現(xiàn)代電子產(chǎn)品的穩(wěn)定運行對阻抗的要求越來越高，阻抗的模擬變得越來越重要，線寬/線距是條件，疊板結(jié)構(gòu)是基礎(chǔ)。芯板的選取、半固化片的疊加、銅層和阻焊層的厚度都會影響板子的成本和阻抗的測試結(jié)果。半固化片106、1080-7628各個型號有著不同的介電常數(shù)，多片低型號薄半固化片易于調(diào)整疊板厚度且層壓后更容易滿足阻抗的測試，但相應(yīng)成本將出現(xiàn)大幅增加。
無論是互動阻抗還是差動阻抗，影響阻抗值的因素有﹕（影響度由大至小）
Er：介電質(zhì)常數(shù)，與阻抗值成反比；
H1：線路層與墊地層間介電層厚度，與阻抗值成正比，參考基板及PP之壓合厚度；
W：線寬，與阻抗成(反比)；
T：銅厚，與阻抗值成反比，內(nèi)層為基板銅厚，外層為銅箔厚度+鍍銅厚度，依據(jù)孔銅規(guī)格而定；
S：相鄰線路與線路之間的間距，與阻抗值成正比（差動阻抗）；
H2：線路層與線路層間介電層厚度，與阻抗值成反比；
H3：防焊漆厚度，與阻抗值成反比。
推薦使用Polar SI8000/SI9000阻抗計算軟件，此軟件集成了大量與阻抗仿真相關(guān)的模擬，適用于PCB設(shè)計與生產(chǎn)。
一、阻抗模擬軟件介紹
Polar SI8000
此軟件已經(jīng)可以很好的滿足現(xiàn)在的阻抗模擬要求,為最優(yōu)先使用的模擬方法。另外，此軟件中有 EXCEL與普通兩個版本，可以很容易處理大量的阻抗模擬。
Polar SI9000
此軟件集成了大量與阻抗仿真相關(guān)的模擬，適用于PCB設(shè)計與生產(chǎn)。其生產(chǎn)相關(guān)的參數(shù)設(shè)置與SI8000 完全相同。
二、仿真模式選擇
1、內(nèi)層標(biāo)準仿真模式
2、外層標(biāo)準仿真模式
3、其它仿真模式
三、SI8000與SI9000阻抗仿真參數(shù)設(shè)置
1、標(biāo)準模塊仿真參數(shù)設(shè)置—內(nèi)層部分:
（1） 參數(shù)描述：
“H1” 阻抗線線底到下參考銅面的間距
“Er1” H1部分絕緣材料的Er值
“H2” 阻抗線線底到上參考銅面的間
“Er2” H2部分絕緣材料的Er值
“W1” 阻抗線線底寬
“W2” 阻抗線線底寬度
“s1” 阻抗線線底之間的間距
“REr” 樹脂的 Er值
“T1” 阻抗線完成銅厚
“Z0” 阻抗模擬結(jié)果
（2） 仿真模塊簡圖
（3） 基本參數(shù)設(shè)置
W2 值設(shè)置：0.5OZ銅設(shè)置為 W1-0.3mil，
1.0 OZ銅設(shè)置為W1-0.5mil，
2.0 OZ銅設(shè)置為W1-0.7 mil；
REr 值設(shè)置：當(dāng)材料為Halogen-free 材料時，此值為3.2 ，其它材料設(shè)置為3.0；
Er 值設(shè)置：根據(jù)疊板圖與相關(guān)文件選擇。
2、標(biāo)準模塊仿真參數(shù)設(shè)置—外層部分:
（1）參數(shù)描述：
“H1”阻抗線線底到下參考銅面的間距
“Er1”H1部分絕緣材料的Er值
“C1”基材上的阻焊層厚
“C2”線面上的阻焊層厚度
“W1”阻抗線線底寬
“W2”阻抗線線底寬度
“s1” 阻抗線線底之間的間
“C2” 阻抗線之間的阻焊層厚
“CEr”阻焊材料的 Er值
“T1” 阻抗線完成銅
“Z0” 阻抗模擬結(jié)果
（2） 仿真模塊簡圖
（3）基本參數(shù)設(shè)置
W2 值設(shè)置：銅厚小于等于2.0mil時，設(shè)置為W1-0.5mil：
銅厚大于2.0mil銅時，設(shè)置為W1-0.7mil；
C1，C2，C3值設(shè)置：銅厚小于等于2.0mil銅時，依次設(shè)置為1.0 /0.4 /1.4 mil，
銅厚大于2.0mil銅時，依次設(shè)置為1.1 /0.5 /1.5mil；
CEr 值設(shè)置：此值設(shè)為3.6；
Er 值設(shè)置：根據(jù)疊板圖與相關(guān)文件選擇。
四、其它設(shè)置
1、銅厚選擇：
外層銅厚根據(jù)疊板結(jié)構(gòu)圖添加；
內(nèi)層銅厚根據(jù)以下原則選擇：
0.5 oz銅厚為 0.53mil，
1.0 oz銅厚為 1.1mil，
2.0 oz銅厚為 2.3mil。
2、其它模式的阻抗仿真請遵循軟件說明。