SEMI（國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）近日公布「全球晶圓廠預測報告」（World Fab Forecast）最新內(nèi)容指出，半導體產(chǎn)業(yè)即將連續(xù)3 年創(chuàng)下設備支出新高紀錄，預料2018 年與2019 年將分別（較前一年）成長14% 和9%，寫下連續(xù)4 年成長的歷史紀錄。半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)立71 年以來，只有在1990 年代中期曾出現(xiàn)設備支出連續(xù)4 年成長的盛況。
如上圖所示，三星（Samsung）稱霸全球的支出金額，中國領先全球的增長幅度，南韓與中國將引領這波成長態(tài)勢。SEMI 臺灣區(qū)總裁曹世綸表示，「臺灣半導體設備支出金額在缺乏記憶體新廠的暴發(fā)式投資下，成長幅度雖不及南韓及中國，但臺灣晶圓代工廠商在先進制程及產(chǎn)能的持續(xù)投資下，未來整體支出仍將呈現(xiàn)穩(wěn)健成長態(tài)勢；加上臺灣過去多年累積的投資，也使得我們成為全球半導體先進制程及量產(chǎn)的重鎮(zhèn)，我們?nèi)詷酚^看待臺灣未來在半導體產(chǎn)業(yè)的領導地位。」
2018 年，三星的設備支出金額預期將減少，但該公司仍占南韓所有設備投資金額的70%。同時，SK 海力士（SK Hynix）則是增加在南韓的設備投資。
2018 年中國設備支出預期將增加65%，2019 年將再成長57%，但值得注意的是，2018 和2019 年年中國投資金額當中分別有58% 和56% 都是來自外資公司，例如英特爾（ Intel）、SK 海力士、臺積電、三星和格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）。在政府計畫的支持下，中國本土業(yè)者正在興建數(shù)量可觀的新晶圓廠，2018 年陸續(xù)開始設備裝機。2019 年這些公司的設備投資可望翻倍。
其他地區(qū)的投資金額也節(jié)節(jié)高升。2018 年日本投資金額增加60%，增加幅度最高的包括東芝、Sony、瑞薩（Renesas）和美光（Micron）。
2018 年歐洲和地中海地區(qū)投資金額將增加12%，貢獻最大的業(yè)者包括英特爾、格羅方德和意法半導體（STMicroelectronics）。
2018 年東南亞地區(qū)投資金額將成長超過30%，不過受限于市場規(guī)模，整體支出也同比例地低于其他地區(qū)。貢獻最大的業(yè)者包括美光、英飛凌（Infineon）和格羅方德，但歐司朗（OSRAM）和奧地利微電子（ams）等公司也持續(xù)增加投資金額。