推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴(kuò)展系列，包括專(zhuān)門(mén)用于要求嚴(yán)苛的汽車(chē)應(yīng)用的器件。新的符合AEC-Q101車(chē)規(guī)的汽車(chē)級(jí)SiC二極管提供現(xiàn)代汽車(chē)應(yīng)用所需的可靠性和強(qiáng)固性，以及等同于寬禁隙(WBG)技術(shù)的眾多性能優(yōu)勢(shì)。

　　SiC技術(shù)提供比硅器件更佳的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC二極管沒(méi)有反向恢復(fù)電流，開(kāi)關(guān)性能與溫度無(wú)關(guān)。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾（EMI），減小的系統(tǒng)尺寸和降低的成本使SiC成為越來(lái)越多的高性能汽車(chē)應(yīng)用的極佳選擇。

　　安森美半導(dǎo)體的新的SiC二極管采用流行的表面貼裝和通孔封裝，包括TO-247、D2PAK和DPAK。FFSHx0120 1200伏特(V)第一代器件和FFSHx065 650 V 第二代器件提供零反向恢復(fù)、低正向電壓、與溫度無(wú)關(guān)的電流穩(wěn)定性、極低漏電流、高浪涌電容和正溫度系數(shù)。它們提供更高的能效，而更快的恢復(fù)則提高了開(kāi)關(guān)速度，從而減小了所需的磁性元件的尺寸。

　　為了滿足強(qiáng)固性要求，并在汽車(chē)應(yīng)用惡劣的電氣環(huán)境中可靠地工作，二極管的設(shè)計(jì)能夠承受大的浪涌電流。它們還包含一種提高可靠性和增強(qiáng)穩(wěn)定性的獨(dú)特專(zhuān)利終端結(jié)構(gòu)。工作溫度范圍為-55℃至175℃。

　　安森美半導(dǎo)體高級(jí)總監(jiān)Fabio Necco說(shuō)：“安森美半導(dǎo)體推出符合AEC車(chē)規(guī)的器件，擴(kuò)展了肖特基二極管系列，為汽車(chē)應(yīng)用帶來(lái)SiC技術(shù)的顯著優(yōu)勢(shì)，使客戶能夠達(dá)到這一行業(yè)對(duì)性能的嚴(yán)苛要求。SiC技術(shù)非常適用于汽車(chē)環(huán)境，提供更高的能效、更快的開(kāi)關(guān)、更好的熱性能和更高的強(qiáng)固性。在講究節(jié)省空間和重量的領(lǐng)域，SiC更高的功率密度有助于減少整體方案的尺寸，以及更小的磁性器件帶來(lái)的相關(guān)優(yōu)勢(shì)，受客戶所歡迎。”

　　安森美半導(dǎo)體將在PCIM期間展示這些新的器件以及公司在寬禁帶、汽車(chē)、電機(jī)控制、USB-C供電、LED照明等領(lǐng)域的方案和用于工業(yè)預(yù)測(cè)性維護(hù)應(yīng)用的智能無(wú)源傳感器(SPS)。

　　安森美半導(dǎo)體還將展示領(lǐng)先行業(yè)的先進(jìn)SPICE模型，該模型易于受到程序參數(shù)和電路布局?jǐn)_動(dòng)的影響，因此相對(duì)于當(dāng)前行業(yè)建模能力是一大進(jìn)步。使用該工具，電路設(shè)計(jì)人員可提早在仿真過(guò)程評(píng)估技術(shù)，而無(wú)需經(jīng)過(guò)昂貴和耗時(shí)的制造迭代。安森美半導(dǎo)體強(qiáng)固的SPICE預(yù)測(cè)模型的另一個(gè)好處是它可連接到多種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的仿真平臺(tái)端口。