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車規級eGaN FET增強激光雷達“視覺性能”

2019-04-23
關鍵詞: EPC2214 激光雷達

  據麥姆斯咨詢報道,增強模式氮化鎵(GaN)功率管理器件領導廠商宜普(EPC)近日宣布為汽車行業和其他惡劣環境激光雷達(LiDAR)系統設計的新款80V EPC2214獲得了美國汽車電子協會AEC Q101認證。

  EPC率先推出了增強模式硅基氮化鎵(eGaN)FET,可替代眾多應用中的功率MOSFET,如 DC-DC轉換器、無線功率傳輸、包絡跟蹤、射頻傳輸、功率逆變器、LiDAR以及D類音頻放大器等,其性能高于最好的硅功率MOSFET數倍。

  eGaN技術已經大規模量產超過9年,在多個領域積累了數十億小時的實際應用經驗,例如:汽車應用的LiDAR和自動駕駛汽車雷達,數據中心計算機應用的48V-12V DC-DC轉換器,超高保真信息娛樂系統和卡車用高強度前照燈等。EPC推出的這款新器件已經完成了嚴格的汽車AEC Q101認證測試,還將推出幾款專為惡劣汽車應用環境設計的分立晶體管和集成電路。

  EPC2214是一款80V、20 mΩ、eGaN FET,具有47A的脈沖電流,占位面積僅為1.8平方毫米,非常適合用于LiDAR系統中的激光器,因為eGaN FET可以觸發以產生極短脈沖寬度的高電流。短脈沖寬度可以實現更高的分辨率,而更高的脈沖電流可使LiDAR探測并識別更遠距離的物體。憑借這兩種特性,以及小尺寸和低成本優勢,使eGaN FET成為高要求汽車應用LiDAR以及雷達、超聲波傳感器的理想選擇。

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  為了完成AEC Q101測試,EPC的eGaN FET經受了嚴格的環境和偏壓應力測試,包括偏壓濕度測試(H3TRB)、高溫反向偏壓(HTRB)、高溫柵極偏壓(HTGB)、溫度循環(TC)以及其他幾項測試。值得注意的是,EPC的晶圓級芯片(WLCS)封裝通過了針對傳統封裝器件創建的所有相同測試標準,證明了芯片級封裝的卓越性能不會影響器件的堅固性或可靠性。這些eGaN器件由經過汽車質量管理體系標準IATF 16949認證的工廠生產。

  EPC首席執行官兼聯合創始人Alex Lidow指出:“這種新型汽車產品是EPC晶體管和集成電路的最新產品,旨在實現自動駕駛并提高燃油經濟性和安全性。我們的eGaN技術比當今車輛中使用的老舊硅功率MOSFET更快、更小、更高效、更經濟、更可靠。”


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