GlobalFoundries(格芯)今天宣布，已經(jīng)使用30m毫米晶圓，認證了行業(yè)首個90nm制造工藝的硅光子芯片，未來將使用更新的45nm工藝提升帶寬和能效，推動數(shù)據(jù)中心和云應用的新一代光學互連。
不同于利用銅線電信號傳輸數(shù)據(jù)的傳統(tǒng)硅互連，硅光子技術使用光纖光脈沖，以更高的速度，在更遠距離上傳輸數(shù)據(jù)，并降低能耗，可應對全球通信基礎設施中的大規(guī)模數(shù)據(jù)增長。Intel、IBM都在深入研究硅光子技術。
GF表示，其硅光子技術可在單個硅芯片上并排集成微小光學組件與電路，“單芯片”方案利用標準硅制造技術，提高部署光學互連系統(tǒng)的效率，并降低成本。
GF的最新硅光子產(chǎn)品依托90nm RF SOI工藝，發(fā)揮了其在制造高性能射頻(RF)芯片方面積累的一流經(jīng)驗，可以提供30GHz帶寬的解決方案，客戶端數(shù)據(jù)傳輸速率達到800Gbps，傳輸距離也增加到120km。
該技術此前使用的晶圓為200毫米，而今GF利用位于紐約州東菲什基爾的10號晶圓廠，認證了300毫米直徑的晶圓。
更大尺寸的晶圓有助于提高產(chǎn)能和生產(chǎn)率，讓光子損失減少2倍，擴大覆蓋范圍，實現(xiàn)效率更高的光學系統(tǒng)。
Cadence Design Systems公司用于E/O/E、協(xié)同設計、極化、溫度和波長參數(shù)的完整PDK支持90nm技術，并提供差異化光子測試能力，包括從技術認證和建模到MCM產(chǎn)品測試的五個測試部分。
硅光子(資料圖)
GF的下一代單芯片硅光子產(chǎn)品將采用45nm RF SOI工藝，計劃2019年投產(chǎn)，功耗更低，體積更小，光學收發(fā)帶寬更高，可滿足新一代兆兆位應用。