最新 Flex? 系統(tǒng)提供業(yè)界首創(chuàng)的電介質(zhì)原子層刻蝕（ALE） 生產(chǎn)工藝并已應(yīng)用于量產(chǎn)

　　美國(guó)加利福尼亞州弗里蒙特市——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商泛林集團(tuán)公司（納斯達(dá)克股票代碼：LRCX）今天宣布，公司推出了基于 Flex? 電介質(zhì)刻蝕系統(tǒng)的原子層刻蝕 (ALE) 技術(shù)，從而進(jìn)一步擴(kuò)大了其旗下的ALE產(chǎn)品家族。

　　得益于泛林集團(tuán)先進(jìn)的混合模式脈沖 (AMMP) 技術(shù)，新型 ALE 工藝可在原子層面進(jìn)行控制，以應(yīng)對(duì)邏輯器件尺寸縮小至 10 nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)所面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。最新的 Flex 系統(tǒng)在業(yè)界率先使用等離子體增強(qiáng)的 ALE 技術(shù)進(jìn)行電介質(zhì)膜刻蝕，并已被用作邏輯器件大批量生產(chǎn)的標(biāo)配設(shè)備。

　　泛林集團(tuán)刻蝕產(chǎn)品事業(yè)部副總裁 Vahid Vahedi 表示：“從晶體管和接觸孔的制造到金屬互聯(lián)的成形，邏輯器件制造商對(duì)精度不斷提出新要求，以滿足10nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的需要。對(duì)于一些使用刻蝕工藝來(lái)幫助制造關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的器件應(yīng)用，如自對(duì)準(zhǔn)接觸孔等，傳統(tǒng)技術(shù)無(wú)法提供足夠精準(zhǔn)的工藝控制，以滿足現(xiàn)階段嚴(yán)格的產(chǎn)品規(guī)格要求。我們最新的 Flex 產(chǎn)品采用電介質(zhì)原子層刻蝕，以達(dá)到原子級(jí)別的精準(zhǔn)工藝控制，并且已經(jīng)通過(guò)量產(chǎn)驗(yàn)證，能夠滿足客戶的關(guān)鍵需求。”

　　為進(jìn)一步縮小邏輯器件尺寸，芯片制造商正采取新的集成方案，例如使用自對(duì)準(zhǔn)接觸孔 (SAC) 來(lái)解決 RC 延遲問(wèn)題。因此，接觸孔刻蝕已成為最關(guān)鍵的工藝之一，直接影響晶片產(chǎn)品良率和晶體管性能。為了能以高保真度制造關(guān)鍵器件結(jié)構(gòu)，刻蝕工藝需要選擇性超高的定向（各向異性）技術(shù)，同時(shí)還要保證量產(chǎn)所需的高生產(chǎn)效率。

　　泛林 Flex 電介質(zhì)刻蝕系統(tǒng)為下一代邏輯器件和晶圓代工生產(chǎn)提供業(yè)界最先進(jìn)的電容耦合等離子體 (CCP) 反應(yīng)器，該反應(yīng)器采用獨(dú)特的小體積設(shè)計(jì)，以提供可重復(fù)的結(jié)果。最新的Flex系統(tǒng)采用了專有的 AMMP 技術(shù)，可對(duì)電介質(zhì)膜，如二氧化硅 (SiO2) 進(jìn)行原子層刻蝕。與過(guò)去的電介質(zhì)刻蝕技術(shù)相比，該技術(shù)通過(guò)原子層級(jí)別的工藝控制，將選擇比提升了兩倍。