根據(jù)Objective Analysis和Coughlin Associates（Emerging Memories Ramp Up）最新發(fā)布的研究報告，到2029年，新興記憶體市場規(guī)模將會達到200億美元。
該報告指出，新興的記憶體市場將通過取代當今效率較低的內(nèi)存技術(shù)（如NOR閃存和SRAM）而增長到200億美元左右，甚至取代DRAM銷售額。這些存儲器既可作為獨立存儲器芯片，也可作為其他芯片（如微控制器，ASIC甚至計算處理器）中的嵌入式存儲器。
報告預測，到2029年，3D XPoint 內(nèi)存sub-DRAM價格將使收入超過160億美元，而獨立的MRAM和STT-RAM收入將接近40億美元，或超過2018年MRAM收入的170倍。此外，ReRAM和MRAM將競爭取代SoC中的大部分嵌入式NOR和SRAM，從而推動更高的收入增長。
圖1：2018-2029年預計的基準PB級內(nèi)存出貨量。
該行業(yè)向新興內(nèi)存技術(shù)的遷移將推動資本設(shè)備支出的穩(wěn)步增長。MRAM總制造設(shè)備收入將增長至其2018年總計2600萬美元的33倍，達到2029年的8.54億美元。
圖2：2018-2029年MRAM制造設(shè)備支出估算。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。