臺灣地區取得全球晶圓代工第一、封裝第一及IC設計第二（僅次于美國）的驕人成績，并沒有沾沾自喜，相反總是在努力尋找差距，并確立追趕目標，這一點非常難能可貴。例如在臺灣島內自2004年開始，就半導體及平板顯示業展開大討論，以南韓為目標尋找差距，口號是“為什么韓國能，臺灣不能？”

通過分析與比較，臺灣在半導體產業中的目標是：1) 總產值要超過韓國，成為繼美國，日本之后的全球第三位；2) 在未來三至五年中，存儲器業要超過韓國，成為全球第一。

為什么選擇存儲器作為突破口？

這是一個值得思考的好問題。回顧80年代日本追趕美國，以及90年代韓國追趕日本，都是以存儲器作為突破口。原因是存儲器市場巨大、設計技術相對簡單且易于擴大市場份額。

韓國就是在6英寸晶圓廠過渡到8英寸晶圓廠的世代交替時，以9座8英寸晶圓廠的產能優勢，一舉取代日本廠商躍居全球DRAM產業的第一。

臺灣地區試圖以同樣的方法，希望在8英寸過渡到12英寸晶圓廠的世代交替時，以擁有全球最多的12英寸晶圓廠來取勝。結果臺灣并未成功，三星及海力士仍雄居全球存儲器第一與第二位。

臺灣在存儲器方面重投資策略未能奏效

半導體業內有個潛規則，只要舍得投資就有可能成功。例如臺灣地區半導體業在90年初代工模式剛興起時，年投資金額與年銷售額之比達60％以上。

根據此理念，臺灣地區從2004年開始加速存儲器方面的投資。例如從2004至2008年期間，臺灣地區在存儲器方面的總投資達300億美元以上，擁有近20條12英寸晶圓生產線，位列全球第一，大大超出同期三星的投資。但是最終并未因12英寸晶圓生產線多而取得勝利，日前臺灣地區已宣布放棄存儲器追趕策略，而轉向固守陣地。臺灣DRAM和三星投資比較，如下圖所示。

臺灣DRAM與三星在投資方面的比較

原因初探

臺灣地區在存儲器方面重投資而未能奏效，原因是多方面的，也可以認為臺灣地區在半導體策略上的一次重大失誤。據筆者觀察有以下三個主要原因：

首先，臺灣地區在發展存儲器業中主要采用代工模式，而代工模式在DRAM中以失敗告終。

眾所周知，在DRAM產業中有兩個趨勢已成為共識。一個是工藝制程轉變快，緊跟摩爾定律。由于存儲器的產品設計上相對簡單，無多大差異。例如在12英寸晶圓中，同為512Mb DDR2產品，在相同工藝制程下，假設成品率均為85％時，90nm制程每片晶圓上產出的芯片數量為750至1050個，70nm制程則是1350至1420個，成本差距達40％以上。所以目前全球DRAM業紛紛從70nm制程加快轉進6x-5xnm制程。

另一個是月產能達15萬片的超級大廠盛行，投資高達50-80億美元。主要原因是出于運營成本的考慮，運行3個5萬片晶圓廠的成本肯定高過一個15萬片晶圓廠。按此理分析，代工廠的產能小，無法與IDM廠競爭。當產能足夠大時，一來代工廠擔心未來訂單不足而猶豫擴充產能，同時那些IDM廠又擔心代工廠會與自己爭奪客戶。另外，從根本上那些IDM廠也不可能把最先進制程的產品交給代工廠。因此，代工模式在DRAM業中受到質疑，中芯國際于2007年退出存儲器代工可能也是基于此理。

再有一個原因，臺灣地區存儲器業中缺乏自己應有的技術，過多的依賴于技術轉移。例如力晶與爾必達，茂德與海力士及華亞科與奇夢達（現在的美光），這三對都是前者依賴于后者的技術，因而臺系廠缺乏自已應有的技術，等于沒有脊梁。這也是臺灣地區存儲器追趕韓國失敗的主要原因。

最后一個原因是全球存儲器的市場未能達到預期。而目前幾乎2/3的新建或擴充產能集中在存儲器業中。從市場分析，推動全球存儲器業再次躍起有如下幾個潛在因素：Vista操作系統的普及，全球服務器和數據處理中心中存儲器的更替，以及筆記本和移動多媒體中SSD的推廣。因種種原因市場并未如預期那么大，而前幾年的投資開始發酵，造成供過于求的局面，最終導致DRAM和NAND閃存價格的持續下跌完全超出市場預期。

臺灣地區存儲器業經過近5年努力，花費300億美元以上的投資，結果未能超過韓國。一方面表明韓國在存儲器方面的實力之強大；另一方面也證明“金錢不是萬能的”，挑戰了半導體業的潛規則。