晶圓代工業(yè)務日漸吃香，據市場分析機構預測 2019 年至 2024 年全球晶圓代工產值年復合成長率（CAGR）可望達 5．3％。

2019 年下半終端市場需求疲弱、貿易戰(zhàn)等不利因素持續(xù)影響，市調研究機構 DIGITIMES Research 分析師陳澤嘉預估 2019 年全球晶圓代工產值將衰退 3％，但隨總體經濟緩步回溫，及 5G、人工智能（AI）、 高效能運算（HPC）等應用需求增加，加上晶圓代工業(yè)者持續(xù)推動先進制程，并積極布局 3D IC 封裝技術，以延續(xù)摩爾定律發(fā)展，預估 2020 年全球晶圓代工產值將重回成長軌道。

就經濟動能與市場需求面而言，國際貨幣基金（IMF）預估全球經濟成長動能將在 2020 年后逐漸回溫。

縱使歐美市場中長期經濟成長將逐漸趨緩，同時，中國大陸經濟結構性調整壓力也恐再延續(xù)數年，但受惠新興市場發(fā)展逐漸成熟、5G 等新興科技應用帶動半導體需求，仍可為全球晶圓代工產業(yè)帶來成長契機。

從晶圓代工業(yè)者競爭態(tài)勢來看，臺積電在穩(wěn)步推進制程技術并布局高階封裝技術下，仍將穩(wěn)居全球龍頭。

不過，三星電子（Samsung Electronics）宣布砸下重金發(fā)展晶圓代工事業(yè)，對臺積電而言仍有一定的威脅。

另外，中芯 14nm 預計在 2019 年下半量產，對下一代制程亦積極投入布局，加以大陸政策支持半導體產業(yè)發(fā)展，估計也有助其提升市占率。

產業(yè)技術動向方面，F(xiàn)inFET 晶體管結構在 5nm 以下逐漸逼近極限，因此三星已宣布 3nm 將改采閘極全環(huán)場效晶體管（Gate－All－Around FET，GAAFET）技術；臺積電雖在 3nm 節(jié)點可能繼續(xù)采用 FinFET， 但尚未定案。

此外，臺積電、英特爾、三星等業(yè)者積極布局 3D 封裝技術，加強芯片異質整合（Heterogeneous Integration），則視為延續(xù)摩爾定律并強化各自在晶圓代工競爭力的重要策略。