地時間3月25日，三星電子宣布，將推出業內首款采用極紫外光刻技術（EUV）設計的DRAM內存模塊。
作為全球領先的內存制造商之一，三星表示，全球客戶對其首批100萬個10nm級DDR4 DRAM模塊的評價還不錯，三星將很快開始處理全球分銷的訂單。
EUV技術令內存模塊的制造更加精確和快速。它通過減少重復步驟的次數來加速光刻過程，并促進復雜芯片圖案的生產。意味著芯片性能精度會更高、開發時間會更短。
三星并不是唯一一家專注于EUV技術的公司。臺積電去年就開始使用EUV技術生產其7nm N7＋芯片。根據公司的測試，這些芯片可以容納高達20％的晶體管密度，比使用氬氟化物激光光刻技術制造的老式N7芯片少10％的功耗。
英特爾在近20年前就開始探索EUV工藝，英特爾目前正在為其新芯片生產線做準備。去年夏天，英特爾的EUV研究員兼主管布里特·圖爾科特（Britt Turkot）說，工程師們在設計使用EUV的生產系統時面臨挑戰，原因是它的復雜性和成本。芯片制造公司將需要建造新的設施來處理新技術。
三星將在未來所有DRAM芯片上使用10nm EUV技術。這將包括基于d1的16GB DDR5和用于電腦的LPDDR5內存芯片，預計將于2021年投入生產。它還包括用于智能手機的LPDDR4X RAM芯片。
三星DRAM部門執行副總裁李俊白Jung－bae Lee表示：“隨著我們基于EUV技術的新DRAM的量產，我們正在兌現為IT界提供革命性的DRAM解決方案的承諾。”
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