4月16日，三星電子宣布其基于EUV的5 nm FinFET工藝技術已完成開發(fā)，現(xiàn)已可以為客戶提供樣品。

　　與7nm相比，三星的5nm FinFET工藝技術將邏輯區(qū)域效率提高了25%，功耗降低了20%，性能提高了10%，從而獲得更多創(chuàng)新的標準單元架構。與7nm LPP一樣，三星的5nm制程在光刻中使用了EUV技術，并減少了掩模層，同時提供更好的保真度。

　　三星表示，5nm的另一個主要優(yōu)點是可以將所有7nm專利應用到5nm。因此，7nm客戶過渡到5nm將極大的降低成本，預先驗證的設計生態(tài)系統(tǒng)，能夠縮短他們5nm產(chǎn)品的開發(fā)時間。

　　三星電子晶圓代工業(yè)務的執(zhí)行副總裁Charlie Bae 表示：“成功完成5nm開發(fā)，我們已經(jīng)證明了我們在基于EUV的節(jié)點中的能力。為響應客戶對先進工藝技術不斷增長的需求，以區(qū)分其下一代產(chǎn)品，我們繼續(xù)致力于加速基于EUV技術的批量生產(chǎn)?！?/p>

　　2018年10月，三星宣布準備并初步生產(chǎn)7nm工藝，這是其首個采用EUV光刻技術的工藝節(jié)點。該公司已提供業(yè)界首批基于EUV的新產(chǎn)品的商業(yè)樣品，并于今年初開始量產(chǎn)7nm工藝。

　　此外，三星正在與6nm的客戶合作，這是一個定制的基于EUV的工藝節(jié)點，并且已經(jīng)收到了其首款6nm芯片的流片產(chǎn)品。

　　Charlie Bae還指：“考慮到包括PPA（功率性能區(qū)域）和IP在內的各種好處，三星基于EUV的先進節(jié)點預計將對5G、人工智能、高性能計算（HPC）等新型創(chuàng)新應用有很高的需求，利用我們強大的技術競爭力，包括我們在EUV光刻技術方面的領導地位，三星將繼續(xù)為客戶提供最先進的技術和解決方案。”

　　三星代工廠基于EUV的工藝技術目前正在韓國華城的S3生產(chǎn)線上生產(chǎn)。此外，三星將把其EUV產(chǎn)能擴大到華城的新EUV生產(chǎn)線，該生產(chǎn)線預計將在2019年下半年完成，并從明年開始增產(chǎn)。

　　值得一提的是，三星在10nm節(jié)點以下的唯一對手臺積電在本月初已經(jīng)宣布，其5nm工藝順利進入試產(chǎn)階段，相比之下三星的腳步還是慢了一拍，但是俗話說好飯不怕晚，二者之間孰好孰壞還需要等到量產(chǎn)之后才能見真章了。