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聯發科16nm制程的P20能否重現Helio P10的輝煌

2016-07-20

  據報道指聯發科首款16nm工藝的芯片helio P20正式上市,這被它寄予厚望希望實現helio P10的輝煌,后者被許多品牌采用,特別是去年至今高速增長的OPPO和vivo采用推動聯發科的業績實現了高增長。

  不過可惜的是,helio P20雖然采用了先進的16nmFF+工藝,但是在基帶和GPU性能方面卻太落后,這將成為它一大弱點而不被中國手機品牌所接受。

  Helio P20的基帶僅支持LTE Cat6技術,不符合中國移動即將要求的至少LTE Cat7以上技術,LTE Cat7可以支持上下行雙載波聚合,而LTE Cat6僅支持下行載波聚合。

  中國移動采用的是TD-LTE制式,由于技術上的因素,加上另外兩家運營商聯通電信運行的LTE-FDD在具有技術優勢的情況下也積極推動4G+的發展,所以中國移動希望推動上下行雙載波聚合以獲得技術上的競爭力。

  不過,聯發科顯然在基帶技術上要落后高通、華為海思、三星和展訊,這些芯片企業都已經推出了支持LTE Cat7以上技術的基帶,更讓聯發科不好受的是一直以挑戰聯發科的展訊也在基帶技術上領先。

  基帶技術上的落后,將導致采用聯發科芯片的國產手機品牌難以獲得中國移動的補貼,而且隨著中國移動正式公布這項要求將導致不支持LTE Cat7以上技術的手機在競爭中處于劣勢。

  Helio P20另一個技術較落后的就是它的GPU了,在手機企業的競爭下,它們開始在中高端手機上采用2K屏,然而P20的GPU僅僅是T880 MP2,雖然頻率高達900MHz,但是性能上較弱是無疑的,估計會比高通同檔芯片驍龍625要弱不少。

  高通的驍龍625也支持LTE Cat7以上技術,采用三星的14nm工藝,與helioP20一樣都是八核A53架構,技術上的落后將讓聯發科在下半年的競爭中處于弱勢,難有上半年的好成績。


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