臺積電今天宣布，計劃聯(lián)合ARM、Xilinx、Cadence，共同打造全球首個基于7nm工藝的芯片。
更確切地說，這四家半導(dǎo)體大廠將采用臺積電7nm FinFET工藝，制造一款CCIX(緩存一致性互聯(lián)加速器)測試芯片，2018年第一季度完成流片。
該芯片一方面用來試驗臺積電的新工藝，另一方面則可以驗證多核心ARM CPU通過一致性互連通道與片外FPGA加速器協(xié)作的能力。
這款測試芯片基于ARMv8.2計算核心，擁有DynamIQ、CMN-600互連總線，可支持異構(gòu)多核心CPU。
Cadence則提供CCIX、DDR4內(nèi)存控制器、PCI-E 3.0/4.0總線、外圍總線等IP，并負(fù)責(zé)驗證和部署流程。
7nm將是臺積電的一個重要節(jié)點(diǎn)(10nm僅針對手機(jī))，可滿足從高性能到低功耗的各種應(yīng)用領(lǐng)域，第一個版本CLN 7FF保證可將功耗降低60％、核心面積縮小70％，2019年則退出更高級的CLN 7FF+版本，融入EUV極紫外光刻，進(jìn)一步提升晶體管集成度、能效和良品率。
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