據日本經濟新聞報道，中國新興半導體記憶體企業合肥長鑫計劃從半導體制造設備廠商荷蘭阿斯麥(ASML)引進最尖端設備。中國由于與美國的貿易戰和高科技摩擦日趨激烈，越來越難以從美國引進技術。為了發展屬于產業創新關鍵的半導體，將轉向采購歐洲設備以尋找出路。

合肥長鑫首席執行官（CEO）朱一明將在近期訪歐，與荷蘭阿斯麥啟動尖端設備的采購談判。多位相關人士透露了這一消息。合肥長鑫由中國安徽省的合肥市政府出資。有觀點認為這一行動體現了中國政府的意向。

中國國務院總理李克強10月19日出席了在布魯塞爾舉行的亞歐首腦會議。在主席聲明中顯示出歐洲和亞洲展開合作、對抗美國的貿易保護主義的姿態。

合肥長鑫力爭采購的是被稱為「極紫外線(EUV)光刻機」的最尖端生產設備。據稱這是推動屬于半導體性能提高關鍵的「微細化」的新一代技術，每臺設備價格高達約1億歐元。據稱最大DRAM（隨機記憶體）制造商韓國三星電子已經試驗性引進。

歐洲對試圖獲取尖端技術的中國的警惕也在加強，這有可能成為采購的障礙。不過，阿斯麥對日本經濟新聞（中文版：日經中文網）表示，「將平等對待客戶」，提出了向中國企業銷售沒有問題這一看法。在行業內有猜測認為，中國半導體代工企業中芯國際集成電路制造（SMIC）也已經向阿斯麥訂購了極紫外線光刻機。

延伸閱讀：DRAM什么時候需要EUV光刻機？

因為合肥長鑫做的是DRAM，所以他定制EUV光刻機的消息，讓筆者對DRAM什么時候需要光刻機倍感興趣。因為美光在今年六月的時候曾表示，EUV 光刻技術并不是DRAM 制程中所必須的，而且未來幾年內都都還不一定用得上。目前，美光在新一代制程技術上，正在由客戶驗證1Y 納米制程的記憶體，而且未來還有1Z、1α 及1β 制程。

光指出，記憶體跟處理器等羅技IC 雖然都是半導體產品，生產制造過程有相似之處，不過制程技術并不相同。處理器的制程技術2018 年已經進入到了7 納米的節點，但記憶體主流的還是20 納米、18 納米等技術。其中，18 納米就屬于16 到19 納米之間的1X 納米節點，后面的1Y 納米則是14 到16 納米之間，1Z 則大概是12 到14 納米制程之間。再往下走，美光就提出的是1α 及1β 制程技術，而具體對應的制程技術是多少納米就不明了。

就目前市場上來看，三星是第一家量產18 納米技術記憶體的廠商，也就是第一個進入1X 納米節點的記憶體公司，遙遙領先其他競爭對手。而美光方面，現在也開始向1X 納米技術轉進，下一代的1Y 納米技術則已經進入客戶驗證階段了，預計2018 年下半年問世。再下去的1Z 納米技術節點目前正處于制程優化階段，而1α 及1β 制程則是在不同研發階段中。

對此，美光執行長Sanjay Mehrotra 日前在參加公開會議上表示，在EUV 光刻技術上，他認為EUV 光刻機在DRAM 芯片制造上不是必須的，未來可能到1α 及1β 制程技術時都還不見得會用到。不過，這樣的看法似乎與半導體設備大廠艾司摩爾(ASML) 的看法有些不同。因為，艾司摩爾之前曾經表示，在記憶體生產技術上，進入1Y 納米技術的節點時就需要考慮EUV 技術了。只是，這樣的預測到目前實際上并沒有發生，因為包括三星在內的三大DRAM 廠在內，目前都沒有很快進入EUV 技術的打算。因此，即使未來記憶體的需求依舊強勁，但要以EUV 技術來加大能量，短期內仍然還不容易見到。