根據(jù)微波雜志報(bào)道，日前，Yolo Developpement發(fā)布研究報(bào)告指出，預(yù)計(jì)到2024年整個(gè)GaN射頻市場(chǎng)將達(dá)到20億美元，這主要得益于兩個(gè)主要應(yīng)用：電信基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防。Yole 技術(shù)與市場(chǎng)分析師Antoine Bonnabel表示，過去十年全球電信基礎(chǔ)設(shè)施投資保持穩(wěn)定，近期隨著中國(guó)政府的積極而增加。在這個(gè)穩(wěn)定的市場(chǎng)中，包括6GHz頻率等應(yīng)用，為GaN RF提供了額外的增長(zhǎng)動(dòng)力。
目前的GaN市場(chǎng)
自20年前首款商用產(chǎn)品以來，GaN已成為RF功率應(yīng)用中LDMOS和GaAs的重要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，以更低的成本不斷提高性能和可靠性。第一個(gè)GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件幾乎同時(shí)出現(xiàn)，但GaN-on-SiC在技術(shù)上已經(jīng)變得更加成熟。
GaN-on-SiC目前主導(dǎo)GaN射頻市場(chǎng)，已滲透到4G LTE無線基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)，預(yù)計(jì)將部署在5G sub-6 GHz實(shí)施的RRH架構(gòu)中。與此同時(shí)，在經(jīng)濟(jì)高效的LDMOS技術(shù)方面也取得了顯著進(jìn)展，這可能會(huì)對(duì)5G sub-6GHz有源天線和大規(guī)模MIMO部署中的GaN解決方案提出挑戰(zhàn)。
GaN-on-Si是一種潛在的挑戰(zhàn)者，可能在8英寸晶圓上擴(kuò)展生產(chǎn)，并為商業(yè)市場(chǎng)提供具有成本效益的解決方案。然而，截至2019年，GaN-on-Si仍處于小批量生產(chǎn)階段 - 預(yù)計(jì)將挑戰(zhàn)BTS和RF能源市場(chǎng)中現(xiàn)有的LDMOS解決方案。
GaN-on-Si公司的另一個(gè)目標(biāo)是大批量消費(fèi)者5G手機(jī)PA市場(chǎng)，如果成功，它可以在未來幾年開辟新的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。隨著GaN-on-Si產(chǎn)品的最終升級(jí)，市場(chǎng)上可以實(shí)現(xiàn)GaN-on-SiC和GaN-on-Si的共存。最后但并非最不重要的是，創(chuàng)新的GaN-on-Diamond技術(shù)正在進(jìn)入競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，與GaN競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比，承諾具有更高的功率輸出密度和更小的占位面積。該技術(shù)針對(duì)性能驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用，例如高功率BTS，軍事和衛(wèi)星通信。
供應(yīng)鏈的現(xiàn)狀
作為一項(xiàng)成熟的技術(shù)，GaN-on-SiC擁有完善的供應(yīng)鏈，擁有眾多公司和不同的集成度。在RF組件級(jí)別，頂級(jí)市場(chǎng)參與者是：
?住友電工設(shè)備創(chuàng)新（SEDI），Cree / Wolfspeed和Qorvo
?RFHIC自2017年以來大幅增加收入
?領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體代工廠穩(wěn)懋現(xiàn)在正在積極提供GaN RF產(chǎn)品
在GaN-on-Si RF行業(yè)，意法半導(dǎo)體是與MACOM合作的主要參與者，目標(biāo)是全球5G基站應(yīng)用，擴(kuò)展150 mm GaN-on-Si的生產(chǎn)能力，并進(jìn)一步擴(kuò)展至200 mm。此外，ST還宣布了對(duì)GaN-on-Si手機(jī)的興趣，這可能為GaN RF業(yè)務(wù)帶來激動(dòng)人心的新市場(chǎng)機(jī)遇。
在軍事市場(chǎng)中，各個(gè)國(guó)家和地區(qū)都在單獨(dú)加強(qiáng)其GaN RF生態(tài)系統(tǒng)。 GaN的采用受到Raytheon，Northrop Grumman，洛克希德馬丁公司等強(qiáng)勢(shì)參與者的推動(dòng)，并通過UMS，空中客車，薩博以及中國(guó)領(lǐng)先的垂直整合公司中國(guó)電子科技集團(tuán)公司（CETC）在全球市場(chǎng)得到推動(dòng)。
但是，在電信市場(chǎng)，情況有所不同。 戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系和/或兼并和收購(gòu)屢屢發(fā)生，市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者SEDI和II-VI建立了垂直整合的6英寸GaN-on-SiC晶圓平臺(tái)，以滿足5G內(nèi)不斷增長(zhǎng)的需求。與此同時(shí)，Cree收購(gòu)了英飛凌的射頻功率業(yè)務(wù)，包括LDMOS和GaN-on-SiC技術(shù)的封裝和測(cè)試。