物聯(lián)網(wǎng)(IoT)由數(shù)十億“物”連接到互聯(lián)網(wǎng)，其中每一物都必須被供電，因此如何降低整體功耗變得非常關(guān)鍵。

安森美半導(dǎo)體中國(guó)區(qū)應(yīng)用工程總監(jiān) 吳志民

    第六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)需要新的開(kāi)關(guān)控制器

    一般來(lái)說(shuō)，物聯(lián)網(wǎng)的電源來(lái)源于電池或AC-DC轉(zhuǎn)換。對(duì)于AC-DC轉(zhuǎn)換，監(jiān)管機(jī)構(gòu)強(qiáng)制實(shí)行日益嚴(yán)格的能效和空載功耗要求，如美國(guó)能源部第六級(jí)(DoE level VI)能效標(biāo)準(zhǔn)。半導(dǎo)體廠商需推出新的開(kāi)關(guān)控制器以符合最新能效標(biāo)準(zhǔn)。安森美半導(dǎo)體推出了NCP1340/1新一代準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)控制器，具有X2電容放電能力，開(kāi)關(guān)電壓谷底鎖定達(dá)第六谷底和轉(zhuǎn)換至頻率折返模式以降低開(kāi)關(guān)損耗。該新的IC使我們客戶的設(shè)計(jì)能輕易滿足美國(guó)能源部最新的第六級(jí)(DoE level VI)標(biāo)準(zhǔn)。

    氮化鎵產(chǎn)品更適用于高端電源

    氮化鎵（GaN）目前逐漸被采用，有高壓600 V或650 V常斷型GaN晶體管，可提供比硅MOSFET更低的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗。由于GaN器件的價(jià)格仍比硅MOSFET高，所以被采用于需要超高能效或功率密度的高端電源。

    電動(dòng)汽車為電池管理帶來(lái)新的機(jī)遇

    在電動(dòng)車內(nèi)部有大量的半導(dǎo)體成分。其中，最高的價(jià)值來(lái)自驅(qū)動(dòng)電機(jī)逆變電路的功率半導(dǎo)體模塊。相信電動(dòng)車接替?zhèn)鹘y(tǒng)車輛還需要一段時(shí)間。采用48 V總線的輕度混合動(dòng)力車正日漸普及，除了驅(qū)動(dòng)帶式起動(dòng)發(fā)電機(jī)（BSG）的中壓（如80 V）功率模塊，48 V/12 V雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器給安森美半導(dǎo)體帶來(lái)許多中壓MOSFET商機(jī)。

    除了早前推出的新一代AC-DC開(kāi)關(guān)控制器NCP1340/1，安森美半導(dǎo)體將推出一系列高壓（達(dá)80 V）、高電流（達(dá)15 A）的同步整流開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，適用于電信和工業(yè)應(yīng)用。另外，在功率分立器件方面，2017年將推出第三代超結(jié)MOSFET和碳化硅(SiC) MOSFET系列。