討論到eMMC的發(fā)展歷程，必須要從介紹Flash的歷史開始

Flash分為兩種規(guī)格：NOR Flash和NAND Flash，兩者均為非易失性閃存模塊。

1988年，Intel首次發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。NOR類似于DRAM, 以存儲程序代碼為主，可以讓微處理器直接讀取。因為讀取速度較快，但晶片容量較低，所以多應(yīng)用在通訊產(chǎn)品中，如手機(jī)。

1989年，東芝公司發(fā)表NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。因為NAND flash的晶片容量相對于NOR大，更像硬盤，寫入與清除資料的速度遠(yuǎn)快于NOR，所以當(dāng)時多應(yīng)用在小型機(jī)以儲存資料為主。目前已廣泛應(yīng)用在各種存儲設(shè) 備上, 可存儲代碼和資料。

NAND Flash的存儲單元發(fā)展:從 SLC, MLC到TLC，超越摩爾定律

SLC=Single-Level Cell, 即1bit/cell，讀寫速度快，壽命長，價格是MLC三倍以上，約10萬次讀寫壽命。

MLC=Multi-Level Cell, 即2bit/cell ,速度一般，壽命一般，價格一般，月3000-10000次讀寫壽命。

TLC=Triple-Level Cell,  即3bit/cell，速度慢，壽命短，價格便宜，約500次讀寫壽命，技術(shù)在逐漸成長中。

摩爾定律是由英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來的。其內(nèi)容為：當(dāng)價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買 到的電腦性能，將每隔18個月翻兩倍以上。而NAND Flash行業(yè)的摩爾定律周期則只有12個月。

NAND Flash的存儲單元從最初的SLC（ Single Layer Cell）, 到2003年開始興起MLC (Multi-Layer Cell), 發(fā)展至今，SLC已經(jīng)淡出主流市場，主流存儲單元正在從MLC向TLC（Triple Layer Cell）邁進(jìn)。納米制程工藝和存儲單元的發(fā)展，使得同樣大小的芯片有更高密度和更多的存儲單元，F(xiàn)lash得以在容量迅速增加的同時，還大幅降低了單位 存儲容量的成本。

但其弊端也輕易顯現(xiàn)，從原來的1bit/cell發(fā)展到后來3bit/cell, 計算更為復(fù)雜，出錯率不免更高，讀寫次數(shù)和壽命也會更短。在這種情況下現(xiàn)有MLC 和 TLC Flash 都需要搭配一顆高性能的控制芯片來提供EDC和ECC、平均擦寫等Flash管理。

隨著近年平板電腦和智能手機(jī)等在全球熱潮來襲，嵌入式存儲eMMC即營運(yùn)而生

iphone，iPAD帶動了智能手機(jī)和平板電腦行業(yè)的迅猛發(fā)展，引發(fā)了電子產(chǎn)品更新?lián)Q 代，對存儲硬件提出了更高的要求。多媒體播放、高清攝像，GPS，各色各樣的應(yīng)用以及外觀輕薄小巧的發(fā)展趨勢，要求存儲硬件擁有高容量、高穩(wěn)定性和高讀寫 速度的同時，需要存儲芯片在主板中占有更小的空間。然而NAND Flash 隨著納米制程和存儲技術(shù)的主流趨勢發(fā)展，性能卻在不斷下降。可擦寫壽命短，出錯概率高，讀寫速度慢，穩(wěn)定性差。嵌入式存儲芯片eMMC就可以彌補(bǔ)這個市場 需求和NAND Flash發(fā)展的缺口。

eMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用統(tǒng)一的MMC標(biāo)準(zhǔn)接口， 把高密度NAND Flash以及MMC Controller封裝在一顆BGA芯片中。針對Flash的特性，產(chǎn)品內(nèi)部已經(jīng)包含了Flash管理技術(shù)，包括錯誤探測和糾正，flash平均擦寫， 壞塊管理，掉電保護(hù)等技術(shù)。用戶無需擔(dān)心產(chǎn)品內(nèi)部flash晶圓制程和工藝的變化。同時eMMC單顆芯片為主板內(nèi)部節(jié)省更多的空間。

之前市場上流通的eMMC產(chǎn)品均出自國外的廠商閃迪、三星、東芝。而大陸廠商泰勝微科技 今年第一個在國內(nèi)推出了自有品牌BIWIN的eMMC產(chǎn)品，完全自主研發(fā)和封裝測試，并將其產(chǎn)品命名為qNAND，已于年中推向了市場。泰勝微科技專注于 嵌入式存儲產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)。擁有11年Flash的行業(yè)經(jīng)驗，是華南地區(qū)唯一一家擁有12寸晶圓封裝測試工廠的民營企業(yè)。根據(jù)最新的測試結(jié) 果，BIWIN的品牌eMMC——qNAND在一些關(guān)鍵性能指標(biāo)上大幅優(yōu)于同類產(chǎn)品。作為后來者，泰勝微的表現(xiàn)很值得期待。  

eMMC的未來 

eMMC規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)逐漸從eMMC4.3世代發(fā)展到eMMC4.4世代，eMMC4.5即將問世。就目前JEDEC的規(guī)劃方向來看，eMMC下 一個世代將會由UFS(Universal Flash Storage)規(guī)格接棒。我們將UFS視為一種銜接eMMC 4.5版后的NAND Flash新接口標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)期未來初期將在智能型手機(jī)及平板計算機(jī)等新興智能型移動裝置上，成為嵌入式儲存媒體的主要的應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)之一。UFS將提供極高的速 度，以即時高速存儲大型多媒體文件，同時在消費(fèi)電子設(shè)備上使用時降低功耗。有了新的90分鐘電影的時間會從目前的3分鐘降低到幾秒鐘。這項新的標(biāo)準(zhǔn)將支持 手機(jī)，數(shù)碼相機(jī)等其他消費(fèi)電子產(chǎn)品，并將做為方便通用的開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)存在。

討論到eMMC的發(fā)展歷程，必須要從介紹Flash的歷史開始

Flash分為兩種規(guī)格：NOR Flash和NAND Flash，兩者均為非易失性閃存模塊。

1988年，Intel首次發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。NOR類似于DRAM, 以存儲程序代碼為主，可以讓微處理器直接讀取。因為讀取速度較快，但晶片容量較低，所以多應(yīng)用在通訊產(chǎn)品中，如手機(jī)。

1989年，東芝公司發(fā)表NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。因為NAND flash的晶片容量相對于NOR大，更像硬盤，寫入與清除資料的速度遠(yuǎn)快于NOR，所以當(dāng)時多應(yīng)用在小型機(jī)以儲存資料為主。目前已廣泛應(yīng)用在各種存儲設(shè) 備上, 可存儲代碼和資料。

NAND Flash的存儲單元發(fā)展:從 SLC, MLC到TLC，超越摩爾定律

SLC=Single-Level Cell, 即1bit/cell，讀寫速度快，壽命長，價格是MLC三倍以上，約10萬次讀寫壽命。

MLC=Multi-Level Cell, 即2bit/cell ,速度一般，壽命一般，價格一般，月3000-10000次讀寫壽命。

TLC=Triple-Level Cell,  即3bit/cell，速度慢，壽命短，價格便宜，約500次讀寫壽命，技術(shù)在逐漸成長中。

摩爾定律是由英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來的。其內(nèi)容為：當(dāng)價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買 到的電腦性能，將每隔18個月翻兩倍以上。而NAND Flash行業(yè)的摩爾定律周期則只有12個月。

NAND Flash的存儲單元從最初的SLC（ Single Layer Cell）, 到2003年開始興起MLC (Multi-Layer Cell), 發(fā)展至今，SLC已經(jīng)淡出主流市場，主流存儲單元正在從MLC向TLC（Triple Layer Cell）邁進(jìn)。納米制程工藝和存儲單元的發(fā)展，使得同樣大小的芯片有更高密度和更多的存儲單元，F(xiàn)lash得以在容量迅速增加的同時，還大幅降低了單位 存儲容量的成本。

但其弊端也輕易顯現(xiàn)，從原來的1bit/cell發(fā)展到后來3bit/cell, 計算更為復(fù)雜，出錯率不免更高，讀寫次數(shù)和壽命也會更短。在這種情況下現(xiàn)有MLC 和 TLC Flash 都需要搭配一顆高性能的控制芯片來提供EDC和ECC、平均擦寫等Flash管理。

隨著近年平板電腦和智能手機(jī)等在全球熱潮來襲，嵌入式存儲eMMC即營運(yùn)而生

iphone，iPAD帶動了智能手機(jī)和平板電腦行業(yè)的迅猛發(fā)展，引發(fā)了電子產(chǎn)品更新?lián)Q 代，對存儲硬件提出了更高的要求。多媒體播放、高清攝像，GPS，各色各樣的應(yīng)用以及外觀輕薄小巧的發(fā)展趨勢，要求存儲硬件擁有高容量、高穩(wěn)定性和高讀寫 速度的同時，需要存儲芯片在主板中占有更小的空間。然而NAND Flash 隨著納米制程和存儲技術(shù)的主流趨勢發(fā)展，性能卻在不斷下降。可擦寫壽命短，出錯概率高，讀寫速度慢，穩(wěn)定性差。嵌入式存儲芯片eMMC就可以彌補(bǔ)這個市場 需求和NAND Flash發(fā)展的缺口。

eMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用統(tǒng)一的MMC標(biāo)準(zhǔn)接口， 把高密度NAND Flash以及MMC Controller封裝在一顆BGA芯片中。針對Flash的特性，產(chǎn)品內(nèi)部已經(jīng)包含了Flash管理技術(shù)，包括錯誤探測和糾正，flash平均擦寫， 壞塊管理，掉電保護(hù)等技術(shù)。用戶無需擔(dān)心產(chǎn)品內(nèi)部flash晶圓制程和工藝的變化。同時eMMC單顆芯片為主板內(nèi)部節(jié)省更多的空間。

之前市場上流通的eMMC產(chǎn)品均出自國外的廠商閃迪、三星、東芝。而大陸廠商泰勝微科技 今年第一個在國內(nèi)推出了自有品牌BIWIN的eMMC產(chǎn)品，完全自主研發(fā)和封裝測試，并將其產(chǎn)品命名為qNAND，已于年中推向了市場。泰勝微科技專注于 嵌入式存儲產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)。擁有11年Flash的行業(yè)經(jīng)驗，是華南地區(qū)唯一一家擁有12寸晶圓封裝測試工廠的民營企業(yè)。根據(jù)最新的測試結(jié) 果，BIWIN的品牌eMMC——qNAND在一些關(guān)鍵性能指標(biāo)上大幅優(yōu)于同類產(chǎn)品。作為后來者，泰勝微的表現(xiàn)很值得期待。

eMMC的未來

eMMC規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)逐漸從eMMC4.3世代發(fā)展到eMMC4.4世代，eMMC4.5即將問世。就目前JEDEC的規(guī)劃方向來看，eMMC下 一個世代將會由UFS(Universal Flash Storage)規(guī)格接棒。我們將UFS視為一種銜接eMMC 4.5版后的NAND Flash新接口標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)期未來初期將在智能型手機(jī)及平板計算機(jī)等新興智能型移動裝置上，成為嵌入式儲存媒體的主要的應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)之一。UFS將提供極高的速 度，以即時高速存儲大型多媒體文件，同時在消費(fèi)電子設(shè)備上使用時降低功耗。有了新的標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)計用戶存取90分鐘電影的時間會從目前的3分鐘降低到幾秒鐘。 這項新的標(biāo)準(zhǔn)將支持手機(jī)，數(shù)碼相機(jī)等其他消費(fèi)電子產(chǎn)品，并將做為方便通用的開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)存在。

標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)計用戶存取