性能卻在不斷下降。可擦寫(xiě)壽命短，出錯(cuò)概率高，讀寫(xiě)速度慢，穩(wěn)定性差。嵌入式存儲(chǔ)芯片eMMC就可以彌補(bǔ)這個(gè)市場(chǎng) 需求和NAND Flash發(fā)展的缺口。
eMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用統(tǒng)一的MMC標(biāo)準(zhǔn)接口， 把高密度NAND Flash以及MMC Controller封裝在一顆BGA芯片中。針對(duì)Flash的特性，產(chǎn)品內(nèi)部已經(jīng)包含了Flash管理技術(shù)，包括錯(cuò)誤探測(cè)和糾正，flash平均擦寫(xiě)， 壞塊管理，掉電保護(hù)等技術(shù)。用戶無(wú)需擔(dān)心產(chǎn)品內(nèi)部flash晶圓制程和工藝的變化。同時(shí)eMMC單顆芯片為主板內(nèi)部節(jié)省更多的空間。
之前市場(chǎng)上流通的eMMC產(chǎn)品均出自國(guó)外的廠商閃迪、三星、東芝。而大陸廠商泰勝微科技
今年第一個(gè)在國(guó)內(nèi)推出了自有品牌BIWIN的eMMC產(chǎn)品，完全自主研發(fā)和封裝測(cè)試，并將其產(chǎn)品命名為qNAND，已于年中推向了市場(chǎng)。泰勝微科技專注于
嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)。擁有11年Flash的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，是華南地區(qū)唯一一家擁有12寸晶圓封裝測(cè)試工廠的民營(yíng)企業(yè)。根據(jù)最新的測(cè)試結(jié)
果，BIWIN的品牌eMMC——qNAND在一些關(guān)鍵性能指標(biāo)上大幅優(yōu)于同類產(chǎn)品。作為后來(lái)者，泰勝微的表現(xiàn)很值得期待。
eMMC的未來(lái)
eMMC規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)逐漸從eMMC4.3世代發(fā)展到eMMC4.4世代，eMMC4.5即將問(wèn)世。就目前JEDEC的規(guī)劃方向來(lái)看，eMMC下 一個(gè)世代將會(huì)由UFS(Universal Flash Storage)規(guī)格接棒。我們將UFS視為一種銜接eMMC 4.5版后的NAND Flash新接口標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)期未來(lái)初期將在智能型手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)等新興智能型移動(dòng)裝置上，成為嵌入式儲(chǔ)存媒體的主要的應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)之一。UFS將提供極高的速 度，以即時(shí)高速存儲(chǔ)大型多媒體文件，同時(shí)在消費(fèi)電子設(shè)備上使用時(shí)降低功耗。有了新的標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)計(jì)用戶存取90分鐘電影的時(shí)間會(huì)從目前的3分鐘降低到幾秒鐘。 這項(xiàng)新的標(biāo)準(zhǔn)將支持手機(jī)，數(shù)碼相機(jī)等其他消費(fèi)電子產(chǎn)品，并將做為方便通用的開(kāi)發(fā)標(biāo)準(zhǔn)存在。
標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)計(jì)用戶存取