隨著市場發展，碳化硅在能源、基礎設備，汽車、工業等設備領域應用廣泛。2014年，碳化硅還是一個不到百萬美金的市場，2019年已經接近800百萬美金，未來還會以更快的增長速度發展。然而，面對不斷旺盛的需求和目前產業條件，想要突出重圍的難度愈發困難，對于國內企業來說，紅利顯著但機會不多。
SiC產業窗口期正在關閉
碳化硅為第三代半導體的主要代表之一，擁有禁帶寬度大、器件極限工作溫度高、臨界擊穿電場強度大、熱導率等顯著的性能優勢，在電動汽車、電源、軍工、航天等領域備受歡迎，為眾多產業發展打開了全新的應用可能性，被行業寄予厚望，但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業所壟斷。
從國際產業動態來看，特斯拉Model3全面應用意法半導體的碳化硅器件，德國英飛凌正式提出收購意法半導體的要約，國際主流器件廠商紛紛與美國科銳鎖定長期碳化硅晶圓供貨協議，這些動態已經足以警醒中國功率器件產業，碳化硅產業已經成熟，而且中國企業進入碳化硅產業的窗口期正在關閉。
未來五年，全球碳化硅功率器件的產值將會由2018年的40億元向100億元突破，屆時中國如果還沒有一家企業擁有5億元市場的銷售業績（約5％的市場占有率），那么意味著中國企業將再次在功率器件產業上落伍，至少要再次承受15年、一整代人的落后。
國內SiC產業優劣并存
中國碳化硅產能、消費量全球第一，但產能利用率低。同時也是碳化硅最大的生產國和消費國，目前大約有200多家生產企業從事碳化硅冶煉。
2016年全球碳化硅的產能在310萬噸左右，其中中國碳化硅產能為230萬噸左右，占據全球75％左右的份額。除了中國以外，世界上主要的碳化硅生產地集中在美國、俄羅斯、德國、荷蘭、日本等國。
此外，中國也是碳化硅最大的消費國。2016年，中國的消費量達到了65萬噸左右，占據全球50％左右的消費市場份額。
然而，由于我國碳化硅行業產能過剩嚴重，導致行業產能利用率低，多數企業的開工率不足5成。具體為黑碳化硅約為60％，綠碳化硅為30％，綜合開工率為50％。產能的嚴重過剩，導致行業競爭加劇，企業整體只能維持微利。
全球各大廠商展開布局
由于SiC具有高耐壓、低損耗、高效率等特性，可以讓功率器件突破硅的限制，帶來更好的導電性和電力性能。這些特性的提高，正與目前市場上熱門的汽車電子、工業自動化以及新能源等領域的需求相契合，因而各大廠商紛紛在SiC上展開了布局。
根據Yole于2018年發布的《功率碳化硅（SiC）材料、器件和應用》報告預測，到2023年SiC功率市場總值將超過14億美元，2017年至2023年的復合年增長率（CAGR）將達到29％。
目前，SiC功率市場仍然主要受功率因數校正（PFC）和光伏（PV）應用中使用的二極管驅動。預計五年內，驅動SiC器件市場增長的主要因素將是晶體管，該細分市場在2017—2023年期間的復合年增長率將達到驚人的50％。
從產業鏈角度看，SiC包括單晶襯底、外延片、器件設計、器件制造等環節，但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業所壟斷。其中，尤以美國、歐洲、日本為大。美國居于領導地位，占有全球SiC產量的70％—80％；歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應用產業鏈；日本則是設備和模塊開發方面的絕對領先者。
在全球市場中，單晶襯底企業主要有cree、dowcorning、sicrystal、ii－vi、新日鐵住金、norstel等，外延片企業主要有dowcorning、ii－vi、norstel、cree、羅姆、三菱電機、infineon等，器件方面，全球大部分市場份額被infineon、cree、羅姆、意法半導體等少數企業瓜分。
由于碳化硅產業環節如芯片性能與材料、結構設計、制造工藝之間的關聯性較強，不少企業仍選擇采用idm模式，如羅姆和cree均覆蓋了碳化硅襯底、外延片、器件、模組全產業鏈環節，其中cree占據襯底市場約40％份額、器件市場約23％份額。
如今SiC器件在國內光伏逆變器、車載充電器、充電樁等領域雖已開始應用，但國內市場上大部分碳化硅功率器件依賴進口，主要為cree、infineon、羅姆等占有。
不過，近年來國內已初步建立起相對完整的碳化硅產業鏈體系，包括有idm廠商中車時代電氣、世紀金光、泰科天潤、揚杰電子等，單晶襯底企業山東天岳、天科合達、同光晶體等，外延片企業天域半導體、瀚天天成等，部分廠商已取得階段性進展。
我國SiC產業努力結束壟斷
在半導體對外投資受阻情況下，國內自主創新發展是必由之路。2018年，在政策和資金的雙重支持下，國內第三代半導體領域新增3條SiC產線。
生產模式上，大陸在第三代半導體電力電子器件領域形成了從襯底到模組完整的產業鏈體系，器件制造方面以IDM模式為主，且正在形成“設計—制造—封測”的分工體系；大陸代工產線總體尚在建設中，尚未形成穩定批量生產。
區域方面，我國第三代半導體產業發展初步形成了京津冀、長三角、珠三角、閩三角、中西部5大重點發展區域，其中，長三角集聚效應凸顯，占從2015年下半年至2018年底投資總額的64％。此外，北京、深圳、廈門、泉州、蘇州等代表性城市正在加緊部署、多措并舉、有序推進。
總體而言，我國第三代半導體技術和產業都取得較好進展，但在材料指標、器件性能等方面與國外先進水平仍存在一定差距，市場繼續被國際巨頭占據，國產化需求迫切。
我國從2014年碳化硅二極管就已經實現了量產，但事實上，還沒有形成完整的產業，與外國產業規模差距大，國內市場上大部分碳化硅功率器件依賴進口，形成國際大廠壟斷局面。
單晶襯底方面，中科鋼研打造全國最大的碳化硅晶體襯底片生產基地，我國將有望擺脫碳化硅半導體襯底片依賴進口的尷尬局面。
外延片方面，瀚天天成將在明年上半年逐步釋放新產能，實現每年30萬片的產能目標。
器件方面，泰科天潤已建成國內第一條碳化硅器件生產線。基本半導體自主研發的650 －1700V 3D SiC 系列 SiC JBS已火熱上市。
結尾：
目前整個碳化硅產業尚未進入成熟期，但國際廠商已實現多個環節規模量產技術瓶頸的突破，并已摩拳擦掌、即將掀起一場大戰，而國內碳化硅產業仍處于起步階段，與國際水平仍存在差距，擺在國內企業面前的是可觀的前景以及突圍的難度。