科技網(wǎng)站Anandtech公布了幾家半導(dǎo)體巨頭最新的制程路線圖，主要就是下一代的10nm和7nm工藝制程。通過路線圖可以看到臺(tái)積電與GF可以說即將翻身，而老牌企業(yè)Intel則將在10nm制程徘徊一段時(shí)間。
從官方公布的路線圖來看，臺(tái)積電是最快到達(dá)7nm工藝制程的廠商，在2018年第一季度就可以搞定7nm ff工藝，而GF則在2018年第二季度更新至7nm工藝。三星將會(huì)在2019年更新至7nm工藝，至于Intel將會(huì)在今后幾年不斷地改良自己的10nm工藝，就算出來了也要到2021年之后了。
不過GF為7nm劃分了三代，第一代是DUV（深紫外光刻），而導(dǎo)入EUV（極紫外光刻）需要到2019年。技術(shù)指標(biāo)上，GF的第一代/第二代7nm相較14nm FinFET可提升40%性能、降低60%功耗，芯片成本降低30%。
如果各家制程路線圖沒有什么區(qū)別的話，那么未來等到Intel使用7nm的時(shí)候，迎來的將會(huì)是使用7nm改良版的AMD Zen2/3處理器。
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