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消息稱今年光刻材料行業(yè)收入將增7%
發(fā)表于：5/12/2025 10:27:46 AM
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Intel前CEO基辛格投身EUV光刻
發(fā)表于：4/14/2025 7:21:29 PM
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消息稱三星5000億韓元引入其首臺(tái)ASML High NA EUV光刻機(jī)
發(fā)表于：3/13/2025 11:20:15 AM
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美光1γ制程DRAM僅采用了一層EUV光刻
發(fā)表于：3/12/2025 11:07:32 AM
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美國實(shí)驗(yàn)室研發(fā)新型激光技術(shù)可大幅提升芯片制造效率
發(fā)表于：1/6/2025 9:38:23 AM
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俄羅斯自研EUV光刻機(jī)計(jì)劃曝光
發(fā)表于：12/20/2024 10:39:00 AM
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Rapidus宣布2025年4月啟動(dòng)2nm試產(chǎn)線
發(fā)表于：12/13/2024 10:59:32 AM
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ASML前員工涉嫌竊取公司芯片機(jī)密并出售被罰
發(fā)表于：12/9/2024 9:25:55 AM
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ASML在2024 年投資者日會(huì)議上就市場機(jī)遇提供最新看法
發(fā)表于：11/18/2024 11:00:36 PM
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日本首臺(tái)ASML EUV光刻機(jī)下月進(jìn)駐Rapidus晶圓廠
發(fā)表于：11/15/2024 2:04:05 PM
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ASML預(yù)計(jì)2030年?duì)I收最高將達(dá)600億歐元
發(fā)表于：11/15/2024 10:43:53 AM
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把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新
發(fā)表于：8/13/2024 11:49:00 AM
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日本研究團(tuán)隊(duì)提出EUV光刻新方案
發(fā)表于：8/13/2024 10:09:39 AM
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美光已在廣島工廠利用EUV試產(chǎn)1γ DRAM
發(fā)表于：6/28/2024 9:30:00 AM
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ASML：EUV技術(shù)領(lǐng)域不會(huì)面臨來自中國公司的競爭
發(fā)表于：6/7/2024 9:17:09 AM
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阿斯麥 High-NA EUV光刻機(jī)取得重大突破
發(fā)表于：4/18/2024 8:52:24 AM
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ASML 首臺(tái)新款 EUV 光刻機(jī) Twinscan NXE:3800E 完成安裝
發(fā)表于：3/13/2024 10:25:23 AM
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ASML展示最新EUV光刻機(jī)內(nèi)部畫面
發(fā)表于：2/14/2024 8:39:56 PM
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德國默克稱DSA自組裝技術(shù)十年內(nèi)商用
發(fā)表于：2/5/2024 10:46:25 AM
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ASML：High-NA EUV光刻仍是未來最經(jīng)濟(jì)選擇
發(fā)表于：2/4/2024 11:09:27 AM
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我國推進(jìn)硅光子新賽道：無需EUV 光刻機(jī)和先進(jìn)制程
發(fā)表于：1/24/2024 11:15:33 AM
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EUV光刻，日本多路出擊
發(fā)表于：12/29/2023 12:39:33 PM
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三星計(jì)劃投資10萬億韓元用于采購ASML EUV光刻機(jī)
發(fā)表于：11/15/2023 2:41:54 PM
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逆天了！清華大學(xué)SSMB-EUV光源橫空出世，功率是EUV光刻機(jī)40倍！
發(fā)表于：9/14/2023 1:28:35 PM
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線邊緣粗糙度（LER）如何影響先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上半導(dǎo)體的性能
發(fā)表于：6/12/2023 10:49:00 PM
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國產(chǎn)光刻機(jī)的突破：告別自嗨，務(wù)實(shí)為真
發(fā)表于：3/1/2023 9:49:00 AM
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ASML堵了EUV光刻機(jī)的路，但國產(chǎn)光刻機(jī)有3大新方向
發(fā)表于：2/24/2023 6:49:25 AM
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國產(chǎn)芯片再獲新技術(shù)，無需EUV光刻機(jī)也能實(shí)現(xiàn)7納米
發(fā)表于：2/14/2023 11:25:00 PM
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EUV光刻機(jī)3大核心：2大來自德國，1大來自美國，ASML負(fù)責(zé)組裝
發(fā)表于：2/12/2023 2:58:49 PM
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EUV光刻機(jī)研發(fā)難在哪？ASML：數(shù)百家頂級(jí)供應(yīng)商 40年時(shí)間
發(fā)表于：1/31/2023 12:01:48 AM
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