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倍耐克加強在批量型工業化原子層沉積技術上的領先地位

2016-07-26
關鍵詞: 倍耐克 薄膜設備 ALD LED

  -- 該公司在2016年第16屆國際原子層沉積大會上推出新產品Beneq R11?和Beneq T2S?

  芬蘭埃斯波2016年7月25日電 /美通社/ -- 領先的原子層沉積(ALD)設備和鍍膜服務提供商倍耐克(Beneq)今天面向工業客戶推出兩款新的薄膜設備解決方案,從而滿足這些用戶在ALD先進應用方面,對高產能和低制備成本的需求。新推出的產品將樹立ALD行業的涂層速度新標準。

  Beneq R11? - 超快高精度空間ALD涂層

  Beneq R11是倍耐克廣泛的工業用高產能空間ALD解決方案組合的最新成員。該產品為工業應用中在硅片上運用高性能ALD工藝提供了最理想的解決方案。它可以很好地滿足設備對速度、成本、低制備溫度和盡可能提高薄膜質量等關鍵要素的需求。

  Beneq R11的推出首次讓等離子體增強型原子層沉積(PEALD)工藝用于大批量生產成為可能。該系統適用于微電機系統(MEMS)、LED(發光二極管)、OLED(有機發光二極管)、光伏、大功率半導體和傳感器領域的阻擋層、隔熱層和防腐保護層等應用。

  Beneq T2S? - 自動化批量硅片設備

  Beneq T2S是倍耐克基于硅片的生產設備組合的最新一員。它可用于高產能批量制備并同時具備標準的自動上下片系統。經過專門設計的Beneq T2S可滿足半導體應用的要求,包括國際半導體設備與材料協會(SEMI) S2安全標準和較少顆粒數等規定。

  Beneq T2S是MEMS、LED,OLED和噴墨打印機噴頭等各類硅片應用實現大批量生產的理想之選。Beneq T2S的批量熱處理ALD技術適用于氧化物和氮化物的薄膜制備,可用于絕緣體、導體、阻擋層和鈍化處理等應用。

  新產品在位于愛爾蘭都柏林舉行的2016年第16屆國際原子層沉積大會(ALD2016)上正式推出。


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