據(jù)臺灣媒體報道，美光大動作在美對聯(lián)電及福建晉華可能竊取及使用營業(yè)秘密一事提出訴訟，聯(lián)電總經(jīng)理簡山杰對此予以駁斥，強調(diào)聯(lián)電早年就生產(chǎn)過DRAM，本身擁有不少DRAM專利，事隔15年后決定自主研發(fā)DRAM技術， 目的是為了替臺灣半導體產(chǎn)業(yè)落實技術扎根。 以下是專訪紀要。

　　問：聯(lián)電重新投入DRAM技術研發(fā)原因為何？

　　答：聯(lián)電的本業(yè)是晶圓代工，順應市場趨勢并強化晶圓代工的服務，聯(lián)電研發(fā)DRAM的經(jīng)驗有助于新世化內(nèi)存的發(fā)展，包括MRAM（磁阻式隨機存取內(nèi)存）等，等于可以搶先進入有潛力的新市場。 再者，聯(lián)電是借外部力量來研發(fā)DRAM技術，福建晉華支持研發(fā)費用，雙方共同投入研發(fā)設備及技術，可快速研發(fā)速度，不會擠壓聯(lián)電的獲利表現(xiàn)。

　　聯(lián)電要獨立自主研發(fā)DRAM技術，另一個重要意義是為臺灣半導體產(chǎn)業(yè)落實技術扎根，這是當年聯(lián)電與世界先進完成自主研發(fā)DRAM技術后，相隔15年后再次有臺灣企業(yè)投入難度最大的DRAM研發(fā)工作，意義格外重大。

　　問：美光對聯(lián)電提告的關鍵在于聯(lián)電多年未涉及DRAM研發(fā)及生產(chǎn)，聯(lián)電的技術來源為何？

　　答：聯(lián)電要自主研發(fā)DRAM技術。 聯(lián)電在晶圓代工市場多年，長期投入研發(fā)已有很好的技術實力，連最先進囗最復雜的14nm邏輯IC制程都自主研發(fā)成功并開始投產(chǎn)，而且許多DRAM技術與聯(lián)電既有的邏輯技術相通。 至于在DRAM特有技術部分，則透過公開的技術報告、逆向工程方式了解，再依據(jù)開發(fā)路線落實。 事實上，DRAM工作原理沒有改變，現(xiàn)今的DRAM只是藉由更先進的制程技術，達到每位更低成本的目標，操作原理與15年前研發(fā)DRAM時相同。

　　問：聯(lián)電的DRAM事業(yè)的營運模式為何？

　　答：聯(lián)電目前與國外DRAM設計公司合作，以達成及加速DRAM技術研發(fā)。 不同于三大DRAM廠有自己的設計團隊，聯(lián)電本業(yè)是晶圓代工，所以與DRAM設計公司合作最符合聯(lián)電的營運模式，與經(jīng)驗豐富的DRAM設計團隊合作，可以減少研發(fā)過程中的許多不確定性因素，加快問題解決的速度。 再者，聯(lián)電未來的DRAM技術研發(fā)成功后，會授權給晉華生產(chǎn)，但聯(lián)電并沒有投資晉華，未來也可爭取其它DRAM代工訂單。 聯(lián)電目前沒有自建DRAM產(chǎn)能計劃，不會與臺灣現(xiàn)有DRAM廠商競爭。

　　問：聯(lián)電自行研發(fā)的DRAM技術與美光的DRAM技術并不相同？

　　答：聯(lián)電不了解美光制造DRAM的內(nèi)容，因此無從說明兩者之差異，但根據(jù)第三方TechInsights于2013年發(fā)表文章，有分析美光、爾必達、三星、SK海力士在30奈米制程世代的DRAM，美光采用直行式主動區(qū)（Active Area，AA）設計，但聯(lián)電DRAM選擇交錯式AA設計，與美光的記憶胞架構明顯不同。 DRAM的記憶胞是技術上最核心之處，選擇不同的記憶胞架構，代表了不同的研發(fā)道路，證明聯(lián)電和美光的技術核心不相同。

　　集微網(wǎng)消息，12月初美光科技在美國加州提起民事訴訟，控告聯(lián)電及福建晉華侵害DRAM的營業(yè)秘密。

　　美光表示，該公司依據(jù)保護營業(yè)秘密法，與反勒索及受賄組織法的民事條款，控告聯(lián)電與福建晉華竊取其商業(yè)機密及其他不當行為；美光將積極保護其全球知識產(chǎn)權，以一切法律途徑，遏止任何不法濫用行為。

　　去年五月，聯(lián)電宣布與福建省晉華集成電路公司簽約合作，聯(lián)電接受晉華委托開發(fā)DRAM相關制程技術。