全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應(yīng)用于中國(guó)汽車行業(yè)一級(jí)綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國(guó)上海市，以下簡(jiǎn)稱“UAES公司”）的電動(dòng)汽車車載充電器（On Board Charger，以下簡(jiǎn)稱“OBC”）。UAES公司預(yù)計(jì)將于2020年10月起向汽車制造商供應(yīng)該款OBC。
與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能夠顯著降低損耗的半導(dǎo)體，在電動(dòng)汽車以及基礎(chǔ)設(shè)施、環(huán)境/能源、工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。
ROHM于2010年全球首家開(kāi)始SiC MOSFET的量產(chǎn)，作為SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)，ROHM一直在推動(dòng)世界先進(jìn)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。另外，在汽車領(lǐng)域，ROHM于2012年在業(yè)界率先開(kāi)始供應(yīng)車載產(chǎn)品，并在電動(dòng)汽車的快速充電用車載充電器領(lǐng)域擁有很高的市場(chǎng)份額，該產(chǎn)品在電動(dòng)汽車的電機(jī)和逆變器中的采用也日益加速。
此次，ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC產(chǎn)品采用，與以往的OBC相比，新OBC所在單元的效率提高了1%（效率高達(dá)95.7%，功率損耗比以往降低約20%）。并且，這一先進(jìn)的解決方案獲得了UAES頒發(fā)的2019年度最佳技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)。
未來(lái)，ROHM將作為SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)，不斷壯大產(chǎn)品陣容，并結(jié)合充分發(fā)揮元器件性能的控制IC等外圍元器件和模塊化技術(shù)優(yōu)勢(shì)，繼續(xù)提供有助于下一代汽車技術(shù)創(chuàng)新的電源解決方案。
＜關(guān)于聯(lián)合汽車電子有限公司（UAES）＞
UAES公司是中聯(lián)汽車電子有限公司和德國(guó)羅伯特·博世有限公司在中國(guó)的合資企業(yè)，是汽車行業(yè)一級(jí)綜合供應(yīng)商。自1995年成立以來(lái)，該公司已在中國(guó)市場(chǎng)獲得了引擎控制單元和燃油汽車動(dòng)力總成業(yè)務(wù)領(lǐng)域極高的市場(chǎng)份額，2009年之后開(kāi)始面向電動(dòng)汽車領(lǐng)域開(kāi)發(fā)包括主機(jī)逆變器在內(nèi)的產(chǎn)品。
http://www.uaes.com/servlet/portal/index.html
＜采用SiC MOSFET的好處＞
在大功率（高電壓×大電流）范圍中，與Si-IGBT相比，SiC MOSFET具有“開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗*3小”、“抗溫度變化能力強(qiáng)”等優(yōu)點(diǎn)。得益于這些優(yōu)點(diǎn)，當(dāng)SiC MOSFET用于電動(dòng)汽車的車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品中時(shí)，可降低功率轉(zhuǎn)換時(shí)的損耗并實(shí)現(xiàn)散熱部件的小型化，高頻工作還可實(shí)現(xiàn)線圈小型化，從而有助于提高應(yīng)用的效率、減少部件數(shù)量并縮減安裝面積。
＜ROHM的SiC功率元器件開(kāi)發(fā)歷史＞
＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞
*1) MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫）
金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是FET中最常用的結(jié)構(gòu)。用作開(kāi)關(guān)元件。
*2) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）
同時(shí)具有MOSFET的高速開(kāi)關(guān)特性和雙極晶體管的低傳導(dǎo)損耗特性的功率晶體管。
*3） 傳導(dǎo)損耗、開(kāi)關(guān)損耗
因元器件結(jié)構(gòu)的緣故，MOSFET和IGBT等晶體管在使用時(shí)會(huì)產(chǎn)生損耗。傳導(dǎo)損耗是電流流過(guò)元器件時(shí)（ON狀態(tài)時(shí)），受元器件的電阻分量影響而產(chǎn)生的損耗。開(kāi)關(guān)損耗是切換元器件的通電狀態(tài)時(shí)（開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)）產(chǎn)生的損耗。