晶圓代工廠格芯(Globalfoundries；GF)日前宣布其22納米(nm)全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術取得了36項設計訂單，其中有超過十幾項設計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競爭對手三星(Samsung)則預計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。

這些最新資料顯露出一個可喜的跡象是，FD-SOI最終獲得了作為低成本、低功耗鰭式場效電晶體(FinFET)制程替代方案的動能。而在SOI聯盟(SOI Consortium)近日于美國加州舉行的年度活動中，來自臺灣的IP供應商——晶心科技(Andes Technology)宣布，今年7月將推出可執行于Linux的32位元RISC- V核心。

VLSI Research執行長G. Dan Hutcheson對此表示，半導體產業如今看好FD-SOI和FinFET將扮演著彼此互補的角色。

然而，Hutcheson說：「人們仍然認為FD-SOI的生態系統薄弱，還需要更多的IP、更全面的設計流程，而且這是一種你必須十分清楚自己在做什么的技術。」他指的是采用基底偏壓(body baising)技術控制功率的能力

繼意法半導體(STMicroelectronics)、Verisilicon和新創公司Evaderis宣布在Globalfoundries的德國Dresden廠采用其22nm制造芯片后，Globalfoundries先前也宣布新創公司Arbe Robotics將使用其22nm FDX制程節點打造汽車雷達芯片。有意思的是，在這幾家采用其22nm制程的客戶中，就有6家公司都打算制造加密貨幣芯片。

Globalfoundries目前正在其于中國成都的Fab 11廠進行第一階段的無塵室裝機作業，并計劃在今年年底前推出180/130nm制程。第二階段工作將在一年后導入其22nm FDX制程。一家中國晶圓供應商表示，成都政府為了將FD-SOI帶進該區而投資了數十億美元。

Globalfoundries RF部門主管Bami Bastani說：「我們正在打造中國最大的晶圓廠之一，更令人驚嘆的是許多事物在中國的進展速度。」

同時，三星正為恩智浦(NXP)量產采用其28nm FDS制程的i.MX RT處理器，據稱該公司擁有最廣泛的FD-SOI應用策略。

三星表示，其28nm FDS目前擁有成熟的產出以及不斷擴展的客戶基礎（來源：Samsung）

恩智浦計劃采用三星的嵌入式MRAM，目前也已經準備好用于28nm節點。它還將在不同的芯片上導入一些基底偏壓技術。

恩智浦i.MX應用處理器產品系列副總裁Ron Martino表示：「如果你不投資基底偏壓技術，就無法取得市場主導地位。」

三星晶圓代工部門副總裁洪浩(Hong Hao)表示，針對28nm FDS制程，三星目前已推出了成熟的產品，而且有越來越多客戶準備采用。他列舉其中包括DDR2-4、USB 2-3、PCIe Gen 2-4、Gigibit乙太網路、SATA Gen3以及MIPI M和D-PHY介面等逾12種經驗證的IP區塊(Block)清單。

這家韓國巨擘還提供了基底偏壓設計指南，目前符合車規標準的第1級(Grade 1)車用方案已經到位，預計在今年年中之前就會推出Grade 2方案。

三星計劃明年稍晚量產18nm FDS，采用去年9月推出的早期設計套件，以使其性能提高24%、功耗降低38%，面積也縮減35%。而其競爭對手Globalfoundries的目標是在2020年下半年于其Dresden晶圓廠推出12nm FDX節點。

晶心準備推出Linux版RISC-V核心

去年12月，臺灣IP供應商晶心科技(Andes technology)宣布其技術轉向新興的RISC-V架構。晶心科技總經理林志明在SOI聯盟年會上發表專題演說時宣布，該公司將在今年7月推出基于RISC-V的Linux版N25核心。

晶心已經與一家企業固態硬碟(SSD)供應商簽約，在快閃記憶體控制器中采用其現有的N25核心執行RTOS。此外，還有一家設計服務公司也與其簽約使用32位元核心，而其64位元衍生產品計劃也在開發中。

許多RISC-V工程師長久以來都希望能有一款可啟動Linux的芯片。新創公司SiFive才剛開始出樣采用這種自家芯片版本的開發板。

晶心科技并希望透過其Copilot工具為其產品實現差異化，協助使用者在其設計中添加自定義說明。該公司最近還與兩家準備采用其Linux核心的設計服務公司簽約。

迄今為止，晶心科技的財務表現并不起眼，但對于SoC設計影響顯著。2017年，晶心科技的營收僅有900萬美元，但該公司表示，在專利核心授權方面，去年就賣出了5.9億美元，至今也已經累積銷售25億美元了。

而在制程方面，林志明看好FD-SOI的光罩成本較FinFET制程更低30%，而且還具有低功耗和支援RF的優點。他指出晶心科技在2015年為Globalfoundries 22nm FDX設計了一款測試芯片，在模擬時的表現更優于28nm ULP制程節點。

該IP供應商目前正與業界伙伴展開第一筆FD-SOI設計合作，但據稱該客戶尚未簽署。

Sony則在FD-SOI道路上走得最遠。2015年，Sony在ST量產了一款以28nm FD-SOI制造的GPS芯片，并用于多款智慧手表設計中，如今則更進一步在該公司的Xperia耳塞設計中整合更多后續功能。

Sony半導體(Sony Semiconductor)物聯網部門總經理Kenichi Nakano表示，第一款FD-SOI芯片就讓原有的設計功耗從6.3mW降至1.5mW。該公司并計劃在今年稍晚推出CatM和NB-IoT蜂巢式的芯片版本，目前已經在開發針對2019年的設計。

SOI晶圓供應商Soitec執行長表示，該公司在三年前一度面臨破產的窘境。如今，Soitec正加速在新加坡建立新廠房，并計劃今年出貨多達60萬片300毫米(mm)晶圓，以及更多用于智慧型手機RF前端和其他設計的200mm晶圓。

晶心科技將于今年7月發布其Linux版32位元N25 RISC-V核心（來源：Andes Technology）