晶圓代工廠聯(lián)電獲準(zhǔn)授權(quán)28 納米技術(shù)予中國(guó)子公司聯(lián)芯集成電路制造（廈門(mén)），聯(lián)芯28 納米預(yù)計(jì)第二季導(dǎo)入量產(chǎn)，將搶攻中國(guó)手機(jī)芯片市場(chǎng)。
聯(lián)芯甫于去年底投產(chǎn)，目前以40 納米制程技術(shù)為主，月產(chǎn)能約1．1 萬(wàn)片規(guī)模。
聯(lián)電今天公告，獲準(zhǔn)技術(shù)授權(quán)28 納米技術(shù)予中國(guó)子公司聯(lián)芯，技術(shù)授權(quán)金額2 億美元。聯(lián)電表示，聯(lián)芯將盡快導(dǎo)入28 納米制程，預(yù)計(jì)第二季可進(jìn)入量產(chǎn)，將搶攻中國(guó)手機(jī)芯片市場(chǎng)；聯(lián)芯預(yù)計(jì)至今年底月產(chǎn)能將擴(kuò)增至1．6 萬(wàn)片規(guī)模。
至于2 億美元技術(shù)授權(quán)金，聯(lián)電指出，將依進(jìn)度認(rèn)列，只因與聯(lián)芯為母子公司關(guān)系，對(duì)損益無(wú)影響，僅有現(xiàn)金收入。
N－1規(guī)則，14nm量產(chǎn)后的推進(jìn)
根據(jù)臺(tái)灣規(guī)定，投資大陸的技術(shù)要比臺(tái)灣的落后一代，也就是所謂的“N－1”規(guī)則，聯(lián)電這次進(jìn)入大陸，是因?yàn)槠?4nm正式投入量產(chǎn)。
23日也宣布，自主研發(fā)的14nm鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程技術(shù)，已成功進(jìn)入客戶芯片量產(chǎn)階段，良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)水平，此制程將幫助客戶開(kāi)拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品。
聯(lián)電CEO顏博文表示，這次達(dá)成14nm量產(chǎn)的里程碑，象征聯(lián)電成功攜手客戶，將先進(jìn)技術(shù)導(dǎo)入市場(chǎng)，同時(shí)與其他客戶的合作也在順利進(jìn)行中，將持續(xù)優(yōu)化此制程，充分發(fā)揮14納米FinFET在效能、功耗和閘密度所具備的優(yōu)勢(shì)，以驅(qū)動(dòng)次世代硅芯片于網(wǎng)絡(luò)、人工智能和各類消費(fèi)產(chǎn)品等各領(lǐng)域的應(yīng)用。
聯(lián)電14納米 FinFET制程效能競(jìng)爭(zhēng)力已達(dá)業(yè)界領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)，速度較28nm增快55％，閘密度則達(dá)兩倍，此外，功耗亦較28納米減少約50％。 此14nm客戶芯片現(xiàn)正于聯(lián)華電子臺(tái)南的Fab 12A晶圓廠生產(chǎn)中，未來(lái)將因應(yīng)客戶需求，穩(wěn)步擴(kuò)充其14nm產(chǎn)能。
聯(lián)電宣布自主研發(fā)的14納米鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程技術(shù)， 也宣告聯(lián)電已決定將廈門(mén)聯(lián)芯的晶圓制程推進(jìn)到28nm量產(chǎn)，搶食在大陸制造最大一塊的手機(jī)和網(wǎng)通芯片代工商機(jī)。
顏博文強(qiáng)調(diào)，14納米FinFET制程效能競(jìng)爭(zhēng)力已達(dá)業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，速度比28 nm增快55％，閘密度達(dá)兩倍，而且芯片功耗也較28nm減少約50％。
28nm進(jìn)攻大陸，中芯國(guó)際受沖擊？
聯(lián)芯集成電路是聯(lián)電和廈門(mén)政府合作的12寸晶圓廠，計(jì)劃開(kāi)始于2015年，而到2016年6月，該工廠已經(jīng)交付投產(chǎn)，并在7月底投入試產(chǎn)，良率也高達(dá)98％。在產(chǎn)能布建上，2016第4季月產(chǎn)能約達(dá)3千片，從2017年開(kāi)始，逐季擴(kuò)充產(chǎn)能，2018年第二季平均月產(chǎn)能就可達(dá)到2．5萬(wàn)片規(guī)模。
業(yè)界人士認(rèn)為，聯(lián)芯55／40納米米制程可用來(lái)生產(chǎn)嵌入式芯片、CMOS影像感測(cè)器、通訊芯片等，高通將成為聯(lián)芯主要客戶之一。
目前，聯(lián)電28納米制程采用嶄新的應(yīng)力技術(shù)（SMT， t－CESL， c－CESL） 與嵌入式SiGe，以強(qiáng)化電子遷移率的表現(xiàn)，專為需要高效能與低功耗之應(yīng)用產(chǎn)品所開(kāi)發(fā)。目前已采用28HLP SiON 與28HPM／HPC HK／MG 制程量產(chǎn)多家客戶產(chǎn)品。聯(lián)電現(xiàn)正積極擴(kuò)增28納米產(chǎn)能，以滿足客戶對(duì)此廣受歡迎制程的高度需求。
28HLP – 采用強(qiáng)化的SiON技術(shù)
聯(lián)電高效能低功耗（HLP） 制程為40納米平順的制程移轉(zhuǎn)途徑，具備了便于設(shè)計(jì)采用，加速上市時(shí)程，以及優(yōu)異的效能／成本比。針對(duì)有高速要求的客戶應(yīng)用產(chǎn)品，此制程提供了大幅提升的效能與功耗，速度可較業(yè)界其他晶圓專工廠提供的28nm SiON制程提升10％。
28HPM／HPC － 采用高介電系數(shù)／金屬閘極堆疊技術(shù)
聯(lián)電28HPM／HPC 技術(shù)廣泛支援各種元件選項(xiàng)，以提升彈性及符合效能需求，同時(shí)針對(duì)多樣的產(chǎn)品系列，例如應(yīng)用產(chǎn)品處理器、手機(jī)基頻、WLAN、平板電腦、FPGA 及網(wǎng)通IC等。具備高介電系數(shù)／金屬閘極堆疊及豐富的元件電壓選項(xiàng)、記憶體位元組及降頻／超頻功能，有助于系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)公司推出效能及電池壽命屢創(chuàng)新高的產(chǎn)品。
在聯(lián)芯進(jìn)入28nm之后，因?yàn)槁?lián)電的良率明顯比中芯國(guó)際的穩(wěn)定，而這個(gè)制程更是中端手機(jī)芯片和高端網(wǎng)絡(luò)芯片的必備制程，他們進(jìn)入大陸，勢(shì)必會(huì)給中芯國(guó)際造成沖擊。對(duì)于中芯來(lái)說(shuō)，需要應(yīng)對(duì)的問(wèn)題又多了一個(gè)。