以SiC和GaN為代表的第三代半導體材料是全球戰略競爭新的制高點。美、日、歐等各國積極進行戰略部署，第三代半導體材料引發全球矚目，并成為半導體技術研究前沿和產業競爭焦點。作為電力電子器件，SiC器件在低壓領域如高端的白色家電、電動汽車等由于成本因素，逐漸失去了競爭力。但在高壓領域，如高速列車、風力發電以及智能電網等，SiC具有不可替代性的優勢。

SiC材料與電力電子器件的發展

賽迪智庫在充分研究了SiC材料和電力電子器件的發展歷程之后認為，從2016年開始SiC已經進入成熟期。站在成熟期的“元年”，去研究各國在政策和產業的動向，對分析SiC產業的在我國的后續發展有著重要意義。

美國等發達國家為了搶占第三代半導體技術的戰略制高點，通過國家級創新中心、協同創新中心、聯合研發等形式，將企業、高校、研究機構及相關政府部門等有機地聯合在一起，實現第三代半導體技術的加速進步，引領、加速并搶占全球第三代半導體市場。美國等發達國家2016年第三代半導體材料相關部分政策措施：

國內也正在積極推進，著力換道超車。國家和各地方政府也陸續推出政策和產業扶持基金發展第三代半導體相關產業：地方政策也在2016年大量出臺，福建、廣東、江蘇、北京、青海等27個地區出臺第三代半導體相關政策（不包括LED）近30條。一方面多地均將第三代半導體寫入“十三五”相關規劃，另一方面不少地方政府有針對性對當地具有一定優勢的SiC和GaN材料企業進行扶持。福建省更是計劃投入500億，成立專門的安芯基金來建設第三代半導體產業集群。國內第三代半導體材料部分政策：

產業方面，SiC的電力電子器件市場在2016年正式形成，市場規模約在2.1億—2.4億美金之間。而據Yole最新預測，SiC市場規模在2021年將上漲到5.5億美金。目前全球有超過30家公司在電力電子領域擁有SiC、GaN相關產品的生產、設計、制造和銷售能力。2016年SiC無論在襯底材料、器件還是在應用方面，均有很大進展，已經開發出耐壓水平超過20KV的IGBT樣片。

圖：2015-2012年SiC器件市場規模 數據來源：Yole 2016

2016年的半導體領域并購案中直接涉及第三代半導體的有4項，涉及交易金額達100億美元。其中以Infineon收購Cree分拆的Wolfspeed對產業格局影響最大，但該項交易于2017年2月16日因為美國外國投資委員會（CFIUS）關注的國家安全問題而被迫中止。

2016年，我國第三代半導體電力電子器件的市場規模約1.6億元，其中90%為進口產品。我國在第三代半導體襯底、外延材料、器件的整體水平落后于美日歐等發達國家大于3年左右。在電力電子方面，日、美、歐在地鐵機車、新能源汽車、白色家電等領域已經開展了規模應用，而我國只在光伏逆變器、PFC電源、UPS等領域有小規模應用，可以說還有不小的差距。較差的基礎也決定了我國發展第三代半導體產業離不開產業投資基金的支持。據初步統計，目前各地涉及第三代半導體的地方基金規模超過1600億人民幣，同時能夠撬動更大規模的民間資本進入第三代半導體產業。2016年部分SiC項目投資列表：

目前，全球SiC產業格局呈現美國、歐洲、日本三足鼎立態勢。其中美國全球獨大，居于領導地位，占有全球SiC產量的70-80%；歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應用產業鏈，在全球電力電子市場擁有強大的話語權；日本是設備和模塊開發方面的絕對領先者。我國由于在LED方面已經接近國際先進水平，為第三代半導體在其它方面的技術研發和產業應用打下堅實的基礎。

縱觀近幾年中國半導體的發展，借助產業扶持基金進行海外收購已經成為提升國內產業實力的有力武器。但考慮到第三代半導體產業的資金和技術雙密集屬性，特別是SiC和GaN材料和芯片大量應用于軍事領域，海外收購第三代半導體相關技術和公司將會越來越困難，美國政府以“國家安全”為由阻止金沙江收購Lumiled、宏芯投資基金收購德國Aixtron就是其佐證。自主研發，全產業鏈提升國內在第三代半導體的競爭力已經是一個不可回避的問題。對比美歐日等發達國家，我們應該在以下幾個方面做出更大努力：

1．集中優勢資源扶持龍頭企業和研究機構。在我國SiC領域本身就不具備優勢的情況下，國家和地方的投資基金卻又很分散的投入到很多企業里面去，大大分散本來就不足的研發投入，難以形成規模效應。

2．公共研發平臺的參與。第三代半導體涉及多個學科、跨領域的技術和應用。很多基礎性研發不是企業能夠解決的。國內的研究院所大多按照領域劃分，也很難形成跨領域、多學科合作。可以以國家項目形式組織多個研究院所共同攻克基礎技術。

3．產業規劃先行。借助行業協會的力量，先行規劃產業發展線路，在標準、檢測、認證等方面內容。是產業發展更趨合理性和指導性。解決現行標準、檢測、認證等規則、程序和新材料產業發展特點不匹配之處。