本周宣布正式合并中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)臺(tái)塑旗下存儲(chǔ)廠華亞科的美商存儲(chǔ)大廠美光 (Micron) 在 15 日表示，由于該公司的 3D NAND 閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò) 2D NAND 閃存。其中，包括第 1 代 3D NAND 閃存的成本也符合預(yù)期，堆疊層數(shù)達(dá)到 64 層的第 2 代 3D NAND 閃存也在已經(jīng)準(zhǔn)備完成，預(yù)計(jì)將在 2016 年底要正式大規(guī)模量產(chǎn)。

根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，美光公司財(cái)務(wù)長(zhǎng) Ernie Maddock 在 15 日參加巴克萊銀行全球技術(shù)、媒體及通訊大會(huì)上表示，該公司的 3D NAND 閃存產(chǎn)能與 2D NAND 閃存產(chǎn)能已經(jīng)來(lái)到交叉點(diǎn)上。也就是說(shuō)，3D NAND 閃存的產(chǎn)能，以容量計(jì)算，將要超過(guò) 2D NAND 閃存。

此外，Ernie Maddock 還表示，美光的第 1 代 3D NAND 閃存在降低生產(chǎn)成本上已經(jīng)達(dá)到預(yù)期目標(biāo)。由于，美光在 2016 年上半年的發(fā)展路線上曾指出，未來(lái)預(yù)計(jì) 3D NAND 閃存的成本，將要比 2D NAND 降低至少 20% 左右。如今，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)降低 20% 到 25% 的成本。這樣的情況，對(duì)于未來(lái)將開(kāi)始在新加坡 Fab 10X 晶圓廠大規(guī)模量產(chǎn)來(lái)說(shuō)，有著其正面的幫助。

目前市場(chǎng)上許多固態(tài)硬盤(pán) (SSD) 都已經(jīng)轉(zhuǎn)向 3D NAND 閃存。因?yàn)椋徽撌切阅埽€是容量，或者是使用壽命，3D NAND 閃存都要比傳統(tǒng) 2D NAND 閃存好得多。而且，廠商也會(huì)借此來(lái)降低生產(chǎn)成本，以提高產(chǎn)量。就美光為例，其所生產(chǎn)的 2D NAND 閃存，主力是 16 納米制程的產(chǎn)品，MLC/TLC 閃存的核心容量不過(guò) 128Gb。但是，借由 3D NAND 技術(shù)的 MLC 閃存核心容量就有 256Gb，TLC 更是達(dá)到 384Gb，大大優(yōu)于 2D NAND 閃存。

事實(shí)上，在轉(zhuǎn)向 3D NAND 生產(chǎn)方面，實(shí)力最強(qiáng)的仍以韓國(guó)三星領(lǐng)先，東芝 (Toshiba)/ Sandisk 與 SK 海力士其次，英特爾 (Intel) 和美光的動(dòng)作算是比較慢的了。不過(guò)，一旦 3D NAND 閃存開(kāi)始量產(chǎn)，由于容量先天性的優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)能超過(guò) 2D NAND 閃存將是遲早的事。