文獻標識碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.200512
中文引用格式： 熊倩，馬奎，楊發順. FinFET器件結構發展綜述[J].電子技術應用，2021，47(1)：21-27.
英文引用格式： Xiong Qian，Ma Kui，Yang Fashun. Overview of FinFET device structure development[J]. Application of Electronic Technique，2021，47(1)：21-27.
0 引言
晶體管最重要的性能是控制電流的開斷，當晶體管的溝道縮短到一定程度時，晶體管的溝道電流很難關緊。原因是內部電場的互相干擾導致柵極的電場不能發揮作用，因此會關不斷，從而形成泄漏電流。傳統的平面場效應(Metal Oxide Semiconductor，MOS)管由于受到短溝道效應[1-2]的作用而不能再有效地控制電流，從而產生三維鰭式場效應晶體管(Fin Field-Effect Transistor，FinFET)器件[3]。FinFET是加州大學伯克利分校的胡正明的教授發明的，主要有兩種，分別是1999年發布的基于立體型結構的FinFET晶體管技術，2000年發布的全耗盡型絕緣襯底上的硅(Fully Depleted Silicon On Insulator，FOI)晶體管技術[4]。在FinFET的架構中，閘門呈類似魚鰭的叉狀3D架構，可于電路的兩側控制電路的接通與斷開。FinFET技術的應用是在被發明的十年后，首先推出FinFET應用的是Intel，在22 nm工藝節點時傳統技術已經無法滿足溝道縮短的進一步發展。2013年Intel推出了第一代22 nm FinFET工藝，該工藝是采用體硅FinFET結構。2014年后Intel發布了14 nm FinFET技術，采用的也是體硅FinFET。隨后各大廠商如格羅方德、三星、臺積電等也開始轉進到FinFET工藝當中[5]。
本文首先梳理了體硅FinFET和SOI FinFET的結構形式以及部分被應用較廣泛結構的工藝，以及在體硅和SOI技術上發展起來的其他結構形式。著重總結了各種新型FinFET形式的結構特點，最后對FinFET器件具有更好性能的結構形式的未來工作進行展望。
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作者信息:
熊 倩1，馬 奎1，2，楊發順1，2
(1.貴州大學 大數據與信息工程學院，貴州 貴陽550025；
2.半導體功率器件可靠性教育部工程研究中心，貴州 貴陽550025)