三菱電機(jī)（www.MitsubishiElectric-mesh.com）今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來(lái)”為題，攜帶九款全新功率器件，于6月24至26日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2015(展位號(hào)4A08)中隆重亮相。
　　今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：工業(yè)傳動(dòng)、光伏發(fā)電、變頻家電、軌道牽引及電動(dòng)汽車(chē)，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。
　　工業(yè)及光伏發(fā)電市場(chǎng)
　　針對(duì)工業(yè)光伏逆變器市場(chǎng)的需要，三菱電機(jī)將展出四款新型功率模塊，包括第7代IGBT模塊、DIPIPM+模塊、4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊及1in1三電平逆變器用IGBT模塊。
　　這次展出的第7代IGBT模塊，特別適用于通用變頻器。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片；具有650V、1200V和1700V三種電壓等級(jí)；提高利用門(mén)極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性；涵蓋模塊電流100A至1000A；采用預(yù)涂熱界面材料(TIM)，與傳統(tǒng)硅脂相比，模塊與散熱器的接觸熱阻降低50%。它繼承現(xiàn)有的統(tǒng)一封裝(NX)和傳統(tǒng)封裝(A/NF/MPD)，適應(yīng)不同的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)需求；NX封裝具有焊接方式和壓接方式兩種控制端子。
　　

　　整流逆變制動(dòng)一體化模塊DIPIPM+則完整地集成整流橋、逆變橋、制動(dòng)單元以及相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。 它采用第7代CSTBTTM硅片；提供短路保護(hù)和欠壓保護(hù)；內(nèi)置自舉二極管； 提供LVIC溫度模擬量輸出功能；額定電流覆蓋50A/600V和5~35A/1200V。采用該款模塊設(shè)計(jì)通用變頻器，可以最大程度地簡(jiǎn)化布線設(shè)計(jì)，縮小基板面積，縮短開(kāi)發(fā)周期；同時(shí)還可以降低布線電感及濾波器成本，使噪聲設(shè)計(jì)變得簡(jiǎn)單。
　　

　　4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊, 是專(zhuān)門(mén)為提高光伏發(fā)電效率而開(kāi)發(fā)的400A模塊， 半橋采用第6.1代1200V IGBT硅片，交流開(kāi)關(guān)采用第7代650V IGBT硅片，損耗低、允許結(jié)溫高達(dá)175℃；內(nèi)部雜散電感小，正負(fù)端子之間為32nH、正零端子之間為和零負(fù)端子之間均27nH；絕緣耐壓高達(dá)4000Vrms/1min；更采用了易于并聯(lián)的封裝結(jié)構(gòu)。
　　

　　在1in1三電平逆變器用IGBT模塊中，1200V級(jí)和1700V級(jí)均采用第6代IGBT硅片，實(shí)現(xiàn)更低損耗，方便客戶根據(jù)不同需要構(gòu)建I型或者T型三電平拓?fù)洌荒K內(nèi)部雜散電感小，一單元模塊為8nH，兩單元模塊為12nH。絕緣耐壓高達(dá)4000Vrms/1min，結(jié)溫最高可達(dá)175℃。
　　

　　三菱電機(jī)大中國(guó)區(qū)半導(dǎo)體總經(jīng)理四個(gè)所大亮先生稱(chēng)：“三菱電機(jī)承持可持續(xù)發(fā)展信念，不斷研發(fā)高性能、高可靠性及小型化的功率器件，來(lái)滿足電力電子市場(chǎng)的需要。對(duì)于功率器件市場(chǎng)的前景，我們抱持十分樂(lè)觀的態(tài)度，隨著中國(guó)政府加大力度治理環(huán)境，必將給新能源利用產(chǎn)業(yè)帶來(lái)更大的發(fā)展空間。”
　　變頻家電市場(chǎng)
　　對(duì)于變頻家電應(yīng)用，三菱電機(jī)這次特別推介兩款產(chǎn)品，分別為SJMOS DIPIPMTM模塊與專(zhuān)為變頻冰箱及變頻風(fēng)機(jī)設(shè)計(jì)的SLIMDIP模塊。
　　SJMOS DIPIPMTM模塊采用IGBT和SJMOS并聯(lián)技術(shù)，達(dá)至同時(shí)優(yōu)化小電流段和大電流段的損耗，封裝和功能完美，兼容第6代超小型DIPIPM模塊。
　

　　SLIMDIP則采用第3代RC-IGBT技術(shù)，集成短路保護(hù)和欠壓保護(hù)，內(nèi)置自舉二極管（和限流電阻），同時(shí)提供LVIC溫度模擬量輸出版本和過(guò)溫保護(hù)版本，封裝面積比超小型DIPIPMTM縮小達(dá)30%。

　　軌道牽引及電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)
　　在PCIM 2015亞洲展上，三菱電機(jī)為軌道牽引領(lǐng)域帶來(lái)兩款新的功率模塊，分別為X系列HVIGBT模塊及下一代兩單元HVIGBT模塊，可應(yīng)用于牽引變流器及直流輸電變流子模塊；而J1系列車(chē)用IGBT模塊則適用于電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)器。
　　X系列是最新一代HVIGBT模塊，進(jìn)一步提升了3.3kV/4.5kV/6.5kV等級(jí)的額定電流；使用了第7代IGBT和RFC Diode硅片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更低飽和壓降和開(kāi)關(guān)損耗。它同時(shí)采用LNFLR技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低熱阻；并有更寬的安全工作區(qū)。針對(duì)電力傳輸應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的6500V/1000A單管HVIGBT模塊已率先發(fā)布。
　　

　　至于下一代兩單元HVIGBT模塊，將提供三個(gè)電壓等級(jí)3.3kV/450A、4.5kV/400A及6.5kV/275A，均采用全新封裝，實(shí)現(xiàn)更低的雜散電感及更易于并聯(lián)，其絕緣耐壓達(dá)10.4kVrms/1min。
　

　　J1系列車(chē)用IGBT模塊專(zhuān)為電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)，是采用Pin-fin底板的六合一IGBT模塊。它采用第7代IGBT硅片技術(shù)及高可靠性的DLB(直接主端子綁定)技術(shù)，以及基于硅片的溫度和電流檢測(cè)技術(shù)；與傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)相比，熱阻降低40%，安裝面積減小40%。三菱電機(jī)將提供包括驅(qū)動(dòng)電路、冷卻水套及薄膜電容的整體解決方案技術(shù)支持，以方便客戶快速應(yīng)用該模塊實(shí)現(xiàn)車(chē)用逆變器的設(shè)計(jì)。

　　三菱電機(jī)機(jī)電（上海）有限公司簡(jiǎn)介
　　三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)集團(tuán)。在2014年的《財(cái)富》500強(qiáng)排名中，名列第273。
　　作為一家技術(shù)主導(dǎo)型的企業(yè)，三菱電機(jī)擁有多項(xiàng)領(lǐng)先技術(shù)，并憑強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場(chǎng)占據(jù)著重要的地位。
　　三菱電機(jī)機(jī)電（上海）有限公司把弘揚(yáng)國(guó)人智慧，開(kāi)創(chuàng)機(jī)電新紀(jì)元視為責(zé)無(wú)旁貸的義務(wù)與使命。憑借優(yōu)越的技術(shù)與創(chuàng)造力貢獻(xiàn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以促進(jìn)社會(huì)繁榮。
　　三菱電機(jī)半導(dǎo)體產(chǎn)品包括三菱功率模塊（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等）、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產(chǎn)品，其中三菱功率模塊在電機(jī)控制、電源和白色家電的應(yīng)用中有助于您實(shí)現(xiàn)變頻、節(jié)能和環(huán)保的需求；而三菱系列光器件和光模塊產(chǎn)品將為您在各種模擬/數(shù)字通訊、有線/無(wú)線通訊等應(yīng)用中提供解決方案。
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