新型功率器件、封裝或材料都是為了提高電源能效和功率密度。安森美半導(dǎo)體非常注重新技術(shù)的開發(fā)與新材料器件的應(yīng)用，能同時(shí)提供氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 寬帶隙(WBG)器件，目前SiC二極管已經(jīng)量產(chǎn)并且廣泛應(yīng)用于工業(yè)、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域，SiC MOS 和新一代的GaN MOS 也在開發(fā)中，不久就會(huì)發(fā)布。

太陽(yáng)能/光伏的應(yīng)用市場(chǎng)會(huì)繼續(xù)穩(wěn)步成長(zhǎng)，特別是在中國(guó)。在技術(shù)上，逆變器會(huì)朝向更高的能效、允許更寬的電池板輸入電壓、更小的體積、更高的可靠性方向去發(fā)展。所以，更高頻化的應(yīng)用、新材料如碳化硅(SiC)的應(yīng)用、更多的功能、集成化多電平的模塊應(yīng)用等方面可能是未來(lái)逆變器設(shè)計(jì)的一些主要方向。

安森美半導(dǎo)體中國(guó)解決方案工程中心(SEC)高級(jí)經(jīng)理 陳立烽

安森美提供高能效和更小漏電流解決方案

安森美半導(dǎo)體一直致力于在新能源這一領(lǐng)域，同時(shí)非常注重新技術(shù)的開發(fā)與新材料器件的應(yīng)用。在光伏逆變器上，我們推出了我們第三代的超級(jí)結(jié)MOS管，相比前一代產(chǎn)品，新一代的MOS管利用電荷平衡技術(shù)，大幅減少了導(dǎo)通電阻RDS(on)與門極電荷Qg，可使系統(tǒng)的能效顯著提高，并承受極端dv/dt 額定值。如N溝道MOSFET FCH023N65S3_F155和FCH040N65S3_F155，100% 經(jīng)過雪崩擊穿測(cè)試，RDS(on)典型值分別為19.5 mΩ、35.4 mΩ，Qg典型值分別為222 nc、136 nc。在IGBT方面，Trench溝道的第四代的場(chǎng)截止(Field-stop) IGBT大幅減小了關(guān)斷損耗，從而可以使IGBT在更高的頻率下工作來(lái)滿足更高的功率密度的要求。如FGH50T65SQD_F155和FGH75T65SQD_F155，具備高電流能力、高輸入阻抗、快速開關(guān)和緊密的參數(shù)分布等特性。另外，SiC二極管也是安森美半導(dǎo)體在光伏應(yīng)用中的一個(gè)拳頭產(chǎn)品，目前已經(jīng)量產(chǎn)。相比于竟?fàn)帉?duì)手的方案，我們有更高的能效和更小的漏電流。

安森美半導(dǎo)體不光在分立器件上有業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品，我們也結(jié)合我們?cè)诠β誓K上的先進(jìn)技術(shù)，推出了我們的太陽(yáng)能功率集成模塊 (PIM)。集成化的模塊包括了IGBT及整流器，采用安森美半導(dǎo)體的專有溝槽場(chǎng)截止技術(shù)(FS)及強(qiáng)固的超快快速恢復(fù)二極管，配置為中點(diǎn)鉗位式T型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，能效可超過98%。可配置的封裝平臺(tái)采用大功率直接鍵合銅(DBC)基板技術(shù)及專有的壓合(press-fit)引腳，可以提供更高的功率密度、更高的性能與更高的可靠性。

不同的應(yīng)用可能對(duì)系統(tǒng)或者對(duì)產(chǎn)品的關(guān)注也會(huì)不一樣，像電機(jī)控制領(lǐng)域，所需要的產(chǎn)品就需要具備高集成度、高可靠性的特點(diǎn)。更細(xì)分一下，像無(wú)人機(jī)上的電調(diào)控制板，除了上述所說(shuō)的對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的要求以外，還要求有更小的體積。

安森美半導(dǎo)體可以提供從幾瓦到幾十千瓦的電機(jī)控制的方案， 這些方案中包括我們的一些智能功率模塊(IPM)、集成式的半橋功率驅(qū)動(dòng)臂、集成的三相預(yù)驅(qū)動(dòng)器，還有全系列的功率MOS和IGBT. 同時(shí)，我們也提供一些集成算法控制的“控制+功率”的整體方案。