富士電機與香港科技大學(xué)組成的研究小組在“ISPSD 2016”上發(fā)布了可縮小二極管的邊緣終端（Eedge Termination）區(qū)域的新技術(shù)。與以往設(shè)置保護環(huán)的邊緣終端相比，該技術(shù)可使邊緣終端的長度縮短至1/5以下。
隨著二極管不斷實現(xiàn)微細化，作為元件發(fā)揮作用的主動區(qū)域越來越小，邊緣終端在二極管芯片中所占的比例則越來越大。尤其是輸出電流較小的二極管，邊緣終端 所占的比例更大。在用于白色家電等的耐壓600V的5A二極管中，邊緣終端的長度約為350μm，在整個芯片面積中所占的比例達到了約55％。因此，該研 究小組開始研究如何縮小邊緣終端。
此次采用了在二極管表面挖掘溝槽，然后用“BCB（苯并環(huán)丁烯）”等填充溝槽的結(jié)構(gòu)。在主動區(qū)域為 0.55mm2（相當于2A）的情況下，采用該結(jié)構(gòu)設(shè)置邊緣終端，僅以35μm的長度就獲得了755V的耐壓特性。據(jù)介紹，這一數(shù)值還不到以往采用保護環(huán) 方式的邊緣終端的1/5。
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